【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及磁性膜、磁性膜的磁化反转方法、磁性膜的反转机构、及磁随机存取存储器。
技术介绍
近年来,磁随机存取存储器(MRAM)作为置换很多现有固体存储器的替代存储器而受到重视。所谓MRAM是利用纳米区的与电子自旋有关的传导现象的磁致电阻效应的高速非易失性存储器。特别是,利用自旋隧道磁致电阻(TMR)效应的MRAM,由于得到大的读出信号,所以在高记录密度化或高速读出方面是有利的,在近年的研究报告中证实了实用性。在MRAM中,磁致电阻效应膜作为存储元件使用。该磁致电阻效应膜的基本结构如图5所示,是B、C这两个磁性膜夹着非磁性膜A层叠起来的夹层结构,可以看到根据与非磁性膜A相接而形成的B、C这两个磁性膜的过渡族金属原子的磁化方向(下面,只称为“磁性膜的磁化方向”),其电阻值不同。具体地说,B、C这两个磁性膜的磁化方向为同方向(平行)时电阻值较小,为反方向(反平行)时电阻值较大。MRAM利用这个性质来读出信号。例如,把B、C这两个磁性膜的磁化方向平行时定为“0”、把反平行时定为“1”,通过把B、C这两个磁性膜中的一个磁性膜C的磁化方向作成与记录的信息对应的方向把信 ...
【技术保护点】
一种磁性膜,其特征在于,局部地设有磁化反转比其它部分相对更容易的部分。
【技术特征摘要】
JP 2003-9-3 311307/20031.一种磁性膜,其特征在于,局部地设有磁化反转比其它部分相对更容易的部分。2.一种多层磁性膜,由至少两个磁性膜层叠而成,其特征在于在上述两个磁性膜中的矫顽力相对较弱的磁性膜上,局部地设有磁化反转比其它部分相对更容易的部分。3.根据权利要求2所述的多层磁性膜,其特征在于上述两个磁性膜夹着非磁性膜层叠。4.一种磁性膜的磁化反转方法,其特征在于在磁性膜的整个面上施加磁场的同时,在该磁性膜的一部分上局部地施加比上述磁场相对更强的磁场,由此,使该磁性膜的磁化方向朝向施加磁场的方向。5.根据权利要求4所述的磁性膜的磁化反转方法,其特征在于上述磁性膜是由至少两个磁性膜夹着非磁性膜层叠而成的。6.一种磁...
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