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半导体存储器件及其操作方法技术
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文档序号:26261202
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本申请提供了一种半导体存储器件包括:存储单元阵列,包括多个存储单元;外围电路,被配置成执行对存储单元阵列的编程操作和擦除操作;以及控制逻辑,被配置成根据半导体存储器件的当前温度与预定温度之间的差,来控制外围电路以调节在编程操作的第一编程操作...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。
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