ＳＲＡＭ存储单元，具有以下特征： －具有一个双稳态场效应晶体管（ＢＩＭＯＳ），该晶体管的第一沟道接口（Ｄ）与第一电位接线端（ＶＣＣ）相连接， －双稳态场效应晶体管（ＢＩＭＯＳ）的第二沟道接口（Ｓ）与一个第一电阻（Ｒ１）相连接，该第一电阻的另一侧与一个第二电位接线端地相连接， －双稳态场效应晶体管（ＢＩＭＯＳ）的栅极（Ｇ）通过一个第一开关元件（Ｔ１）可以与一个第一位线（ＢＬ１）相连接， －双稳态场效应晶体管（ＢＩＭＯＳ）的第二沟道接口（Ｓ）通过一个第二开关元件（Ｔ２）可以与一个第二位线（ＢＬ２）相连。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及的是一个SRAM存储单元。随机存取的静态存储器的存储单元已公知，其中，触发器用于存储电位值，该电位值表明逻辑状态。对此，触发器是由四个场效应晶体管构成的。此外，这个存储单元具有二个开关二极管，它用于存储单元的读入和读出，开关晶体管的基极和SRAM的字线相连接，并且开关晶体管连接具有一对位线的触发器。总共涉及的是6个晶体管的存储单元。还已知用二个场效应晶体管和二个电阻实现了触发器，因此得出一个4个晶体管的存储单元。本专利技术的任务在于获得一个SRAM存储单元，它具有小的所需面积。此任务通过权利要求1的SRAM存储单元触发。其中，双稳态的场效应晶体管代替触发器用于存储二个逻辑状态。一个逻辑状态相当于截止双稳态晶体管，另一个逻辑状态相当于导通双稳态晶体管。这里双稳态场效应晶体管应当理解为一个晶体管，它具有一个滞后的电流-栅极电压特性曲线，因此，仅仅通过设置一个合适的正的或一个合适的负的阀值电压，晶体管从截止状态转换成高电流状态，并且反向转换。在两个阀值电压值之间的栅极电压值不引起状态转换。双稳态晶体管例如也可以通过电压脉冲控制，该电压脉冲在数值上仅短暂地超过各自的(正的或负的)阀值电压。图2说明的是双稳态场效应晶体管的已提及的滞后作用过程，同时设定漏极-源极电压VDS为不变，并且大于限定的最小值，在这里开始滞后特性，并且在双稳态晶体管运行期间，不应该不超过这个最小值。横坐标上标注的是栅极-源极电压UGS，在纵坐标上标注的是漏极电流I的对数值。用VE表示正的阈值电压。在“微电子产品和可靠性”的1802卷，(1992)，202页及下一页，由N.Kistler、E.V.Ploeg、J.Woo和J.Plumer所著的文章“Breakdown Voltage of Submicron MOSFETs in Fully DepletedSOI”中公开了一个场效应晶体管，按本专利技术它可以用作双稳态场效应晶体管。在此说明了一个完整的耗尽型的(也就是说在不导电状态，在它的导电沟道中实际上不存在自由载流子)水平N沟道场效应晶体管，它是用SOI(Silicon on Insulator)技术制造。它的导电沟道是浮动的，也和不固定的电位连接。在上面安置了双稳态晶体管的衬底经与一个衬底电位连接在一起。然后，为了实现导电沟道的浮动，导电沟道同衬底绝是必需的。在已说明的技术标准中，通过使用SOI技术实现以上方法。然而，也可以用已说明的技术标准的不同方式，在半导体衬底上垂直安置双稳态晶体管，因此，它的导电沟道以平面方式同衬底绝缘，例如可以通过分子束外延制造这样的垂直双稳态晶体管。通过这个方法，可以实现几十纳米的沟道长度。实验中确定，小于100nm的沟道长度，例如85nm，特别适合于生产垂直的双稳态晶体管。对于双稳态晶体管的制造来说，在截止状态耗尽它的导电沟道是重要的。在高电流状态，也就是说在加上一个超过正的阀值电压的栅极电压的情况下，然后发生晶体管击穿，同时通过碰撞电离释放载流子。在大于1μm沟道长度上，通过使用少量掺杂物质的导电沟道可以达到足够的耗尽层。较短的沟道长度产生具有较高掺杂浓度的导电沟道。特别是通过截止PN结的绝缘层的扩宽，在加上漏极-源极电压时。能够产生耗尽层。在短的沟道长度上，在低的漏极-源极电压(例如L3V)情况下，产生一个足够高的电场强度，在高电流状态中，这个电场强度对于击穿来说是必需的。已说明的滞后效应产生如下作用如果双稳态场效应晶体管的漏极-源极电压高于已提及的最小值，该值通过使用的工艺和晶体管的规格确定，那么可以通过提高它的栅极-源极电压到高于同样可调整正阀值电压的值，改变双稳态场效应晶体管从截止状态到导通或高电流状态。当栅极-源极电压又降低到正阀值电压以下的值，只要还没不超过漏极-源极电压的最小值，那么就保持在高电流状态。首先，当加上一个足够的负的栅极-源极电压时，在它不超过负的阀值电压的情况下，晶体管又截止。