双向移位寄存器制造技术

一种双向移位寄存器（Ｂｉ－ｄｉｒｅｃｔｉｏｎａｌ　Ｓｈｉｆｔ　Ｒｅｇｉｓｔｅｒ），包括Ｎ级级电路（Ｓｔａｇｅ），其中的第ｍ级级电路包括节点、输出端、第一输入电路、第二输入电路级移位寄存器单元，Ｎ为大于１的自然数，ｍ为小于或等于Ｎ的自然数。节点具有第一控制信号，输出端用以输出第ｍ级输出信号。第一输入电路以第ｍ－１级级电路的输出信号作为控制信号及电源信号，以在第一期间中提供致能的第一驱动信号至节点。第二输入电路以第ｍ＋１级级电路的输出信号作为控制信号及电源信号，以在第二期间中提供致能的第二驱动信号至节点。移位寄存器单元受控于第一控制信号于第三期间中产生致能的第ｍ级输出信号。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种移位寄存器(Shift Register)，且特别是有关于一种可进行 双向(Bi-directional)移位操作的双向移位寄存器。
技术介绍
现今的技术多以移位寄存器(Shift Register)来实现扫描驱动器，以提供沿第一 方向依序致能的扫描信号对像素阵列中对应的像素列进行扫描操作。然而，在许多应用场 合中，移位寄存器更被期望能弹性地提供沿着相反于第一方向的第二方向依序致能的扫描 信号。因此，如何设计出可响应于不同控制信号，以弹性地提供沿不同方向进行移位操作的 双向移位寄存器(Bi-directional Shift Register)乃业界所致力的方向之一。
技术实现思路
本专利技术是有关于一种双向移位寄存器(Bi-directional ShiftRegister)，其中的 各级级电路(Stage)利用本级级电路的前一级与下一级级电路的输出信号作为控制信号 与电源信号产生控制信号，以驱动本级级电路进行正向移位信号输出操作或逆向移位信号 输出操作。如此，相较于传统移位寄存器，本专利技术相关的双向移位寄存器具有可进行正向与 逆向移位信号输出操作及成本较低的优点。根据本专利技术提出一种双向移位寄存器(Bi-directional ShiftRegister)，用以沿 第一移位方向输出N个输出信号，或沿第二移位方向输出N个输出信号。双向移位寄存器 包括N级级电路(Stage)，N为大于1的自然数。N个级电路中的第m级级电路包括第一节 点、输出端、第一输入电路、第二输入电路级移位寄存器单元。第一节点具有第一控制信号， 输出端用以输出第m级输出信号。第一输入电路耦接至第m-1级级电路的输出端以接收 第m-1级级电路的输出信号，第一输入电路以第m-1级级电路的输出信号作为控制信号及 电源信号，以在第一期间中提供致能的第一驱动信号至第一节点。第二输入电路耦接至第 m+1级级电路的输出端以接收第m+1级级电路的输出信号，第二输入电路以第m+1级级电 路的输出信号作为控制信号及电源信号，以在第二期间中提供致能的第二驱动信号至第一 节点。移位寄存器单元受控于等于致能的第一驱动信号与致能的第二驱动信号其中之一的 第一控制信号，于第三期间中产生致能的第m级输出信号。其中，m为小于或等于N的自然 数。为让本专利技术的上述内容能更明显易懂，下文特举一较佳实施例，并配合所附图式， 作详细说明如下。附图说明 图1绘示依照本专利技术实施例的双向移位寄存器的电路方块图。图2A绘示依照本专利技术实施例的移位寄存器的输出信号的时序图。图2B绘示依照本专利技术实施例的移位寄存器的输出信号的另一时序图。图3绘示乃图1中的级电路SR_m的详细电路图。图4绘示乃图3的级电路SR_m的相关信号时序图。图5绘示乃图3的级电路SR_m的另一相关信号时序图。