多端口半导体存储器件及其信号输入/输出方法技术

提出了一种多端口半导体存储器件及其信号输入／输出方法。在一个实施例中，多端口半导体存储器件包括多个不同输入／输出端口和存储阵列。所述存储阵列具有可以通过使用不同输入／输出端口进行存取的至少一个存储区域。所述不同输入／输出端口包括：第一输入／输出端口，通过所述第一输入／输出端口输入／输出第一信号；以及第二输入／输出端口，通过所述第二输入／输出端口输入／输出与第一信号不同的第二信号。将存储区域分成多个存储区域。本发明专利技术提供了减少测试管脚的数目以及改善测试效率的效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种多端口半导体存储器件，具体地，涉及一种，其中，根据所述器件操作于正常模式还是测试模式来使用不同的信号输入/输出端口。
技术介绍
多数半导体存储器件，包括RAM(随机存取存储器)，具有一个包括多个输入/输出管脚组的输入/输出端口以与外部处理器通信。图1是根据传统技术的、示出了存取路径的半导体存储器件的方框图，并且具体地示出了在具有四个存储体和单独的输入/输出端口的传统半导体存储器件中的存取路径。如图1所示，传统半导体存储器件包括具有四个存储体10a、10b、10c和10d的存储阵列10；以及单独的输入/输出端口20。可以将输入/输出端口20设置作为在半导体存储器件和外部处理器之间的命令信号、地址信号、数据信号和其他信号等的输入/输出路径。将组成存储阵列10的所有存储体10a、10b、10c和10d配置成通过一个输入/输出端口20来进行存取。在图1中，箭头表示存取路径。此种具有一个端口的传统半导体存储器件具有在存取速度或存取效率方面的问题。例如，在图1中，在第一操作中在A存储体10a中存储第一数据、并且在与第一操作不同的第二操作中从B存储体10b中读出第二数据的情况下，必须在单独的时间间隔执行所述操作。即，执行第一操作然后执行第二操作，反之亦然，这要求至少一个附加时间间隔，并且阻碍了可能的高速和高效操作。为了解决此问题，在1998年9月2日授权的美国专利No.5,815,456提出了一种多端口半导体存储器件作为传统多端口半导体存储器件的示例，其中通过多个处理器执行通信。因此，在该多端口半导体存储器件中，可以通过多个输入/输出端口对存储单元进行存取。然而，在此以及其他传统多端口半导体存储器件中，在硬件中预先确定了输入/输出端口和存储区域(例如，存储体)之间的存取路径，因此使其难以改变结构，例如在操作模式和测试模式之间改变结构以测试半导体存储器件。具体地，当不存在测试装备的测试管脚以测试半导体存储器件时，不能执行所述测试。而且，即使存在测试管脚，因为预先确定了存取路径，从而要求测试通过预先确定的输入/输出端口单独地执行，这可能降低测试效率。
技术实现思路
本专利技术的一些实施例提出了一种，其中可以基于所需器件模式来选择性地使用所述信号输入/输出端口，从而增加了测试效率。在这些实施例中，可以通过不同的输入/输出端口输入和/或输出地址信号和数据信号以对所需存储区域进行存取。根据本专利技术一些实施例的半导体存储器件包括多个不同的输入/输出端口和存储阵列，所述存储阵列具有通过使用不同的输入/输出端口进行存取的至少一个存储区域。换句话说，所述器件可以包括第一输入/输出端口，通过所述第一输入/输出端口输入/输出第一信号；和/或第二输入/输出端口，通过所述第二输入/输出端口输入/输出与第一信号不同的第二信号。附图说明根据参考附图的以下描述，本专利技术典型实施例的以上和其他特征将变得容易明白，其中图1是根据传统技术的、示出了存取路径的半导体存储器件的方框图；图2是根据本专利技术实施例的、示出了第一模式中的存取路径的半导体存储器件的方框图；图3是根据本专利技术另一个实施例的、示出了第二模式中的存取路径的半导体存储器件的方框图；图4示出了具有如图2和图3所示的存储路径的半导体存储器件的示例；图5示出了如图4所示的端口控制器的示例；图6和图7示出了如图4所示的第一和第二命令信号产生器的示例；以及图8示出了根据另一个实施例的、具有如图2和图3所示的存取路径的半导体存储器件的示例。