【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体存储装置,且更具体地,涉及一种能够降低有效模式下电流消耗的半导体存储装置。
技术介绍
一般地,电源电压(VDD)及接地电压(VSS)被供应至存储装置,且所述存储装置会产生内部操作所需的内部电压。存储装置的内部操作所需的电压为用于存储器内核区域的内核电压(Vcore)、用于毗邻于该内核设置的外围电路中所使用的外围内部电压(Vperi)、用于驱动字线或用于过激励中的高电压(Vpp),等等。图1为一传统存储装置的框图,显示一产生存储装置的内部操作所用的内部电压的框图。参阅图1,该传统存储装置包含一带隙参考电路10、第一基准电压产生电路21、第二基准电压产生电路22、内核电压产生电路31、外围内部电压产生电路32、高电压产生电路33、及内部电压控制器40。该带隙参考电路10被配置为接收一外部电压Vext以产生一带隙基准电压Vbg。该第一基准电压产生电路21被配置为接收该带隙基准电压Vbg以产生一预定电压电平的第一基准电压Vref1,该第二基准电压产生电路22被配置为接收该带隙基准电压Vbg以产生一预定电压电平的第二基准电压Vref2。该内核电压 ...
【技术保护点】
一种半导体存储装置,包含:内部电压供应装置,其响应一内部电压驱动使能信号被启动,产生一在该半导体存储装置的内部操作中使用的内部电压;以及内部电压控制装置,用于在该半导体存储装置进入一有效操作模式后的预定周期期间,及在一对应于 读/写操作的周期期间激活该内部电压驱动使能信号。
【技术特征摘要】
KR 2003-7-29 2003-00523321.一种半导体存储装置,包含内部电压供应装置,其响应一内部电压驱动使能信号被启动,产生一在该半导体存储装置的内部操作中使用的内部电压;以及内部电压控制装置,用于在该半导体存储装置进入一有效操作模式后的预定周期期间,及在一对应于读/写操作的周期期间激活该内部电压驱动使能信号。2.如权利要求1所述的半导体存储装置,其中,所述预定周期为一确保在该半导体存储装置进入该有效操作模式后执行该读或写操作的时间的周期。3.如权利要求1所述的半导体存储装置,其中,所述内部电压供应装置包含内核电压产生电路,其响应该内部电压驱动使能信号被启动,用于接收第一基准电压以产生一内核电压于一存储器内核区域;外围内部电压产生电路,其响应该内部电压驱动使能信号被启动,用于接收第二基准电压以产生一外围内部电压于该存储器内核区域的外围区域;以及高电压产生电路,其响应该内部电压驱动使能信号被启动,用于产生一高电压,所述高电压的电平高于一外部电源电压的电平。4.如权利要求3所述的半导体存储装置,其中,所述内部电压供应装置进一步包含带隙参考电路,用于与该外部电源电压的改变无关地输出一电平恒定的带隙基准电压;第一基准电压产生电路,用于接收所述带隙基准电压以产生第一基准电压;以及第二基准电压产生电路,用于接收该带隙基准电压以产生第二基准电压。5.如权利要求1所述的半导体存储装置,其中,所述内部电压控制装置包含有效时序控制单元,用于响应在该有效操作模式激活的有效信号,在第一预定周期期间激活并输出一第一输出信号;预充电时序控制单元,用于响应在一预充电操作模式激活的预充电信号在第二预定周期期间激活并输出一第二输出信号;内部电压驱动控制单元,用于响应该第一或第二输出信号激活并输出一第三输出信号及用于在一对应于该读/写操作的周期期间激活并输出该第三输出信号;以及输出单元,其响应一激...
【专利技术属性】
技术研发人员:金溶美,
申请(专利权)人:海力士半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:KR[韩国]
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