存储单元构件及生产方法技术

本发明专利技术涉及存储单元阵列的存储单元构件，该阵列至少有一个铁磁体存储部件层（１１），铁磁体存储部件层（１１）分别与第一连接线（１０）连接，第一连接线（１０）布设于第一介质层（６）中，并且（１１）分别与第二连接线（２０，２９，３５）连接，第二连接线（２０，２９，３５）布于第二介质层（１７，２７，３２）中。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具有磁阻存储部件的存储单元构件及其生产方法。由于MRAM存储部件的分层结构，就可以对GMR存储部件与TMR存储部件之间的性能作出区别。GMR存储部件至少有两个铁磁层以及设于它们之间的一个非磁的导电层，因此，GMR存储部件以具有CMR效应(GMR大磁阻)而著称，其中，GMR存储部件的电阻取决于这个铁磁体层中的磁化是平行的还是非平行的。TMR存储部件(TMR隧道磁阻)至少有两个铁磁体层以及设于它们之间的一个绝缘的非磁性层。该绝缘层设计得非常之薄，因而在两个铁磁体层之间能生成隧道电流。这两个铁磁体层具有磁阻效应，是由通过设于这两个铁磁体层之间的绝缘的非磁性层的自旋极化隧道电流生成的。TMR存储元件的电阻取决于这两个铁磁体层的磁化是平行的还是非平行的。附图说明图1示出了根据现有技术的MRAM存储器的一个存储单元阵列。该单元阵列有大量金属的写入/读出线或曰字线与位线，这些字线与位线排列在各自的上方并相互垂直，在处于相互交跨并且导电连接的两条写入/读出线之间的每个位之中有磁阻存储元件。信号被送至字线或位线，由于电流在其中流过，给出足够的场强，产生的磁场使存储部件感应。与DRA本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储单元构件，具有：存储单元阵列，该阵列至少有一个磁阻存储部件层（１１），每个部件层均与第一连接线（１０）连接，第一连接线（１０）布设在第一介质层（６）中，每个部件层均与第二连接线（２０，２９，３５）连接，第二连接线（２０， ２９，３５）布设在第二介质层（１７，２７，３２）中，其特征在于，在第一连接线（１０）与第二连接线（１７，２７，３２）之间有一扩散阻挡层（１５，２２，７，３１）。

【技术特征摘要】
DE 2000-9-1 10043159.31.一种存储单元构件，具有存储单元阵列，该阵列至少有一个磁阻存储部件层(11)，每个部件层均与第一连接线(10)连接，第一连接线(10)布设在第一介质层(6)中，每个部件层均与第二连接线(20，29，35)连接，第二连接线(20，29，35)布设在第二介质层(17，27，32)中，其特征在于，在第一连接线(10)与第二连接线(17，27，32)之间有一扩散阻挡层(15，22，7，31)。2.根据权利要求1所述的存储单元构件，其特征在于，存储部件(11)是TMR存储部件，每个存储部件有两个铁磁体层(11b，11d)和布设于这两个铁磁体层(11b，11d)之间的绝缘的非磁性层(11c)。3.根据权利要求1所述的存储单元构件，其特征在于，存储部件(11)是GMR存储部件，每个存储部件有两个铁磁体层(11b，11d)和布设于这两个铁磁体层(11b，11d)之间的导电的非磁性层(11c)。4.根据前述的权利要求中的任一项所述的存储单元构件，其特征在于，存储部件(11)通过连接扩散阻挡层(11a，11e)分别与连接线(10，20，29，35)连接。5.根据前述的权利要求中的任一项所述的存储单元构件，其特征在于，连接扩散阻挡层(11a，11d)...

【专利技术属性】
技术研发人员：斯特凡米塔纳，西格弗里德施瓦茨尔，安妮特森格尔，
申请(专利权)人：印芬龙科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]