存储矩阵和存储设备的字线的电子驱动电路制造技术

一个存储矩阵（３）的字线（ＷＬ）的电子驱动电路，其中驱动源（２），特别是一个电流／电压源的编码的输出端（Ⅳ０－Ⅳ３）连接在选择的字线（ＷＬ↓［ｉ－２］－Ｗ↓［ｉ＋１］）上。对此组方式地通过控制信号（ＳＬＮＰ；ＳＬＮ１；ＳＬＮ２）选择字线（ＷＬ），并且驱动源（２）的输出端施加在字线上。通过驱动源（２）的编码选出各自激活的字线（ＷＬｉ）。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及存储矩阵以及存储设备、特别是一个MRAM存储设备的字线的驱动电路。
技术介绍
半导体存储器通常包括一个带有列线和行线、字线和位线的矩阵的单元区域，各自存储单元处在这些线的交叉点上。为此在存储部件中，在读和写的过程中字线用于寻址。位线用于存储单元的读或者写。磁性隧道元件(TMR元件；TMR隧道磁阻)典型地用作MRAM存储单元中的存储元件。一个如此的TMR元件原则上包括二个磁层、一个吸附磁层和一个软磁层。这二层通过几个原子层厚的绝缘中间层彼此分离。不仅可以相同地调整而且也可以相互调整在这二个层中的磁化。在磁层之间的绝缘屏障是如此薄，以至在施加电压之后少量电子可以穿过；所谓的隧道电流流过。隧道电流的强度对此依赖于彼此磁化方向的取向。描述一个如此的存储器，通过在字线和位线上施加电流确定所谓的“软”磁层的磁化方向。通过电流方向确定存储元件的内容。特别是在写的时候所需电流是相对高的(大约2.5mA)，因为通过叠加在字线和位线中的电流的磁场引起磁化。在读的过程中，在所选择的存储单元的字线上施加一个定义的电压，该电压应当不同于所选择的位线的电压。在垂直于字线分布的位线上，-按在位线本文档来自技高网...

【技术保护点】
存储矩阵的字线的电子驱动电路，其中该驱动电路具有一个带有多个输出端（ＩＶ０－ＩＶ３、Ｖ０）的驱动源（２），其中预先规定多个字线开关（Ｎ↓［１］－Ｎ↓［１６］，Ｐ↓［１］－Ｐ↓［８］），通过控制信号（ＳＬＮＰ；ＳＬＮ１；ＳＬＮ２）可以控制这些字线开关，并且这些字线开关经过驱动源（２）的输出端（ＩＶ０－ＩＶ３、Ｖ０）与字线（ＷＬ）可以开关地连接，其特征在于，驱动源的多个输出端包含编码的输出端（ＩＶ０－ＩＶ３）。

【技术特征摘要】
DE 2000-8-9 10038925.21.存储矩阵的字线的电子驱动电路，其中该驱动电路具有一个带有多个输出端(IV0-IV3、V0)的驱动源(2)，其中预先规定多个字线开关(N1-N16，P1-P8)，通过控制信号(SLNP；SLN1；SLN2)可以控制这些字线开关，并且这些字线开关经过驱动源(2)的输出端(IV0-IV3、V0)与字线(WL)可以开关地连接，其特征在于，驱动源的多个输出端包含编码的输出端(IV0-IV3)。2.按照权利要求1的驱动电路，其特征在于，驱动源(2)的每个编码的输出端(IV0-IV3)可以采用不同的输出值，这些输出值分别与字线(WL)的一个确定运行模式一致，并且输出端是如此编码的，即其按各自字线(WL)的所希望的运行模式提供不同的输出值使用。3.按照权利要求1或2的驱动电路，其特征在于，驱动源(2)的输出端(IV0-IV3、V0)至少包含一个另外的输出端(V0)，其经过多个字线开关(WL)连接在所有未通过控制信号(SLNP；SLN1；SLN2)选择的字线(WL)上。4.按照权利要求1至3之一的驱动电路，其特征在于，输出值是电流和/或电压值。5.按照上述权利要求之一的驱动电路，其特征在于，该驱动电路接收多个控制信号(SLNP；SLN1；SLN2)，其中每一个控制信号控制多个字线开关(WL)的一定数目，并且最多控制信号(SLNP；SLN1；SLN2)中的一个使驱动源(2)的编码输出端(IV0-IV3)经过字线开关(N1-N16，P1-P8)连接在各自字线(WL)上，因此分别仅仅一个编码的输出端(IV0-IV3)存在于各一个字线(WL)上。6.按照上述权利要求之一的驱动电路，其特征在于，字线开关(WL)具有第一晶体管(N1-N8)和第二晶体管(N9-N16；P1-P8)。7.按照权利要求6的驱动电路，其特征在于，驱动源(2)的编码输出端(IV0-IV3)经过第一晶体管(N1-N8)与字线(WL)连接。8.按照权利要求6或7之一的驱动电路，其特征在于，驱动源(2)的至少一个另外的输出端(V0)经过第二晶体管(N9-N16；P1-P8)与字线(WL)...

【专利技术属性】
技术研发人员：T贝姆，T雷尔，D戈格尔，
申请(专利权)人：奇梦达股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]