半导体存储器制造技术

一种通过ＣＡＭ减小电能消耗的半导体存储器。一个存储电路具有表示是否激活每个存储字块的多个信息模式。如果用于在从已经存储于该存储电路中的多个信息模式中指定一个预定模式的指定信息被输入，则一个激活电路根据所指定模式激活每个内容可寻址存储字块。如果要被提取的数据被输入，则一个指定电路从由该激活电路所激活的一组内容可寻址存储字中指定已经存储对应于要被提取数据的数据的一个内容可寻址存储字。结果，由该内容可寻址存储字块执行激活。因此，通过仅仅激活所需的内容可寻址存储字，可以减小功率消耗。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体存储器，特别涉及一种内容可寻址存储器(CAM)，其输出要被提取的数据所存储在的地址。
技术介绍
用于提取存储输入数据(要被提取的数据)的地址的提取操作是CAM的典型操作。要被提取的数据从外部输入，并且由该提取操作比较在一个单元中的数据。在执行该操作的CAM中的单元具有如图19中所示的结构。如图19中所示，包含在CAM中的一个单元包括金属氧化物半导体(MOS)晶体管(在下文中简称为晶体管)1a、2a、5a、6a、1b、2b、5b和6b以及反相器3a、4a、3b和4b。晶体管1a和2a以及反相器3a和4a存储一个普通的数位。晶体管1b和2b以及反相器3b和4b存储一个辅助数位。晶体管5a、5b、6a和6b判断施加到提取数据线SD和XSD是否与存储在该单元中的数据相匹配。信号线XBL0、BL0、XBL1和BL1被用于写入和读取数据。要被提取的数据被输入到提取数据线SD和XSD。字线WL是位于一行单元的方向上的选择控制信号线。匹配线ML是位于一行单元方向上用于传输匹配结果的匹配检测信号线。现在，将描述上述常规CAM中的操作。图20为示出图19中所示单元的状态的真值本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体存储器，包括：多个内容可寻址存储字；连接到每个内容可寻址存储字的多个存储单元；分别包括Ｎ个内容可寻址存储字的存储字块；存储表示是否激活每个存储字块的多个信息模式的存储电路；激活电路，用于在从已经存储于该存储电路 中的多个信息模式中指定一个预定模式的指定信息被输入时，根据所指定模式激活每个内容可寻址存储字块；以及指定电路，用于在要被提取的数据被输入时，从由该激活电路所激活的一组内容可寻址存储字中指定已经存储对应于要被提取数据的数据的一个内容可寻址 存储字。

【技术特征摘要】
JP 2002-4-9 105898/20021.一种半导体存储器，包括多个内容可寻址存储字；连接到每个内容可寻址存储字的多个存储单元；分别包括N个内容可寻址存储字的存储字块；存储表示是否激活每个存储字块的多个信息模式的存储电路；激活电路，用于在从已经存储于该存储电路中的多个信息模式中指定一个预定模式的指定信息被输入时，根据所指定模式激活每个内容可寻址存储字块；以及指定电路，用于在要被提取的数据被输入时，从由该激活电路所激活的一组内容可寻址存储字中指定已经存储对应于要被提取数据的数据的一个内容可寻址存储字。2.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中每个内容可寻址存储字块包括驱动器，用于把要被提取的数据提供到每个存储单元；以及读出放大器，用于放大来自每个内容可寻址存储字的匹配信号；以及该...

【专利技术属性】
技术研发人员：相川忠雄，
申请(专利权)人：富士通株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]