【技术实现步骤摘要】
含有溅射沉积钝化层的光伏器件及其生产方法和生产设备 专利
本专利技术涉及生产光伏器件(photovoltaic device)的方法及实现该方法 的设备和由此生产出来的光伏器件。
技术介绍
由于对环境污染的担心和对能耗的关注，光伏器件(也称为太阳能电 池)越来越引起人们的兴趣。太阳能电池或光伏器件能够从射到它上面的 太阳光产生电能。对于一定量的射到太阳能电池上的光，产生的能量越 多，则太阳能电池效率越高。因此，提高光伏器件的效率是一个普遍的目 标。太阳能电池至少包括两个不同导电类型的半导体区域而形成一个半导 体单元。绝大多数太阳能电池包括由硅制成的具有n掺杂区域和p掺杂区 域的半导体单元。在具有n型导电性的n掺杂区域和具有p型导电性的p 掺杂区域的界面处形成半导体结，在此由光照产生的正电荷载流子和负电 荷载流子被分开。临近p-n结的区域也可以被设计成发射极和基极。电荷 载流子可通过与发射极和基极相连的金属触点被导出，从而产生电能。太阳能电池的电损耗的一个来源是电荷载流子在半导体材料表面处和 界面处(例如晶界)的重新结合。为了提高太阳能电池的效率，现有技术已知的方法...
【技术保护点】
一种生产包括至少一个半导体单元的光伏器件的方法，包括如下步骤： 通过刻蚀来清洗所述半导体单元的至少一个表面； 在基本上无氧或贫氧的环境中干燥所述半导体单元的所述至少一个表面；以及 在所述至少一个表面上沉积钝化层。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：罗兰特拉斯里，斯万斯拉莫，温弗瑞德沃尔克，詹凯特欧，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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