用于闪速内存装置的检测前置放大器制造方法及图纸

公开了一种供双存储体（１９４，１９６）结构具同时操作功能的闪速内存装置（１００）使用的检测放大器（１７４）中的前置放大器部份（２７４Ｕ），该检测前置放大器电路包含两个反相放大器，其中第二反相放大器（３１３，３１６）向第一反相放大器（３１１，３１４）提供反馈回路。此外，特殊的“扬踢”电路（３１３，３１５）会将检测前置放大器电路输入信号线（２７５Ｕ）升至其操作电平。反相放大器、反馈回路和电平提升电路的组合构成可提供更高带宽，以供检测前置放大器调适因小存储体（１９４）导致的低容量负载。该组合方式也用于使输入信号线快速地提升至操作电平，以便调适因大存储体（１９６）导致的高容量负载。该组合方式还用于在检测前置放大器的输出（ＵＳＡｉｎ）提供较大信号容限。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

典型的计算机、个人数字助理、移动电话和其它电子系统与装置等等基本上包含处理器和内存二部份。内存用于储存要执行的指令(通常是计算机程序的形式)，和/或储存由处理器运算时所用的数据，从而取得装置需求的功能。在某些应用情况，系统和装置可能需要将指令和/或数据以特定的方式保存，例如保存在永久/非易失性的储存媒体，以使该信息在装置关机或者电源移走时不会遗失。范例性应用包括计算机BIOS的储存，以及无磁盘手持式计算设备，如个人数字助理。为避免EPROM的复杂性并提供一种可以在实用范围重复编程的装置，很多电子工程设计师采用电可擦可编程只读存储器(EEPROM)、静态随机存取存储器(SRAM)、或者是闪速内存，闪速内存可以电子式重复编程而不需要特别的硬件。从技术角度而言，SRAM不属于非易失性内存的类型，但是能够应用在需要非易失功能的某些应用当中。EEPROM有一些缺点，即其成本高，而且生命周期非常有限，也就是EEPROM可以擦除和再写入的次数是有限的，超过次数，它们所形成的装置就会失去功能。SRAM可以有高的操作速度，但所保存的数据只有在电源供应的情况下才会有效，因此它们需要电池或其它的电力本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于闪速内存装置（１００）的检测前置放大器电路（２７４Ｕ），具有同时操作能力，该闪速内存装置具有闪速内存单元的第一存储体（１９４）以及闪速内存单元的第二存储体（１９６），所述检测放大器电路特征在于： 第一反相放大器（３１１，３１４），耦合至所述第一存储体（１９４）； 第二反相放大器（３１３，３１６），耦合至所述检测前置放大器电路的输出（ＵＳＡｉｎ）； 所述第一反相放大器（３１１，３１４）构成所述第二反相放大器（３１３，３１６）的反馈网络。

【技术特征摘要】
US 1999-10-19 09/421,9851.一种用于闪速内存装置(100)的检测前置放大器电路(274U)，具有同时操作能力，该闪速内存装置具有闪速内存单元的第一存储体(194)以及闪速内存单元的第二存储体(196)，所述检测放大器电路特征在于第一反相放大器(311，314)，耦合至所述第一存储体(194)；第二反相放大器(313，316)，耦合至所述检测前置放大器电路的输出(USAin)；所述第一反相放大器(311，314)构成所述第二反相放大器(313，316)的反馈网络。2.如权利要求1的检测前置放大器电路，其中所述反馈网络具有低反馈回路增益而且所述检测前置放大器电路具有低闭合回路增益，所述低反馈回路增益及低闭合回路增益足够的低，以便增加所述检测前置放大器电路的带宽。3.如权利要求2的检测前置放大器电路，其中所述第二反相放大器(313，316)具有足够高的增益，以便增加所述第二反相放大器及所述检测前置放大器电路的噪声容限。4.如权利要求3的检测前置放大器电路，进一步包括信号线(275U)，将所述第一反相放大器(311，314)耦合至所述第一存储体(194)；构成使所述信号线(275U)迅速提升至该信号线操作电平的电路。5.一种用于闪速内存装置(100)的检测前置放大器电路(274U)，具有同时操作能力，该闪速内存装置具有闪速内存单元的第一存储体(194)以及闪速内存单元的第二存储体(196)，所述检测前置放大器电路包括第一晶体管(311)，有一个栅极、一个源极和一个漏极，该源极选择性耦合接地并耦合至所述第一存储体(194)，而且包括所述检测前置放大器电路(274U)的输入；第二晶体管(314)，有一个栅极、一个源极和一个漏极，所述源极耦合至所述第一晶体管(311)的漏极和所述检测前置放大器电路(274U)的输出，并且该第二晶体管的漏极选择性地耦合至电压电平为Vcc的一个电压源，所述第一和第...

【专利技术属性】
技术研发人员：赤荻隆男，陈天民，栗原和弘，
申请(专利权)人：飞索股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]