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存储单元构件及生产方法技术
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文档序号:3086053
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本发明涉及存储单元阵列的存储单元构件,该阵列至少有一个铁磁体存储部件层(11),铁磁体存储部件层(11)分别与第一连接线(10)连接,第一连接线(10)布设于第一介质层(6)中,并且(11)分别与第二连接线(20,29,35)连接,第二连接...
该专利属于印芬龙科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过印芬龙科技股份有限公司授权不得商用。
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