溅射沉积中硒化银膜化学计量和形态控制制造技术

一种溅射沉积硒化银并控制溅射沉积硒化银膜的化学计量比、结节缺陷形成和晶体结构的方法。该方法包括在约０．３－约１０ｍＴｏｒｒ的压力下，使用溅射沉积方法沉积硒化银。根据本发明专利技术的一个方面，优选在约２－约３ｍＴｏｒｒ的压力下使用ＲＦ溅射沉积方法。根据本发明专利技术的另一个方面，优选在约４－约５ｍＴｏｒｒ的压力下使用脉冲ＤＣ溅射沉积方法。根据本发明专利技术的另一个方面，可以在约１０ｍＴｏｒｒ的压力和小于约２５０Ｗ的溅射功率下溅射沉积含α－和β－硒化银的硒化银膜。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及使用硫属玻璃形成的电阻可变存储器件领域，特别涉及一种将硒化银膜沉积在硫属玻璃上的改进方法。
技术介绍
与目前使用的存储技术相比，由于在开关特性、不挥发性、存储速度、可靠性、热特性和耐用性方面有潜在的优点，所以将硫属化物材料用于电阻可变存储器件在目前引起极大的关注。在下面的论文中报道了此领域中的研究“High Speed Memory Behavior and Reliabilityof an Amorphous As2S3Film doped with Ag”，Hirose等人，Phys.Stat.Sol.(1980)，第K187-K190页；“Polarity-dependent memoryswitching and behavior of Ag dendrite in Ag-photodoped amorphousAs2S3films”，Hirose等人，Journal of applied Physics，第47卷，No.6(1976)，第2767-2772页；和“Dual Chemical Role of Ag as anAdditive in Chalco本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种沉积硒化银的方法，包括：在溅射沉积室中提供硒化银溅射靶；将溅射气体引入所述室中，其中将所述溅射气体保持在约０．３－约１０ｍＴｏｒｒ的压力下；和在所述靶上进行溅射工艺，从而制造沉积的硒化银膜。

【技术特征摘要】
US 2002-8-29 10/230,2791.一种沉积硒化银的方法，包括在溅射沉积室中提供硒化银溅射靶；将溅射气体引入所述室中，其中将所述溅射气体保持在约0.3-约10mTorr的压力下；和在所述靶上进行溅射工艺，从而制造沉积的硒化银膜。2.权利要求1的方法，其中所述沉积的硒化银膜具有的银浓度约等于所述硒化银靶的银浓度。3.权利要求2的方法，其中所述硒化银靶具有约66.7％的银浓度。4.权利要求3的方法，其中所述沉积硒化银膜具有小于约67.5％的银浓度。5.权利要求3的方法，其中所述沉积硒化银膜具有约67％的银浓度。6.权利要求3的方法，其中所述沉积硒化银膜具有约66.7％的银浓度。7.权利要求2的方法，其中所述硒化银膜基本上没有结节缺陷。8.权利要求1的方法，其中所述溅射沉积方法是RF溅射沉积方法。9.权利要求8的方法，其中所述溅射压力为约2-约3mTorr。10.权利要求1的方法，其中使用约100-约500瓦的溅射功率进行所述溅射沉积。11.权利要求10的方法，其中所述功率为约150瓦。12.权利要求8的方法，其中使用约100kHz-约20MHz的频率进行所述沉积方法。13.权利要求12的方法，其中所述频率约为13.5MHz。14.权利要求1的方法，其中所述溅射沉积方法是脉冲DC溅射沉积方法。15.权利要求14的方法，其中所述压力为约4-约5mTorr。16.权利要求14的方法，其中使用约100-约250kHz的频率进行所述沉积方法。17.权利要求16的方法，其中所述频率约为200kHz。18.权利要求14的方法，其中使用约1000-约1200ns的脉冲宽度进行所述溅射沉积方法。19.权利要求18的方法，其中所述脉冲宽度约为1056ns。20.一种控制溅射沉积硒化银膜的化学计量比的方法，包括使用约0.3-约10mTorr的溅射沉积压力溅射沉积具有预定银浓度的硒化银膜；和在沉积所述硒化银膜的同时，在所述范围内改变所述溅射沉积压力。21.权利要求20的方法，其中所述硒化银膜具有小于约67.5％的银浓度。22.权利要求21的方法，其中所述硒化银膜具有约67％的银浓度。23.权利要求21的方法，其中所述硒化银膜具有约66.7％的银浓度。24.权利要求21的方法，其中所述硒化银膜基本上没有结节缺陷。25.权利要求20的方法，其中使用约100-约300瓦的功率进行所述溅射沉积。26.权利要求25的方法，其中所述功率约为150瓦。27.权利要求20的方法，其中使用RF溅射沉积方法进行所述溅射沉积。28.权利要求27的方法，其中使用约100kHz-约20MHz的频率进行所述RF溅射沉积方法。29.权利要求28的方法，其中所述频率约为13.5MHz。30.权利要求20的方法，其中使用脉冲DC溅射沉积方法进行所述溅射沉积。31.权利要求30的方法，其中使用约100-约250kHz的频率进行所述脉冲DC溅射沉积方法。32.权利要求31的方法，其中所述频率约为200kHz。33.权利要求30的方法，其中使用约1000-约1200ns的脉冲宽度进行所述脉冲DC溅射沉积方法。34.权利要求33的方法，其中所述脉冲宽度约为1056ns。35.一种沉积硒化银的方法，包括提供银浓度约为66.7％的硒化银溅射靶，保持约0.3-约10mTorr的溅射沉积压力；和在所述硒化银溅射靶上进行RF溅射方法，其中所述RF溅射方法形成沉积的硒化银膜。36.权利要求35的方法，其中所述硒化银膜具有小于约67.5％的银浓度。37.权利要求35的方法，其中所述硒化银膜具有约67％的银浓度。38.权利要求35的方法，其中所述硒化银膜基本上没有结节缺陷。39.权利要求35的方法，其中所述压力为约2-约3mTorr。40.权利要求35的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李久滔，K哈姆普顿，A麦克特尔，
申请(专利权)人：微米技术有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]