双向移位寄存器组的开关组制造技术

本发明专利技术公开了一种用于双向移位寄存电路的开关组包含多个开关装置，每个开关装置都有对应的控制信号，用以根据该移位寄存电路于顺向或逆向的状态进行操作，其中一个开关装置包含第一开关单元及第二开关单元，该第一开关单元可根据第一控制信号将前一级移位寄存信号传送至一移位寄存器，该第二开关单元可根据第二控制信号将下一级移位寄存信号送至该移位寄存器。第一控制信号与第二控制信号与该移位寄存电路的频率相同。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种双向移位寄存器组的开关组，尤其涉及一种利用频率信号 来控制的双向移位寄存器组的开关组。
技术介绍
请参考图l，图1为现有技术双向移位寄存器电路的示意图。如图所示，双向移位寄存器电路100包含移位寄存器组110及开关组120。移位寄存器组 110包含移位寄存器SR,、 S&以及SR3。开关组120包含开关装置SWh SW2及 SW3。移位寄存器SR SR3为1对1的移位寄存器，也就是说移位寄存器SR SR3仅接收前一级或后一级移位寄存器所输出的信号，以作为其所需的输入信 号。例如，移位寄存器SR2仅接收移位寄存器SRi所输出的移位寄存信号SRC), 或移位寄存器SR3所输出的移位寄存信号SR03。移位寄存器SRi SR3包含第一 输入端15、第二输入端16以及第三输入端17，第一输入端Is是用来接收移位 寄存信号，第二输入端16(频率输入端)是用来接收一频率信号，第三输入端 17(频率输入端)则是用来接收该频率信号的反相频率信号。移位寄存器S仏 SR3根据频率信号及该频率信号的反相频率信号来对所接收的移位寄存信号执 行取样与触发来输出移位寄存信号。移位寄存器组110以调整频率信号CLK 及XCLK来控制移位寄存器S^ SR3传送移位寄存信号的方向。频率信号XCLK 为频率信号CLK的反相。例如，当移位寄存器组110设定为顺向时，则在每个 移位寄存器SRi SR3的第二输入端16输入频率信号CLK、第三输入端17输入频 率信号XCLK，如此便能达到顺向传送移位寄存信号的效果。反过来说，移位 寄存器组110设定为逆向时，则在每个移位寄存器SR, SR3的第二输入端16 输入频率信号XCLK、第三输入端17输入频率信号CLK，如此便能达到逆向传 送移位寄存信号的效果。请继续参考图1。开关装置3\^1用以控制移位寄存器31^的输入信号31^1。 开关装置S仏包含三个控制端d、 C2、 C3、两个输入端L、 12以及两个输出端(X、 02和两个开关单元CMu、 CM12。开关装置SWt的控制端d用以接收控制信号VBD，控制端C2用以接收控制信号XBD，控制端C3用以接收该控制信号VBD。 开关装置SW,的输入端L用以接收一开始信号ST，输入端12耦接于移位寄存 器SR2的输出端03用以接收移位寄存信号SR02。开关装置SWi的输出端(X与02 都耦接于移位寄存器SK的输入端15，以作为移位寄存器的输入信号SRL。开 关单元CMn和CMi2可为任何能执行开关功能的元件，例如可以用互补金属氧化 半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor, CMOS)晶体管来实现， 而CMOS晶体管包含两个开关，其中一个开关以P型金属氧化半导体晶体管来 实现，另一开关则以N型金属氧化半导体晶体管。如图所示，开关单元CMU 的P型金氧半导体晶体管的第一端耦接于输入端L，第二端耦接于输出端Oi， 控制端耦接于控制端C1;开关单元CMU的N型金氧半导体晶体管的第一端耦接 于输入端L，第二端耦接于输出端Oi，控制端耦接于控制端C2。开关单元CMi2 的P型金氧半导体晶体管的第一端耦接于输入端I2，第二端耦接于输出端02， 控制端耦接于控制端C2;开关单元CMu的N型金氧半导体晶体管的第一端耦接 于输入端12，第二端耦接于输出端02，控制端耦接于控制端C3。请继续参考图1。开关装置SW2用以控制移位寄存器SR2的输入信号SR工2。 开关装置SW2包含三个控制端d、 C2、 C3、两个输入端L、 12以及两个输出端 Oh 02和两个开关单元CM^ CM22。开关装置SW2的控制端d用以接收控制信号 VBD，控制端C2用以接收控制信号XBD，控制端C3用以接收该控制信号VBD。 开关装置SW2的输入端L耦接于移位寄存器SRi的输出端03用以接收移位寄存 信号S肌，输入端12耦接于移位寄存器SR3的输出端03用以接收移位寄存信号 SR03。开关装置SW2的输出端0i与02都耦接于移位寄存器SR2的输入端l5，以 作为移位寄存器的输入信号SRI2。