低电流电子可擦除可重写只读存储器阵列的快速擦除方法技术

一种低电流电子可擦除可重写只读存储器阵列的快速擦除方法，此低电流电子可擦除可重写只读存储器阵列包含多组位元线、多个字线、多个共源线与多个子存储器阵列，于每一子存储器阵列中，第一存储单元连接第一组位元线的一位元线、第一共源线与第一字线，第二存储单元连接第一组位元线的另一位元线、第一共源线与第二字线，第一、第二存储单元互相对称配置，并分别位于第一共源线之相异两侧。藉由本发明专利技术对应元件提出之擦除条件，包括将源极或漏极设定为浮接，来实现低电流、低电压及低成本，且能达到位元组操作之快速擦除的功能。

【技术实现步骤摘要】
低电流电子可擦除可重写只读存储器阵列的快速擦除方法
本专利技术系有关一种存储器阵列，特别是关于一种低电流电子可擦除可重写只读存储器(EEPROM)阵列的快速擦除方法。
技术介绍
按，互补式金属氧化物半导体导体(ComplementaryMetalOxideSemiconductor，CMOS)制程技术已成为特殊应用积体电路(applicatioNspecificintegratedcircuit，ASIC)之常用制造方法。在电脑资讯产品发达的今天，快闪存储器(Flash)与电子式可清除可编程只读存储器(ElectricallyErasableProgrammableReadOnlyMemory，EEPROM)由于皆具备有电性编写和擦除数据之非易失性存储器功能，且在电源关掉后数据不会消失，所以被广泛使用于电子产品上。非易失性存储器为可编程的，其系用以储存电荷以改变存储器之晶体管的栅极电压，或不储存电荷以留下原存储器之晶体管的栅极电压。擦除操作则是将储存在非易失性存储器中之电荷移除，使得非易失性存储器回到原存储器之晶体管之栅极电压。对于目前本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低电流电子可擦除可重写只读存储器(EEPROM)阵列的快速擦除方法，其特征在于，该低电流电子可擦除可重写只读存储器阵列包含：多条平行之位元线，其系区分为多组位元线，该些组位元线包含一第一组位元线；多条平行之字线，其系与该些位元线互相垂直，并包含一第一、第二字线；多条平行之共源线，系与该些字线互相平行，并包含一第一共源线；以及多个子存储器阵列，每一该子存储器阵列连接一组该位元线、二该字线与一该共源线，每一该子存储器阵列包含：一第一存储单元，其系连接该第一组位元线、该第一共源线与该第一字线；以及一第二存储单元，其系连接该第一组位元线、该第一共源线与该第二字线，该第一、第二存储单元互相对称配...

【技术特征摘要】
1.一种低电流电子可擦除可重写只读存储器(EEPROM)阵列的快速擦除方法，其特征在于，该低电流电子可擦除可重写只读存储器阵列包含：多条平行之位元线，其系区分为多组位元线，该些组位元线包含一第一组位元线；多条平行之字线，其系与该些位元线互相垂直，并包含一第一、第二字线；多条平行之共源线，系与该些字线互相平行，并包含一第一共源线；以及多个子存储器阵列，每一该子存储器阵列连接一组该位元线、二该字线与一该共源线，每一该子存储器阵列包含：一第一存储单元，其系连接该第一组位元线、该第一共源线与该第一字线；以及一第二存储单元，其系连接该第一组位元线、该第一共源线与该第二字线，该第一、第二存储单元互相对称配置，并分别位于该第一共源线之相异两侧，该第一组位元线包含二该位元线，其系分别连接该第一、第二存储单元，该第一、第二存储单元皆具位于P型基板或P型阱区中之N型场效应晶体管时，该第一、第二存储单元皆作为一操作存储单元，在选取该些操作存储单元其中之一作为选取存储单元，以进行操作时，与该选取存储单元连接同一该位元线，且未与该选取存储单元连接同一该共源线之该些操作存储单元，作为多个同位元存储单元，与该选取存储单元连接同一该字线之该些操作存储单元，作为多个同字存储单元，其余该些操作存储单元则作为多个未选取存储单元，该快速擦除方法包含：
于该选取存储单元连接之该P型基板或该P型阱区施加基底电压Vsubp，并于该选取存储单元连接之该位元线、该字线、该共源线分别施加第一位元电压Vb1、第一字电压Vw1、第一共源电压Vs1，于每一该同位元存储单元连接之该字线、该共源线分别施加第二字电压Vw2、第二共源电压Vs2，于每一该同字存储单元连接之该位元线、该共源线分别施加第二位元电压Vb2、该第一共源电压VS1，于每一该未选取存储单元连接之该位元线、该字线、该共源线分别施加该第二位元电压Vb2、该第二字电压Vw2、该第二共源电压Vs2，并满足下列条件：
对该选取存储单元进行擦除时，
满足Vsubp为接地(0)，Vb1为高压(HV)，Vs1为浮接，且Vw1为0～低压(LV)；或
满足Vsubp为接地(0)，Vb1为浮接，Vs1为高压(HV)，且Vw1为0～低压(LV)。


2.如权利要求1所述的低电流电子可擦除可重写只读存储器阵列的快速擦除方法，其特征在于，同一该子存储单元阵列中的该第一字线与该第二字线可连接相同字电压。


3.如权利要求1所述的低电流电子可擦除可重写只读存储器阵列的快速擦除方法，其特征在于，相邻两个该子存储器阵列中，该二第二存储单元彼此相邻且连接同一该位元线，以共用同一接点。


4.如权利要求1所述的低电流电子可擦除可重写只读存储器阵列的快速擦除方法，其特征在于，该第一存储单元更包含：一场效应晶体管，其具有一漂浮栅极，且该场效应晶体管之漏极连接该第一组位元线，源极连接该第一共源线，一电容，其一端连接该漂浮栅极，另一端连接该第一字线，以接收该第一字线之偏压，该场效应晶体管接收该第一组位元线与该第一共源线之偏压，对该场效应晶体管之该漂浮栅极进行写入数据或将该场效应晶体管之该漂浮栅极之数据进行擦除。


5.如权利要求1所述的低电流电子可擦除可重写只读存储器阵列的快速擦除方法，其特征在于，该第二存储单元更包含：一场效应晶体管，其具有一漂浮栅极，且该场效应晶体管之漏极连接该第一组位元线，其源极连接该第一共源线；一电容，其一端连接该漂浮栅极，另一端连接该第二字线，以接收该第二字线之偏压，该场效应晶体管接收该第一组位元线与该第一共源线之偏压，对该场效应晶体管之该漂浮栅极进行写入数据或将该场效应晶体管之该漂浮栅极之数据进行擦除。


6.如权利要求4或5所述的低电流电子可擦除可重写只读存储器阵列的快速擦除方法，其特征在于，该场效应晶体管为N型场效应晶体管或P型场效应晶体管。


7.如权利要求4或5所述的低电流电子可擦除可重写只读存储器阵列的快速擦除方法，其特征在于，该漂浮栅极上依序设有一氧化层与一控制栅极，该控制栅极与该氧化层、该漂浮栅极形成一电容，且该漂浮栅极与该控制栅极皆为多晶硅。


8.一...

【专利技术属性】
技术研发人员：林信章，钟承谕，黄文谦，
申请(专利权)人：亿而得微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71