【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及存储器，尤其涉及一种具备用于对存储器单元进行重新写入的更新部的存储器。
技术介绍
以往，公知在强电介质存储器中，当相对包含强电介质电容器的存储器单元的读出动作后所进行的重新写入动作及写入动作时，因为对所选择的字线以外的字线上连接的存储器单元施加规定的电压，故强电介质电容器的极化量减少，从而导致数据消失的干扰(disturb)现象。为了抑制这种干扰，以往公知一种强电介质存储器，其包括更新部，所述更新部按照对包含强电介质电容器的存储器单元进行重新写入(更新动作)的方式进行控制。在这种以往的强电介质存储器中，当对全部的存储器单元的访问次数达到规定次数时，通过使用更新部对全部的存储器单元强制地顺次进行更新动作，可以抑制由于强电介质电容器的极化量的减少而引起的干扰的发生。但是，在上述以往的强电介质存储器中，会出现如下的不良情况由于对全部的存储器单元顺次进行更新动作，所以，已经进行了更新动作的存储器单元，直至对其他的全部存储器单元的更新动作结束为止，一直会受到因对其他的存储器单元的更新动作而产生的干扰。由此，在更新动作时会发生存储器单元所受到的干扰次数变多的...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种存储器，包括存储器单元阵列，其包括分别具有多个非易失性存储器单元的多个存储器单元块；第一次数检测部，其检测出对所述多个存储器单元块的每一个的访问次数；比较电路，其将由所述第一次数检测部检测出的对所述多个存储器单元块的每一个的访问次数进行比较；和更新部，其按照基于从所述比较电路输出的比较数据，选择所述多个存储器单元块中的规定的所述存储器单元块，并且，对所选择的所述存储器单元块中包含的所述存储器单元优先进行重新写入的方式进行控制。2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述比较电路检测出所述多个存储器单元块中访问次数最多的所述存储器单元块，所述更新部按照对所述访问次数最多的存储器单元块中包含的所述存储器单元优先进行重新写入的方式进行控制。3.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述比较电路检测出对所述多个存储器单元块的每一个的访问次数多的顺序，所述更新部，按照基于从所述比较电路输出的顺序数据，选择所述多个存储器单元块中的规定的所述存储器单元块，并且，对所选择的所述存储器单元块中包含的所述存储器单元优先进行重新写入的方式进行控制。4.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，由所述更新部控制的重新写入与访问动作一并进行。5.根据权利要求4所述的存储器，其特征在于，所述更新部，按照在所述多个存储器单元块中的进行所述访问动作的存储器单元块以外的存储器单元块中，对访问次数最多的存储器单元块中包含的所述存储器单元优先进行重新写入的方式，进行控制。6.根据权利要求5所述的存储器，其特征在于，所述更新部，按照在对所述多个存储器单元块中的访问次数最多的存储器单元块进行所述访问动作的情况下，所述更新部对所述多个存储器单元块中的访问次数第二多的存储器单元块中包含的存储器单元进行重新写入的方式，进行控制。7.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，由所述更新部控制的重新写入在不进行访问动作的期间进行。8.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，在1个循环的期间中，进行由所述更新部控制的重新写入和访问动作这两方。9.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，进行由所述更新部控制的重新写入的所述存储器单元块，在进行由所述更新部控制的重新写入的每个期间，基于从所述比较电路输出的比较数据，由所述更新部选择。10.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于...
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