开关单元CM21、 CM22可为任何能执行开关功 能的元件，例如可以用CMOS晶体管来实现，而CMOS晶体管包含二个开关，其 中一个开关以P型金属氧化半导体晶体管来实现，另一开关则为N型金属氧化 半导体晶体管。如图所示，开关单元CM^的P型金氧半导体晶体管的第一端耦 接于输入端L，第二端耦接于输出端0i，控制端耦接于控制端C1;开关单元 CM21的N型金氧半导体晶体管的第一端耦接于输入端L，第二端耦接于输出端 (X，控制端耦接于控制端C2。开关单元CM22的P型金氧半导体晶体管的第一端 耦接于输入端12，第二端耦接于输出端02，控制端耦接于控制端C2;开关单元CMm的N型金氧半导体晶体管的第一端耦接于输入端12，第二端耦接于输出端 02，控制端耦接于控制端C3。请继续参考图1。开关装置SW3用以控制移位寄存器SR3的输入信号SRl3。 开关装置SW3包含三个控制端d、 C2、 C3、两个输入端L、 12以及两个输出端02和两个开关单元CM^ CM32。开关装置SW3的控制端d用以接收控制信号 VBD，控制端C2用以接收控制信号XBD，控制端C3用以接收该控制信号VBD。 开关装置SW3的输入端L耦接于移位寄存器SR2的输出端0用以接收移位寄 存信号SR02，输入端12用以接收开始信号ST。开关装置SW3的输出端0,与02 都耦接于移位寄存器SR3的输入端15，以作为移位寄存器的输入信号SRI3。开 关单元CM^和CM32可为任何能执行开关功能的元件，例如可以用CMOS晶体管 来实现，而CMOS晶体管包含两个开关，其中一个开关以P型金属氧化半导体 晶体管来实现，另一开关则是N型金属氧化半导体晶体管。开关单元CM^的P 型金氧半导体晶体管的第一端耦接于输入端L，第二端耦接于输出端O控制 端耦接于控制端C1;开关单元CM31的N型金氧半导体晶体管的第一端耦接于输 入端Iu第二端耦接于输出端O控制端耦接于控制端C2。开关单元CM32的P 型金氧半导体晶体管的第一端耦接于输入端12，第二端耦接于输出端02，控制 端耦接于控制端C2;开关单元CM32的N型金氧半导体晶体管的第一端耦接于输 入端12，第二端耦接于输出端02，控制端耦接于控制端C3。当移位寄存器电路100处于顺向操作状态时，开关组120的控制信号VBD 设为第一电压准位(高准位)，控制信号XBD设为第二电压准位(低电位)。如此 一来，开关装置SWi中的开关单元CMu将被导通，开关单元CMi2将被关闭，而 将开始信号ST传送至移位寄存器SRi的输入端Is以作为输入信号SRI1;开关 装置SW2中的开关单元CMn将被导通，开关单元CM22将被关闭，而将移位寄存 信号SR0i传送至移位寄存器SR2的输入端Is以作为输入信号SRI2;开关装置 SW3中的开关单元CM^将被导通，开关单元CM32将被关闭，而将移位寄存信号 SR02传送至移位寄存器SR3的输入端15以作为输入信号SRI3。反的，当移位寄存器电路100处于逆向操作状态时，开关组120的控制信 号VBD设为该第二电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于双向移位寄存器组的开关组，该移位寄存器组包含一第一移位寄存器、一第二移位寄存器，以及一第三移位寄存器，该第二移位寄存器耦接于该第一移位寄存器，该第三移位寄存器耦接于该第二移位寄存器，该移位寄存器组根据一第一频率信号及该第一频率信号的反相信号依序传送移位寄存信号，该开关组包含：一第一开关装置，包含：一第一控制端，用以接收一第二频率信号；一第二控制端，用以接收该第二频率信号的反相信号；一第三控制端，用以接收该第二频率信号；一第一输入 端，用以接收一开始信号；一第二输入端，耦接于该第二移位寄存器的一输出端；一第一输出端，耦接于该第一移位寄存器的一输入端，用以于该第二频率信号位于一第一准位时，将该第一开关装置的该第一输入端与该第一移位寄存器的该输入端耦接；及 一第二输出端，耦接于该第一移位寄存器的该输入端，用以于该第二频率信号的反相信号位于该第一准位时，将该第一开关装置的该第二输入端与该第一移位寄存器的该输入端耦接；一第二开关装置，包含：一第一控制端，用以接收该第二频率信 号的反相信号；一第二控制端，用以接收该第二频率信号；一第三控制端，用以接收该第二频率信号的反相信号；一第一输入端，耦接于该第一移位寄存器的该输出端；一第二输入端，耦接于该第三移位寄存器的一输出端；一第 一输出端，耦接于该第二移位寄存器的一输入端，用以于该该第二频率信号的反相信号位于该第一准位时，将该第二开关装置的该第一输入端与该第二移位寄存器的该输入端耦接；及一第二输出端，耦接于该第二移位寄存器的该输入端，用以于该第二频率信号位于 该第一准位时，将该第二开关装置的该第二输入端与该第二移位寄存器的该输入端耦接。...