具体实施例方式现在将参考附图更加全面地描述本专利技术的实施例，附图中示出了本专利技术的实施例。然而，本专利技术可以具体实现为许多不同的形式，并且不应该解释为局限于这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例，使得该公开将全面且完整，并且将向本领域的普通技术人员全面地转达本专利技术的范围。除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本专利技术所属领域的普通技术人员通常所理解的相同意义。还应该理解的是，这里使用的术语应该被解释为具有与在本说明书以及相关领域中的意义一致的含义，并且除非在此清楚地定义，否则不会被解释为理想化或过于刻板的理解。下面将参考图2至图8更加全面地描述本专利技术的典型实施例。然而，如上所述，本专利技术可以具体实现为许多不同的形式，并且不应该解释为局限于这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例，使得该公开将全面且完整，并且将向本领域的普通技术人员全面地转达本专利技术的范围。例如，以下描述将仅提供根据本专利技术的一些实施例的具有两个输入/输出端口的多端口半导体存储器件，但是本领域的普通技术人员应该理解，本专利技术可以应用于根据本专利技术的一些实施例的具有两个或两个以上的输入/输出端口的多端口半导体存储器件。根据本专利技术的一些实施例的多端口半导体存储器件可以基于相应的第一和第二模式，具有不同的操作。下面将参考图2和图3描述其实施例。图2是根据本专利技术实施例的、示意性地示出了第一模式中的存取操作的多端口半导体存储器件的方框图。第一模式在这里可以表示包括一般半导体存储器件中的正常操作模式。正常操作模式可以包括从半导体存储器件的存储单元中读出数据的操作，或向存储单元中写入数据的操作。如图2所示，根据本专利技术的一些实施例的多端口半导体存储器件可以包括存储阵列110、第一输入/输出端口120a、和第二输入/输出端口120b。可以将存储阵列110分成多个不同存储区域。将在该实施例中示出的存储阵列110表示为由四个存储体110a、110b、110c和110d构成。然而，可以存在额外的或更少的存储体。在正常操作模式中，这里称作第一模式，可以将存储体110a、110b、110c和110d中的第一存储区域112中的A存储体110a和B存储体110b确定为仅由通过第一输入/输出端口120a输入的信号来存取。可以将第二存储区域114中的C存储体110c和D存储体110d确定为仅由通过第二输入/输出端口120b输入的信号来存取。将通过第一输入/输出端口120a输入的命令信号，例如RAS(行选通信号、CAS(列选通信号)、WE(写使能)，通过在第一存储区域112和第一输入/输出端口120a之间设置的第一命令路径PA_C1，传输到半导体存储器件的内部(例如，外围区域)。通过第一输入/输出端口120a输入的命令信号可以是读出在第一存储区域112中存储的数据、或在其中写入数据、或用于其他控制的信号。将通过第一输入/输出端口120a输入的地址信号，通过在第一存储域112和第一输入/输出端口120a之间设置的第一地址路径PA_A1，传输到半导体存储器件的内部(例如，外围区域)，以从第一存储区域112中选择存储单元。将通过第一输入/输出端口120a输入的数据通过第一数据路径PA_D1存储在第一存储区域112之内的存储单元中。类似地，将在第一存储区域112之内的存储单元中存储的数据，通过第一数据路径PA_D1和第一输入/输出端口120a输出。另外，针对通过第二输入/输出端口120b输入/输出的命令信号、地址信号和数据的操作以类似的方式实现。即，将通过第二输入/输出端口120b输入的命令信号，通过在第二存储区域114和第二输入/输出端口120b之间设置的第二命令路径PA_C2，传输到半导体存储器件的内部(例如，外围区域)。通本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体存储器件，包括：多个输入／输出端口；以及存储阵列，包括多个存储区域，其中通过使用第一输入／输出端口和第二输入／输出端口来对至少一个存储区域进行存取，其中将第一信号从所述第一输入／输出端口进行输入／输出，以及将与第一 信号不同的第二信号从第二输入／输出端口进行输入／输出。

