非挥发性记忆体阵列制造技术

本发明专利技术有关于一种非挥发性记忆体阵列，包括Ｎ条位元线、Ｍ条第一字元线、Ｍ×Ｎ个第一记忆胞、一第二字元线、Ｎ个第二记忆胞、一感测放大器、Ｎ个第一电晶体、Ｎ个第二电晶体以及一致能线，其中Ｍ及Ｎ为自然数。第二记忆胞以及第一电晶体用以控制相应位元线与感测放大器间开路与否，第二电晶体以及致能线则用以控制非挥发性记忆体阵列测试结果的写入。本发明专利技术能够在第一次晶圆测试阶段将功能错误的位元线与感测放大器之间形成开路，以省略激光锻烧以及二次晶圆测试的步骤。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种非挥发性记忆体阵列，特别是涉及一种无热熔丝的非 挥发性记忆体阵列。
技术介绍
10 非挥发性记忆元件，例如快闪记忆体，包括一可以储存电荷的悬浮闸极以及电荷出入控制单元。快闪记忆体可以应用在电脑中的基本输出入系统(BI0S)，高密度非挥发性记忆体阵列的应用范围则包括可携式终端设备 中的大容量记忆装置、固态相机以及个人电脑的界面卡等。非挥发性记忆 体阵列具有许多优点，例如快速存取时间、低功率损耗且强固耐用。非挥15 发性记忆体阵列在制造完成后需经过测试，对于有瑕疯的记忆单元，必须加以修复或隔离，以避免影响到整个非挥发性记忆体阵列。现有的非挥发性记忆体阵列如图1所示。如图1所示，非挥发性记忆体阵列包括感测放大器101、金属熔丝103、位元线105、第一字元线111以及记忆胞113。其中，每一位元线105均经由一金属熔丝103而和感测放 20大器101电性连接。字元线111和位元线105交错排列并经由位先线105和字元线111来控制记忆胞113。由于每一条位元线的架构均相同，现以位元线105a及其相应的电路为范例作说明。由图l可知，位元线105a、经由金属熔丝103a和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非挥发性记忆体阵列，其特征在于至少包括：Ｎ条位元线及Ｍ条第一字元线成交错排列以控制Ｍ×Ｎ个第一记忆胞，其中Ｍ及Ｎ为自然数；一第二字元线跨过该些位元线；Ｎ个修复电路；以及一感测放大器，其中每一该些修复电路电性连接一位元线、该第二字元线及该感测放大器。

【技术特征摘要】
1、一种非挥发性记忆体阵列，其特征在于至少包括N条位元线及M条第一字元线成交错排列以控制M×N个第一记忆胞，其中M及N为自然数；一第二字元线跨过该些位元线；N个修复电路；以及一感测放大器，其中每一该些修复电路电性连接一位元线、该第二字元线及该感测放大器。2、根据权利要求1所述的非挥发性记忆体阵列，其特征在于其中所述的每一个修复电路，至少包括 一第二记忆胞；一第 一电晶体，该第 一电晶体的源/汲极分别电性连接该位元线以及该 感测放大器，该第一电晶体的闸极则电性连接该第二记忆胞；以及 15 —第二电晶体，该第二电晶体的第一源/汲极分别电性连接该第二记忆月包、该第一电晶体闸极，该第二电晶体的第二源/汲极电性连接该感测放大器。3、根据权利要求2所述的非挥发性记忆体阵列，其特征在于其中所述 的第二记忆胞为储存元件。4 、根据权利要求3所述的非挥发性记忆体阵列，其特征在于其中所述的储存元件至少包括一第三电晶体以及一储存电容，该第二字元线连接至 每一该些第三电晶体闸极。5、 根据权利要求2所述的非挥发性记忆体阵列，其特征在于其更包括 至少一条致能线，连接于该些第二电晶体闸极，用以控制该非挥发性记忆25 体阵列测试结果的写入。6、 根据权利要求5所述的非挥发性记忆体阵列的除错方法，其特征在 于其包括如下步骤关闭该些第一电晶体及该些第二电晶体；自该第二字元线写入一第一电位在...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈德威，
申请(专利权)人：慧荣科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]