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本发明系呈现一新颖的写入线区段结构，以写入磁阻式（ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）随机存取存储器（ＭＲＡＭ）。仅有在一被选择之区段中的存储单元会得到藉由一写入线电流所产生的一高硬轴磁场（ｈｉｇｈ　　ｈａｒｄ　　ａｘｉｓ　　ｆｉｅｌｄ），而...
该专利属于因芬尼昂技术股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过因芬尼昂技术股份公司授权不得商用。

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