区段写入线结构制造技术

本发明专利技术系呈现一新颖的写入线区段结构，以写入磁阻式（ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）随机存取存储器（ＭＲＡＭ）。仅有在一被选择之区段中的存储单元会得到藉由一写入线电流所产生的一高硬轴磁场（ｈｉｇｈ　　ｈａｒｄ　　ａｘｉｓ　　ｆｉｅｌｄ），而不被选择之区段中的存储单元则不会接收到此硬轴磁场。此系可避免在特别敏感的存储单元中所不想要的状态改变。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术系一般而言相关于半导体存储装置，尤其系相关于用于磁阻式(magnetoresistive)随机存取存储器(random access memory)(MRAM)储存单元之写入线结构。
技术介绍
半导体装置系被用于广泛变化之电性的以及电子的应用中之集成电路，例如，计算机、行动电话、无线电以及电视，而一种特别型式的半导体装置是一半导体储存装置，例如，随机存取存储器(RAM)以及闪存。这些半导体储存装置乃是利用电荷来储存信息。半导体存储装置最近的发展系牵涉到自旋电子(spinelectronics)，其系结合了传统的半导体科技以及磁学。相较于使用一电荷来代表一二进元的“1”或“0”，在此则使用一电子的自旋以做为代表。一如此之自旋电子装置的例子是，一磁阻式随机存取存储器(MRAM)储存装置，其系包括彼此位于不同金属层且垂直放置的导线，而交叉的地方已知为交叉点(cross point)，在垂直之导线之间里系为一磁性堆叠，该磁性堆叠系置于该交叉点并被夹在该等导线之间。一流经该等导线其中之一的电流系包括围绕着该导线的一磁场，而该诱导产生的磁场系会排列(或定位)磁性堆叠中磁性双极的排列(本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁阻式（ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）随机存取存储器（ＭＲＡＭ）储存装置，其系具有一区段（ｓｅｇｍｅｎｔｅｄ）写入线结构，该ＭＲＡＭ储存装置系包括：复数ＭＲＡＭ存储单元，其系被配置为数区段；一第一主要字线，其系可利用 地址位而被译码出来，以选择一单一局部字线（ｌｏｃａｌｗｏｒｄｌｉｎｅ）；一第二主要字线，其系可利用地址位而被译码出来，以选择该单一局部字线；一返回线（ｒｅｔｕｒｎｌｉｎｅ），其系耦接至该单一局部字线；以及其中 ：该单一局部字线系耦接至该等ＭＲＡＭ存储单元的一区段；该第一以及该第二主...

【技术特征摘要】
US 2001-12-13 10/016,8591.一种磁阻式(magnetoresistive)随机存取存储器(MRAM)储存装置，其系具有一区段(segmented)写入线结构，该MRAM储存装置系包括复数MRAM存储单元，其系被配置为数区段；一第一主要字线，其系可利用地址位而被译码出来，以选择一单一局部字线(local wordline)；一第二主要字线，其系可利用地址位而被译码出来，以选择该单一局部字线；一返回线(return line)，其系耦接至该单一局部字线；以及其中该单一局部字线系耦接至该等MRAM存储单元的一区段；该第一以及该第二主要字线系被用于提供一所需强度之硬轴电流(hard axis current)，以用于排列该等MRAM存储单元；以及该返回线系被用于减弱用以排列磁性双极的该硬轴电流。2.根据权利要求第1项所述的MARM储存装置，其中该第一以及该第二主要字线的每一系负载相等于该硬轴电流之二分之一倍的一电流。3.根据权利要求第2项所述的MARM储存装置，其中该第一以及该第二主要字线之每一系拥有一第一端以及一第二端，以及其中电流系被施加至该第一以及该第二主要字线的每一端之上，并且，在该第一以及该第二主要字线之每一端的电流系相等于该硬轴电流的四分之一倍。4.根据权利要求第3项所述的MARM储存装置，其中施加至每一主要字线之每一端上的电流于叠加之后，系相等于该硬轴电流的二分之一倍。5.根据权利要求第1项所述的MARM储存装置，其中该第一以及该第二主要字线系选择性地被耦接至复数局部字线，并且，一组地址位系被用于译码该单一局部字线的选择。6.根据权利要求第5项所述的MARM储存装置，其中该硬轴电流系仅被施加至该单一局部字线。7.根据权利要求第5项所述的MARM储存装置，其中该复数局部字线中的每一字线系被耦接至该两主要字线。8.根据权利要求第1项所述的MARM储存装置，其中该返回线系被耦接至电性接地。9.根据权利要求第1项所述的MARM储存装置，其中该返回线系被耦接至一可变电压降。10.根据权利要求第1项所述的MARM储存装置，其中该返回线系被制造于一金属层之中。11.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：C安德特，S拉默斯，
申请(专利权)人：因芬尼昂技术股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]