单闸极多次写入非挥发性内存及其操作方法技术

一种单闸极多次写入非挥发性内存及其操作方法，此非挥发性内存为单浮接闸极，其是在半导体基底上设置晶体管及电容结构，晶体管于导电闸极两侧的半导体基底内具有两个离子掺杂区作为源极和汲极，其中源极和汲极的宽度设计成不同，可利用汲极的边缘作为电容，藉以控制浮动闸极；本发明专利技术于写入时可以使用最少的控制电压种类及最少的组件，能够大幅缩短控制线路的长度，达到缩小整体面积的效果，从而减少非挥发性内存的生产成本。

【技术实现步骤摘要】
单闸极多次写入非挥发性内存及其操作方法
本专利技术涉及一种单闸极多次写入非挥发性内存(Non-VolatileMemory)，特别是关于一种利用汲极边缘当作电容来控制浮动闸极的单闸极多次写入非挥发性内存及其操作方法。
技术介绍
互补式金属氧化半导体(ComplementaryMetalOxideSemiconductor，CMOS)制程技术已成为特殊应用集成电路(applicationspecificintegratedcircuit，ASIC)的常用制造方法。在计算机信息产品发达的今天，电子式可清除程序化只读存储器(ElectricallyErasableProgrammableReadOnlyMemory，EEPROM)由于具备有电性编写和抹除数据的非挥发性内存功能，且在电源关掉后数据不会消失，所以被广泛使用于电子产品上。非挥发性内存为可程序化的，其用以储存电荷以改变内存的晶体管的闸极电压，或不储存电荷以留下原内存的晶体管的闸极电压。抹除操作则是将储存在非挥发性内存中的所有电荷移除，使得所有非挥发性内存回到原内存的晶体管的闸极电压。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单闸极多次写入非挥发性内存，其特征在于，包括：/n一P型半导体基底；/n一晶体管，该晶体管设置于该P型半导体基底，该晶体管包括一第一介电层、一第一导电闸极与多个离子掺杂区，该第一介电层位于该P型半导体基底表面，该第一导电闸极迭设于该第一介电层上，该多个离子掺杂区设于该半导体基底内并位于该第一导电闸极的两侧，分别形成源极及汲极，该源极和该汲极的宽度不同；以及/n一电容结构，该电容结构设置于该P型半导体基底，该电容结构利用该汲极的边缘作为电容来控制一浮动闸极，且该汲极与该浮动闸极中间包含一轻掺杂区，该轻掺杂区与该多个离子掺杂区具有同型的离子，并形成该非挥发性内存的一单浮接闸极。/n

【技术特征摘要】
1.一种单闸极多次写入非挥发性内存，其特征在于，包括：
一P型半导体基底；
一晶体管，该晶体管设置于该P型半导体基底，该晶体管包括一第一介电层、一第一导电闸极与多个离子掺杂区，该第一介电层位于该P型半导体基底表面，该第一导电闸极迭设于该第一介电层上，该多个离子掺杂区设于该半导体基底内并位于该第一导电闸极的两侧，分别形成源极及汲极，该源极和该汲极的宽度不同；以及
一电容结构，该电容结构设置于该P型半导体基底，该电容结构利用该汲极的边缘作为电容来控制一浮动闸极，且该汲极与该浮动闸极中间包含一轻掺杂区，该轻掺杂区与该多个离子掺杂区具有同型的离子，并形成该非挥发性内存的一单浮接闸极。


2.一种单闸极多次写入非挥发性内存的操作方法，该非挥发性内存包括一P型半导体基底、一晶体管与一电容结构，该晶体管设置于该P型半导体基底，该晶体管包括一第一介电层、一第一导电闸极与多个离子掺杂区，该第一介电层位于该P型半导体基底表面，该第一导电闸极迭设于该第一介电层上，该多...

【专利技术属性】
技术研发人员：林信章，骆玮彤，黄文谦，
申请(专利权)人：亿而得微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71