这个说明针对的是n沟道型双稳态晶体管，可是在P沟道晶体管上同样起作用。适合本专利技术的存储单元按照下面的原理工作，对此利用双稳态场效应晶体管的滞后特性为了写入一个最初的逻辑值，例如一个逻辑1，通过加上一个合适的栅极电位(在此时，超过了栅极-源极电压的正阀值电压)，借助一个最初的位线，将双稳态晶体管转换到它的高电流状态。这个状态被保持，即使当栅极-源极电压又达到低于正阀值电压的值。写入第二个逻辑值，例如一个逻辑0，通过加上一个足够负的栅极-源极电压(并且不超过负的阀值电压)，双稳态晶体管从它的高电流状态转换到截止状态。也就是可以通过电压脉冲控制双稳态晶体管。通过第二沟道接口同一个第二位线的连接，实现存储单元的读出。然后根据双稳态晶体管的状态，把第二位线或者加上第一电位值，或者加上第二电位值。由于根据本专利技术仅仅唯一的双稳态场效应晶体管和一个电阻代替技术标准中的触发器用于存储，其中触发器具有四个晶体管或具有二个晶体管和二个电阻，因此，与已知的解决办法相比至少节省一个晶体管和一个电阻，因此实现了存储单元的较小的所需平面。如果预先规定各自的第一和第二场效应晶体管用于写入和读出存储单元，则通过双稳态晶体管，实现了晶体管存储单元代替已知的6或4晶体管存储单元。有益的是，第一位线与第二位线相一致，也就是说仅存在一个位线。通过这个位线不仅实现了写入存储单元也实现了读出存储单元。因此，根据本专利技术的存储单元或者具有二个位线和一个唯一的字线来控制第一和第二晶体管，或具有仅仅一个唯一的位线和各自的字线来控制第一和第二晶体管。当然，任何时候存在两个位线和两个字线也是可能的。有利的是，通过一个第二电阻，双稳态晶体管可与一个第三电位连接，它保证，不在任何时刻具有一未确定电位。然后实现了存储单元的较小的所需面积。下面借助附图根据实施例详细说明本专利技术。附图说明图1所示为本专利技术的存储单元的一实施形式；图2所示为源自图1的双稳态场效应晶体管的滞后特性曲线。图1指出了一个双稳态场效应晶体管BIMOS，它的第一沟道接口D和一个第一电位VCC的接线端连接，它的第二沟道接口通过一个第一电阻R1与第二电位大地的接线端相连接。在本专利技术的这个实施例中，双稳态场效应晶体管BLMOS是n沟道型的。并假设，第一电位VCC大于第二电位大地。例如，二个电位VCC，地可能是一个一体化电路的电源电位，该电路的组成部分是SRAM存储单元。此外第二电位大地可能例如是一个参考电位。由于第一电位VCC大于第二电位是假定的，所以在本实施例中，双稳态场效应晶体管BIMOS的第一沟道接口D是它的漏极，第二沟道接口S是它的源极。显然，建立一个具有一个P沟道型的双稳态晶体管是可能的，那么在它上面可以选择第一电位VCC小于第二电位大地。图1中的双稳态场效应晶体管BIMOS的栅极G，通过在本实施例中是n沟道型的第一场效应晶体管T1，与第一位线BLI连接。可以通过一个第一字线WL1控制这个第一场效应晶体管T1，字线与它的栅极相连接。双稳态场效应晶体管BIMOS的第二沟道接口S，可以通过一个第二场效应晶体管T2，与一个第二位线BL2相连接，在本实施例中，第二位线BL2同第一位线是相同的。可以通过一个第二字线WL2控制第二场效应晶体管T2，第二字线与它的栅极相连接。第一个晶体本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.SRAM存储单元，具有以下特征-具有一个双稳态场效应晶体管(BIMOS)，该晶体管的第一沟道接口(D)与第一电位接线端(VCC)相连接，-双稳态场效应晶体管(BIMOS)的第二沟道接口(S)与一个第一电阻(R1)相连接，该第一电阻的另一侧与一个第二电位接线端地相连接，-双稳态场效应晶体管(BIMOS)的栅极(G)通过一个第一开关元件(T1)可以与一个第一位线(BL1)相连接，-双稳态场效应晶体管(BIMOS)的第二沟道接口(S)通过一个第二开关元件(T2)可以与一个第二位线(BL2)相连。2.根据权利要求1的SRAM存储单元，其特征在于，双稳态场效应晶体管(BIMOS)的栅极(G)与一个第二电阻(R2)相连接，远离该栅极的该电阻另一端可以与一个第三电位(V3)相连接。3.根据上述权利要求之一的SRAM存储单元，其特征在于，在读过程之前，可以预先给第二...
【专利技术属性】
技术研发人员：H·高斯纳，I·艾瑟勒，F·维特曼，V·拉姆高帕尔劳，
申请(专利权)人：西门子公司，
类型：发明
国别省市：
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