[主要元件标号说明]1 双向移位寄存器SR_1_SR_N、SR_m 级电路CT1、CT2:输入电路CT3、CT3'移位寄存器单元CT31 控制电路CT32:耦合电路CT33、CT33'、CT33〃 偏压电路CT34、CT34'、CT34〃 输出级电路NT1、NT2:节点NTO 输出端C1、C2:电容T1、T2、T3A、T3B、T3C、T4A、T4B、T4-T8、T7'晶体管 具体实施例方式请参照图1，其绘示依照本专利技术实施例的双向移位寄存器的电路方块图。双向移位寄存器1包括N级级电路SR_1、SR_2.....SR_N,其分别用以提供输出信号G_l、G_2.....G_N，N为大于1的自然数。双向移位寄存器1中的各级级电路SR_1-SR_N根据前一级级电 路提供的输出信号与后一级级电路提供的输出信号其中之一来对应地产生本级级电路的 输出信号。请参照图2A，其绘示依照本专利技术实施例的移位寄存器的输出信号的时序图。在一 个操作实例中，级电路SR_1率先受控于致能于期间ΤΡ_0的正向起始信号STV_F，在期间 TP_1中产生致能的输出信号G_l，而级电路SR_1后的各级级电路SR_2-SR_N对应地响应于 前一级级电路提供的输出信号G_1-G_N-1在对应的操作期间TP_2-TP_N中产生对应的输出 信号G_2-G_N。在这个操作实例中，移位寄存器1响应于正向起始信号STV_F来进行正向移 位信号输出操作。请参照图2B，其绘示依照本专利技术实施例的移位寄存器的输出信号的另一时序图。 在另一个操作实例中，级电路SR_N率先受控于致能于期间ΤΡ_0'的反相起始信号STV_B， 在期间TP_N'中产生致能的输出信号G_N，而级电路SR_N前的各级级电路SR_N-1-SR_1对 应地响应于后一级级电路提供的输出信号G_N-G_2，在对应的操作期间TP_N-1 ‘ -TP_1中 产生对应知本及输出信号G_N-1-G_1。在这个操作实例中，移位寄存器1响应于反相起始信 号STV_B来进行反相移位信号输出操作。 由于各级级电路SR_1_SR_N具有相近的电路结构与操作，接下来，是仅以一个介 于第1级与第N级之间的第m级级电路SR_m为例说明细部的电路，其余的各级级电路 SR_1-SR_N的详细电路结构与操作皆可依此类推，其中m为小于或等于N的自然数。请参照图3，其绘示乃图1中的级电路SR_m的详细电路图。级电路SR_m包括节点NT1、NT2、输出端ΝΤΟ、输入电路CT1、CT2及移位寄存器单元CT3。其中节点NTl及NT2上分 别具有控制信号SCl及SC2，输出端NTO用以提供输出信号G_m。输入电路CTl耦接至级电路SR_m-l的输出端，以接收级电路SR_m_l的输出信号 G_m-1。输入电路CTl用以根据输出信号G_m-1作为控制信号及电源信号，以在第一期间 中提供致能的第一驱动信号至节点NT1，以在第一期间致能控制信号SC1。其中，第1级的 级电路SR_1的输入电路CTl是耦接至起始信号STV_F。第2级的级电路SR_2的输入电路 CTl是耦接至第1级的级电路SR_1的输出端，以接收级电路SR_1的输出信号G_l。其余级 电路SR_m-l皆以此类推。 在一个例子中，级电路SR_m的输入电路CTl包括晶体管Tl。晶体管Tl例如由 N型金属氧化物半导体(N-type Metal Oxide Semiconductor，NM0S)晶体管来实现，漏 极(Drain)与栅极(Gate)耦接至级电路SR_m_l的输出端以接收输出信号G_m_l，源极 (Source)耦接至节点NTl。输入电路CT2耦接至级电路SR_m+l的输出端，以接收输出信号G_m+1。输入电路 CT2用以根据输出信号G_m+1作为控制信号及电源信号，以在第二期间中提供致能的第二 驱动信号至节点NT1，以在第二期间致能控制信号SC1。其中，第N级的级电路SR_N的输入 电路CT2是耦接至起始信号STV_B。第N-I级的级电路SR_N-1的输入电路CT2是耦接至第 N级的级电路SR_N的的输出端，以接收级电路SR_N的输出信号G_N。其余级电路SR_m_l 皆以此类推。