【技术特征摘要】
1.一种用于双向移位寄存器组的开关组，该移位寄存器组包含一第一移位寄存器、一第二移位寄存器，以及一第三移位寄存器，该第二移位寄存器耦接于该第一移位寄存器，该第三移位寄存器耦接于该第二移位寄存器，该移位寄存器组根据一第一频率信号及该第一频率信号的反相信号依序传送移位寄存信号，该开关组包含一第一开关装置，包含一第一控制端，用以接收一第二频率信号；一第二控制端，用以接收该第二频率信号的反相信号；一第三控制端，用以接收该第二频率信号；一第一输入端，用以接收一开始信号；一第二输入端，耦接于该第二移位寄存器的一输出端；一第一输出端，耦接于该第一移位寄存器的一输入端，用以于该第二频率信号位于一第一准位时，将该第一开关装置的该第一输入端与该第一移位寄存器的该输入端耦接；及一第二输出端，耦接于该第一移位寄存器的该输入端，用以于该第二频率信号的反相信号位于该第一准位时，将该第一开关装置的该第二输入端与该第一移位寄存器的该输入端耦接；一第二开关装置，包含一第一控制端，用以接收该第二频率信号的反相信号；一第二控制端，用以接收该第二频率信号；一第三控制端，用以接收该第二频率信号的反相信号；一第一输入端，耦接于该第一移位寄存器的该输出端；一第二输入端，耦接于该第三移位寄存器的一输出端；一第一输出端，耦接于该第二移位寄存器的一输入端，用以于该该第二频率信号的反相信号位于该第一准位时，将该第二开关装置的该第一输入端与该第二移位寄存器的该输入端耦接；及一第二输出端，耦接于该第二移位寄存器的该输入端，用以于该第二频率信号位于该第一准位时，将该第二开关装置的该第二输入端与该第二移位寄存器的该输入端耦接。2. 根据权利要求1所述的开关组，其特征在于，该第一开关装置包含 一第一开关单元，包含—第一开关，包含—第一端，耦接于该第一开关装置的该第一输入端； 一控制端，耦接于该第一开关装置的该第-一控制端；及 一第二端，耦接于该第一开关装置的该第一输出端，当该第二频率信号位 于该第一准位时，耦接于该第一开关的该第一端；及 一第二开关，包含.-一第一端，耦接于该第一开关装置的该第一输入端； 一控制端，耦接于该第一开关装置的该第二控制端；及 一第二端，耦接于该第一开关装置的该第一输出端，当该第二频率信号的 反相信号位于该第一准位时，耦接于该第二开关的该第一端；及 一第二幵关单元，包含-一第三开关，包含一第一端，耦接于该第一开关装置的该第二输入端,* 一控制端，耦接于该第一开关装置的该第二控制端；及 一第二端，耦接于该第一幵关装置的该第二输出端，当该第三频率信号位 于该第一准位时，耦接于该第三开关的该第一端；及 一第四开关，包含一第一端，耦接于该第一开关装置的该第二输入端； 一控制端，耦接于该第一开关装置的该第三控制端；及 一第二端，耦接于该第一开关装置的该第二输出端，当该第二频率信号位 于该第一准位时，耦接于该第四开关的该第一端。3. 根据权利要求2所述的开关组，其特征在于，该第一、三开关为P型金 氧半导体晶体管；该第二、四开关为N型金氧半导体晶体管。4. 根据权利要求1所述的开关组，其特征在于，当该移位寄存器组设定于 顺向传送时，该第一、第二、第三移位寄存器的一第一频率输入端接收该第一 频率信号，该第一、第二、第三移位寄存器的一第二频率输入端接收该第一频 率信号的反相信号；当该移位寄存器组设定于逆向传送时，该第一、第二、第 三移位寄存器的该第一频率输入端接收该第一频率信号的反相信号，该第一、 第二、第三移位寄存器的该第二频率输入端接收该第一频率信号。5. 根据权利要求1所述的开关组 频率相同。6. 根据权利要求1所述的开关组 该第一频率信号的相位相异。7. 根据权利要求4所述的开关组 该第一频率信号的相位相同。8. 根据权利要求1所述的开关组期责任比为可调整。9. 一种用于双向移位寄存器组的开关组，该移位寄存器组包含一第一移位寄存器、 一第二移位寄存器，以及一第三移位寄存器，该第二移位寄存器耦接 于该第一移位寄存器，该第三移位寄存器耦接于该第二移位寄存器，该移位寄 存器组根据一第一频率信号及该第一频率信号的反相信号依序传送移位寄存信号，该开关组包含一第一开关装置，包含一第一控制端，用以接收一第二频率信号；一第二控制端，用以接收该第二频率信号的反相信号；一第三控制端，用以接收该第二频率信号；一第一输入端，用以接收一开始信号；一第二输入端，耦接于该第二移位寄存器的一输出端；一第一输出端，耦接于该第一移位寄存器的一第一输入端，用以于该第二频率信号位于一第一准位时，将该第一开关装置的第一输入端与该第一移位寄存器的该第一输入端耦接；及一第二输出端，耦接于该第一移位寄存器的该第一输入端，用以于该第二频率信号...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈忠君，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]