磁光记录介质制造技术

本发明专利技术提供了一种磁光记录介质，它在基体上至少具有增强膜（Ⅰ）和磁光记录（Ⅱ），所述增强膜（Ⅰ）是由ＳｉＯ－［ｘ］（其中０＜ｘ＜１．３３）所表示的折射率至少为１．９的氮化硅膜所构成，而所述磁光记录膜（Ⅱ）是由［ＰｄａＰｔ－［１－ａ］］－［ｙ］［ＲＥ－［ｘ］ＴＭ－［１－ｘ］（其中至少５０原子％的ＲＥ为Ｔｂ和／或Ｄ－［ｙ］，其余为Ｎｄ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｅｕ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｔｍ或Ｓｍ，ＴＭ为Ｆｅ和／或Ｃｏ，且０≤ａ≤１，０．２＜ｘ＜０．７和０．０５≤ｙ≤０．３）所表示的、具有垂直于膜的磁缓轴的非晶态合金膜所构成。这些磁光记录介质在其磁光记录膜（Ⅱ）上可以有反射膜。（*该技术在2009年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种磁光记录介质，尤其是涉及一种具有优异的耐氧化性能、能在其上面形成一薄的增强膜、其基体不会翘曲、不发生剥离、且为生产能力强的磁光记录介质。人们已了解到，由过渡金属如铽(Tb)和钆(Gd)所组成的合金而构成的非晶态膜具有垂直于该膜的磁缓轴(magneticeasyaxis)，并且能够通过对膜的磁化作用的逆平行磁化而形成小的反向的磁畴(inversemagnetic)。通过使这种反向磁畴的存在或不存在相应地为“1”或“0”，就能够在如上所述的这种磁光记录膜上记录数字信号。作为能用作磁光记录介质的、且由过渡金属和稀土金属所组成的非晶态膜，已经公开了的有含有15-30原子%的Tb的Tb-Fe合金体系的非晶态膜，例如，如日本专利公告No.20691/1982号中所揭示的。作为磁光记录介质使用的还有通过把第三种金属组分掺入到Tb-Fe体系的金属而制成的非晶态合金膜。再者，Tb-Co系磁光记录介质、Tb-Fe-Co系及其同类物质也已为人们所知。人们发现，由如上所述的这种非晶态合金膜所构成的磁光记录介质具有优异的记录重演特性。然而，从实践的观点来看，这些磁光记录介质在被实际使用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁光记录介质在基体上至少具有一层增强膜（Ⅰ）和一层磁光记录膜（Ⅱ），其特征在于：增强膜（Ⅰ）是由ＳｉＯｘ（其中０〈Ｘ〈１．３３）所表示的折射率ｎ至少为１．９的氮化硅膜所构成，而磁光记录膜（Ⅱ）是由〔ＰｄａＰｔ↓〔１－ａ〕〕↓〔ｙ〕〔ＲＥｘＴＭ↓〔１－ｘ〕〕↓〔１－ｙ〕（其中，至少５０原子％的ＲＥ为Ｔｂ和／或Ｄｙ，其余的Ｎｄ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｅｕ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｔｍ或Ｓｍ，Ｔｍ为Ｆｅ和／或Ｃｏ，且０≤ａ≤１，０．２〈ｘ〈０．７和０．０５≤ｙ≤０．３）所表示的、具有垂直于膜的磁缓轴的非晶态合金膜所构成。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 1988-10-17 260777/88;JP 1988-10-17 260778/881.一种磁光记录介质在基体上至少具有一层增强膜(Ⅰ)和一层磁光记录膜(Ⅱ)，其特征在于增强膜(Ⅰ)是由SiOx(其中0＜X＜1.33)所表示的折射率n至少为1.9的氮化硅膜所构成，而磁光记录膜(Ⅱ)是由[PdaPt1-a]y[RExTM1-x]1-y(其中，至少50原子%的RE为Tb和/或Dy，其余的Nd、Gd、Ce、Eu、Pr、Ho、Tm或Sm，TM为Fe和/或Co，且0≤a≤1，0.2＜x＜0.7和0.05≤y≤0.3)所表示的、具有垂直于膜的磁缓轴的非晶态合金膜所构成。2.根据权利要求1所述的磁光记...

【专利技术属性】
技术研发人员：水本邦彦，春田浩一，浦博一，
申请(专利权)人：三井石油化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]