半导体存储器件及其操作方法技术

本申请提供了一种半导体存储器件包括：存储单元阵列，包括多个存储单元；外围电路，被配置成执行对存储单元阵列的编程操作和擦除操作；以及控制逻辑，被配置成根据半导体存储器件的当前温度与预定温度之间的差，来控制外围电路以调节在编程操作的第一编程操作期间施加给存储单元阵列的设定编程电压的电势电平或施加时间。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储器件及其操作方法本专利申请是2016年3月3日申请的申请号为201610121875.6的名称为“半导体存储器件及其操作方法”的分案申请。相关申请的交叉引用本申请要求2015年9月14日提交的申请号为10-2015-0129935的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用整体合并于此。
本公开的各个实施例涉及一种电子器件，更具体而言，涉及一种半导体存储器件及其操作方法。
技术介绍
半导体存储器件是利用诸如Si(硅)、Ge(锗)、GaAs(砷化镓)、InP(磷化铟)等半导体实现的存储器件。半导体存储器件可以大致分为易失性存储器件和非易失性存储器件。易失性存储器件是一旦断电储存的数据就被擦除的存储器件。易失性存储器件的例子包括SRAM(静态RAM)、DRAM(动态RAM)和SDRAM(同步DRAM)。非易失性存储器件是即使断电时仍能保留储存的数据的存储器件。非易失性存储器件的例子包括ROM(只读取存储器)、PROM(可编程ROM)、EPROM(电可编程ROM)、EEPROM(电可擦除可编程ROM)、闪存、P本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体存储器件包括：/n存储单元阵列，包括多个存储单元；/n外围电路，被配置成执行对存储单元阵列的编程操作和擦除操作；以及/n控制逻辑，被配置成根据半导体存储器件的当前温度与预定温度之间的差，来控制外围电路以调节在编程操作的第一编程操作期间施加给存储单元阵列的设定编程电压的电势电平或施加时间。/n

【技术特征摘要】
20150914 KR 10-2015-01299351.一种半导体存储器件包括：
存储单元阵列，包括多个存储单元；
外围电路，被配置成执行对存储单元阵列的编程操作和擦除操作；以及
控制逻辑，被配置成根据半导体存储器件的当前温度与预定温度之间的差，来控制外围电路以调节在编程操作的第一编程操作期间施加给存储单元阵列的设定编程电压的电势电平或施加时间。


2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，
其中，控制逻辑包括温度检测器，温度检测器被配置成检测当前温度与预定温度之间的差。


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【专利技术属性】
技术研发人员：李映勋，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR