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一种单闸极多次写入非挥发性内存及其操作方法，此非挥发性内存为单浮接闸极，其是在半导体基底上设置晶体管及电容结构，晶体管于导电闸极两侧的半导体基底内具有两个离子掺杂区作为源极和汲极，其中源极和汲极的宽度设计成不同，可利用汲极的边缘作为电容，藉...
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