【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种存储系统，其包含至少一个存储器和抗磨损存储器的管理装置，其中抗磨损的方式旨在增加存储器的寿命。本专利技术应用于任何非易失存储的，内容备分的和其中某些数据可能被经常更新的存储器。本专利技术特别应用于诸如芯片卡，即所谓智能卡这样的存储载体。
技术介绍
制造EPROM，EEPROM和FeRAM类型存储器的厂商知道，无论非易失性存储器采用什么样的技术，对构成一个存储器的各单元所进行的读写操作次数存在一个最大值。的确，当写和/读的操作次数达到该最大值时就可以认为存储器已磨损坏了。即，超过该次数后就会有信息改变，或所写入存储器中的数据丢失。根据本专利技术，所追求的是减小非易失性存储器中那些不得不在其中大量进行写入数据操作(在EPROM或EPROM存储器的情形)，或不得不在其中大量进行读出数据操作(在FeRAM存储器的情形)的单元的磨损。在现有技术中，该问题的解决一直是通过将被认为是敏感的数据，即经常更新的数据隔离在存储器中专为此目的所保留的部分。不幸的是，所涉及的区域会产生疲劳，这是因为上述更新总是对同样的数据和同样的存储单元进行操作。对该问题的解决方案一...
【技术保护点】
一种存储系统，其包括至少一个非易失性存储器，该存储器包含可能要更新的信息，上述存储系统还包括存储器的管理装置，能够将存储器上的全部或部分内容在该存储器的全部或部分范围内传递。
【技术特征摘要】
FR 1998-12-22 98/162161.一种存储系统，其包括至少一个非易失性存储器，该存储器包含可能要更新的信息，上述存储系统还包括存储器的管理装置，能够将存储器上的全部或部分内容在该存储器的全部或部分范围内传递。2.根据权利要求1所述的存储系统，其中存储器的管理装置能够以一种重复的方式产生数据移动。3.根据权利要求2所述的存储系统，其中以一种重复的方式产生的移动是循环式的。4.根据权利要求1所述的存储系统，其中存储器的管理装置包括移动装置，后者包括-用于将第一个区域的内容传递到第二个区域的装置，和-用于地址转换的装置，从而使所有访问第一区域的请求转换为访问第二区域的请求，而第一区域的内容被传递到第二区域。5.根据权利要求4所述的存储系统，其中移动装置是通过把第一区域的内容累进移位到第二区域而进行操作。6.根据权利要求5所述的存储系统，其中存储器被组织成包括一个或多个单元的区域，其中的至少一个区域是空的，并且管理装置把第一区域的内容累进移位到第二区域，第二区域是空的，或至少在前述移位的过程中被清空。7.根据权利要求6所述的存储系统，其中把第一区域的内容累进移位到空的或被清空的第二区域的移动装置进一步包括用于控制移位的装置。8.根据权利要求7所述的存储系统，其中控制移位装置通过时钟信号而构成。9.根据权利要求7所述的存储系统，其中控制移位装置通过随机特性的控制信号而构成。10.根据权利要求7所述的存储系统，其中控制移位装置包括用于计数和将访问存储器的次数与预设门限相比较的装置。11.根据权利要求4所述的存储系统，其中传递装置包括用于读出所涉及的整个第一区域和用于写入所涉及的第二区域的一个程序。12.根据权利要求4所述的存储系统，其中转换单位是...
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