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一种溅射沉积硒化银并控制溅射沉积硒化银膜的化学计量比、结节缺陷形成和晶体结构的方法。该方法包括在约０．３－约１０ｍＴｏｒｒ的压力下，使用溅射沉积方法沉积硒化银。根据本发明的一个方面，优选在约２－约３ｍＴｏｒｒ的压力下使用ＲＦ溅射沉积方法。根...
该专利属于微米技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过微米技术有限公司授权不得商用。

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