在一个例子中，输入电路CT2包括晶体管T2。晶体管Tl例如由NMOS晶体管来实 现，其的漏极与栅极耦接至级电路SR_m+l的输出端以接收输出信号G_m+1，源极耦接至节 点 NT1。在一个例子本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双向移位寄存器，用以沿一第一移位方向输出Ｎ个输出信号，或沿一第二移位方向输出该Ｎ个输出信号，该双向移位寄存器包括Ｎ级级电路，Ｎ为大于１的自然数，该Ｎ个级电路中的一第ｍ级级电路包括：一第一节点，该第一节点具有一第一控制信号；一输出端，用以输出一第ｍ级输出信号；一第一输入电路，耦接至第ｍ－１级级电路的输出端以接收第ｍ－１级级电路的输出信号，该第一输入电路以第ｍ－１级级电路的输出信号作为控制信号及电源信号，以在一第一期间中提供致能的一第一驱动信号至该第一节点；一第二输入电路，耦接至第ｍ＋１级级电路的输出端以接收第ｍ＋１级级电路的输出信号，该第二输入电路以第ｍ＋１级级电路的输出信号作为控制信号及电源信号，以在一第二期间中提供致能的一第二驱动信号至该第一节点；以及一移位寄存器单元，受控于等于致能的该第一驱动信号与致能的该第二驱动信号其中之一的该第一控制信号，于一第三期间中产生致能的一第ｍ级输出信号；其中，ｍ为小于或等于Ｎ的自然数。

【技术特征摘要】
一种双向移位寄存器，用以沿一第一移位方向输出N个输出信号，或沿一第二移位方向输出该N个输出信号，该双向移位寄存器包括N级级电路，N为大于1的自然数，该N个级电路中的一第m级级电路包括一第一节点，该第一节点具有一第一控制信号；一输出端，用以输出一第m级输出信号；一第一输入电路，耦接至第m 1级级电路的输出端以接收第m 1级级电路的输出信号，该第一输入电路以第m 1级级电路的输出信号作为控制信号及电源信号，以在一第一期间中提供致能的一第一驱动信号至该第一节点；一第二输入电路，耦接至第m+1级级电路的输出端以接收第m+1级级电路的输出信号，该第二输入电路以第m+1级级电路的输出信号作为控制信号及电源信号，以在一第二期间中提供致能的一第二驱动信号至该第一节点；以及一移位寄存器单元，受控于等于致能的该第一驱动信号与致能的该第二驱动信号其中之一的该第一控制信号，于一第三期间中产生致能的一第m级输出信号；其中，m为小于或等于N的自然数。2.根据权利要求1所述的双向移位寄存器，其中当该第一期间触发于该第二期间之前 时，该移位寄存器单元响应于等于该第一驱动信号的该第一控制信号于该第三期间产生致 能的该第m级输出信号，该移位寄存器单元还响应于该第二驱动信号于该第二期间中产生 非致能的该第m级输出信号。3.根据权利要求2所述的双向移位寄存器，其中该移位寄存器单元包括一控制电路，受控于第m+2级输出信号、第m-2级输出信号及一第二控制信号，于该第 二期间中控制该第一控制信号具有非致能电平；一耦合电路，受控于一第一时钟信号的上升缘，于一第三期间中控制该第一控制信号 具有一电容耦合电平；一偏压电路，受控于该第一控制信号，于该第一及该第三期间中控制该第二控制信号 具有非致能电平，并于该第二期间中控制该第二控制信号具有致能电平；及一输出级电路，受控于该第一控制信号的该高电压电容耦合电平，于该第三期间中致 能该第m级输出信号，并受控于该第二控制信号，于该第二期间中非致能该第m级输出信 号。4.根据权利要求3所述的双向移位寄存器，其中该控制电路包括一晶体管，第一输入端接收该第一控制信号，第二输入端接收一参考电压，控制端接收 该第二控制信号；一第二晶体管，第一输入端接收该第一控制信号，第二输入端接...

【专利技术属性】
技术研发人员：詹建廷，韩西容，王文俊，
申请(专利权)人：胜华科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]