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本发明有关于一种非挥发性记忆体阵列，包括Ｎ条位元线、Ｍ条第一字元线、Ｍ×Ｎ个第一记忆胞、一第二字元线、Ｎ个第二记忆胞、一感测放大器、Ｎ个第一电晶体、Ｎ个第二电晶体以及一致能线，其中Ｍ及Ｎ为自然数。第二记忆胞以及第一电晶体用以控制相应位元线与...
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