【技术特征摘要】
KR 2006-2-21 2006-00166071.一种半导体存储器件，包括多个输入/输出端口；以及存储阵列，包括多个存储区域，其中通过使用第一输入/输出端口和第二输入/输出端口来对至少一个存储区域进行存取，其中将第一信号从所述第一输入/输出端口进行输入/输出，以及将与第一信号不同的第二信号从第二输入/输出端口进行输入/输出。2.如权利要求1所述的器件，其中，所述第一信号是地址和/或命令信号，以及所述第二信号是数据信号。3.如权利要求2所述的器件，其中，所述半导体存储器件是具有第一输入/输出端口以及与第一输入/输出端口不同的第二输入/输出端口的双端口半导体存储器件。4.如权利要求3所述的器件，其中，存储阵列包括第一存储区域和第二存储区域，所述第一存储区域在第一和第二模式中根据通过第一输入/输出端口输入/输出的地址信号、命令信号、和数据来进行存取；所述第二存储区域在第一模式中根据通过第二输入/输出端口输入/输出的地址信号、命令信号、和数据来进行存取，和/或在第二模式中根据通过第一输入/输出端口输入的地址信号和命令信号、以及通过第二输入/输出端口输入/输出的数据来进行存取。5.如权利要求4所述的器件，其中，所述第一模式是正常操作模式，以及所述第二模式是测试操作模式。6.如权利要求4所述的器件，其中，为了在第一模式和/或第二模式中对第一存储区域进行存取，通过第一输入/输出端口输入的地址信号和命令信号与通过第一输入/输出端口输入的时钟信号同步。7.如权利要求6所述的器件，其中，为了对第二存储区域进行存取，在第一模式中，通过第二输入/输出端口输入的地址信号和命令信号与通过第二输入/输出端口输入的时钟信号同步；以及在第二模式中，通过第一输入/输出端口输入的地址信号和命令信号与通过第一输入/输出端口输入的时钟信号同步。8.如权利要求6所述的器件，其中，为了对第二存储区域进行存取，在第一模式中，通过第二输入/输出端口输入的地址信号和命令信号与通过第二输入/输出端口输入的时钟信号同步；以及在第二模式中，通过第一输入/输出端口输入的地址信号和命令信号与通过第二输入/输出端口输入的时钟信号同步。9.一种半导体存储器件，包括多个不同的输入/输出端口；存储阵列，包括多个存储区域；以及端口控制器，用于执行控制，使得在特定模式中，通过输入/输出端口中的一个共享输入/输出端口来输入/输出用于对所有存储区域进行存取的所有地址信号和/或命令信号；以及通过不同的输入/输出端口来输入/输出响应于地址信号和/或命令信号而输入/输出的数据信号。10.如权利要求9所述的器件，其中在数据信号中，用于相同存储区域内部的读或写的数据信号通过相同的输入/输出端口来输入/输出。11.如权利要求10所述的器件，其中，所述特定模式是测试操作模式。12.如权利要求11所述的器件，其中，所述半导体存储器件是具有第一输入/输出端口以及与第一输入/输出端口不同的第二输入输出端口的双端口半导体存储器件。13.如权利要求12所述的器件，其中，存储阵列包括第一存储区域和第二存储区域，在测试模式中，所述第一存储区域根据通过第一输入/输出端口输入/输出的地址信号、命令信号、和数据来进行存取；所述第二存储区域根据通过第一输入/输出端口输入/输出的地址信号和命令信号、以及通过第二输入/输出端口输入/输出的数据来进行存取。14.如权利要求13所述的器件，其中，为了对第一存储区域进...

【专利技术属性】
技术研发人员：安孝珠，金南钟，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]