存储器和存储器电路制造技术

使用磁阻随机存取存储器（ＭＲＡＭ）提供用于显示装置的像素内存储器电路。存储器电路（２５）包括两个ＭＲＡＭ（６０，６２），每一个均耦合至触发器电路（６４）的相应输入。显示装置（１）提供有包括各自与存储器电路（２５）相关的多个像素（２０）。其中一个ＭＲＡＭ为可切换ＭＲＡＭ（６０），另一ＭＲＡＭ为基准ＭＲＡＭ（６２），基准ＭＲＡＭ（６２）设置成提供基准，据此易于以差值的形式观察和测量可切换ＭＲＡＭ（６０）的改变状态。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及存储器和存储器电路，具体涉及用于显示装置的像素内存储器和像素内存储器电路。本专利技术还涉及形成这种存储器和存储器电路的方法。本专利技术特别适于，但不限于在主动矩阵液晶显示装置中设置像素内存储器电路。
技术介绍
已知的显示装置包括液晶、等离子体、聚合物发光二极管、有机发光二极管和场发射显示器。这类装置包括通常成行和列的像素阵列。在主动矩阵显示装置中，每个像素一般与一个或多个相应的开关装置如薄膜晶体管关联，以提供像素和开关装置阵列。在工作中，按照一种寻址机制对像素进行寻址，其中针对将要显示的每一帧，以指定待显示像素强度级的显示数据(例如视频)有规律地刷新每个像素。通常寻址机制在逐行的基础上选择像素，并在逐列的基础上提供各个强度级。显示装置领域中的一个发展方向是提供像素内存储器，从而为每个像素提供相应的存储装置，存储装置排列成与像素阵列相应的阵列。从而无需刷新即可显示静态图像，因而节省功率。这对于用于诸如移动电话、无绳电话、个人数字助理等便携式装置的显示装置而言尤其具有潜在的吸引力。已知使用静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM)电路作为这种像素内存本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器电路（２５），包括：可切换磁阻随机存取存储器，ＭＲＡＭ（６０）；基准ＭＲＡＭ（６２）；以及读出电路（６４）；所述可切换ＭＲＡＭ和基准ＭＲＡＭ均耦合到读出电路。

【技术特征摘要】
GB 2002-5-10 0210719.11.一种存储器电路(25)，包括可切换磁阻随机存取存储器，MRAM(60)；基准MRAM(62)；以及读出电路(64)；所述可切换MRAM和基准MRAM均耦合到读出电路。2.根据权利要求1所述的存储器电路，其中可切换MRAM(60)包括自由层(102)和钉扎层(106)，自由层的磁性取向可在分别基本上平行和反向平行于钉扎层磁性取向的两个方向之间切换；并且基准MRAM(62)包括自由层(102a)和钉扎层(106a)，所述自由层包括均基本上垂直于钉扎层磁性取向的两个磁性取向。3.根据权利要求2所述的存储器电路，其中可切换MRAM和基准MRAM的自由层(102，102a)由相同的沉积层形成，和/或可切换MRAM和基准MRAM的钉扎层(106，106a)由相同沉积层形成。4.根据权利要求1到3其中任何一个所述的存储器电路，其中读出电路为触发器电路。5.根据权利要求4所述的存储器电路，其中触发器电路包括两个输入，所述可切换MRAM(60)耦合到其中一个输入，所述基准MRAM(62)耦合到另一输入。6.一种显示装置，包括多个像素(20-23)和多个根据权利要求1到5其中任何一个所述的存储器电路，每个像素与相应一个存储器电路相关。7.一种用于显示装置的像素(20)和像素内存储器(25)，包括开关装置(24)；像素电极(27)；可切换MRAM(60)；基准MRAM(62)；以及位线(45)，该位线从开关装置延伸到像素电极；该位线横跨可切换MRAM的其中一端，并且处于基准MRAM的其中一端之上，但不横跨基准MRAM的该端。8.根据权利要求7所述的像素(20)和像素内存储器(25)，还包括在可切换MRAM和基准MRAM其中每一个的另一端下面延伸的字线(43)。9.根据权利要求8所述的像素和像素内存储器，还包括栅线(44)，用于驱动开关装置(24)，耦合至开关装置；并且其中，字线处于像素电极与栅线之间，从而位线从字线上经过，但不从栅线上经过...

【专利技术属性】
技术研发人员：PJ范德扎格，MJ爱德华兹，KMH伦森，
申请(专利权)人：皇家飞利浦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]