【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及基体和磁光记录膜之间粘附性良好、耐氧化性以及磁光记录特性良好的磁光记录体。众所周知，包括过渡金属(诸如铁、钴等)以及稀土元素(诸如铽(Tb)、钆(Gd)等)的磁光记录膜具有一与薄膜垂直的易磁化轴，并能通过与薄膜磁化作用反平行的磁化而形成小的反向磁畴。通过使该反向磁畴的存在或不存在对应于“1”或“0”，有可能将数字信号记录在上述磁光记录膜上。作为由该上述过渡金属和稀土元素构成的磁光记录膜，例如，在日本专利公告第20691/1982号中揭示了那些包含15-30原子%Tb的Tb-Fe系磁光记录膜。还有人采用Tb-Fe-Co、Gd-Tb-Fe和Dy-Tb-Fe-Co系磁光记录膜。尽管这些磁光记录膜具有良好的记录和复制特性，从实际观点来看，它们仍存在有严重的问题，即它们在通常使用过程中容易氧化，并且其性能随着时间推移而变化。譬如，在日本应用磁学协会杂志(Journal of Applied Magnetism Society of Japan)，卷9，No.2，PP33-96杂志中，讨论了包含上述过渡金属和稀土元素的磁光记录膜的氧化变劣机理，...
【技术保护点】
一种具有基片和其上的磁光记录膜的磁光记录体，所述基片是由环烯烃无规共聚物组成物形成的，所述组成物包括：（Ａ）乙烯和由下列通式［Ⅰ］表示的环烯烃的环烯烃无规共聚物，所述共聚物特性粘度（η）为０．０５到１０ｄｌ／ｇ（在１３５℃下在萘烷中测得 ），其软化温度（ＴＭＡ）为至少７０℃，（Ｂ）乙烯和由下列通式［Ⅰ］代表的环烯烃的环烯烃无规共聚物，所述共聚物的特性粘度（η）为０．０５至５ｄｌ／ｇ（在１３５℃下在萘烷中测得），其软化温度（ＴＭＡ）为小于７０℃，所述组分（Ａ）／所述组分（ Ｂ）的重量比范围为１００／０．１至１００／１０：通式＊＊＊其中ｎ为０或正整数，Ｒ↑［１］到Ｒ...
【技术特征摘要】
JP 1989-10-19 272642/891.一种具有基片和其上的磁光记录膜的磁光记录体，所述基片是由环烯烃无规共聚物组成物形成的，所述组成物包括(A)乙烯和由下列通式[Ⅰ]表示的环烯烃的环烯烃无规共聚物，所述共聚物特性粘度(η)为0.05到10dl/g(在135℃下在萘烷中测得)，其软化温度(TMA)为至少70℃，(B)乙烯和由下列通式[Ⅰ]代表的环烯烃的环烯烃无规共聚物，所述共聚物的特性粘度(η)为0.05至5dl/g(在135℃下在萘烷中测得)，其软化温度(TMA)为小于70℃，所述组分(A)/所述组分(B)的重量比范围为100/0.1至100/10通式其中n为0或正整数，R1到R12是相同的或各异的。它们各代表氢原子、卤素原子或烃基团，假定当将R7到R12结合在一起时，它们可形成可选择性地具有双键或多个双键的单环或多环烃环，或者R7与R10或R11与R12当被结合在一起时，可形成亚烷基基团，所述磁光记录膜是非晶态合金膜，所述膜包括(i)选自3d过渡金属的至少一种元素以及(iii)选自稀土元素的至少一种元素，所述膜具有一与膜垂直的易磁化轴。2.如权利要求1所述的磁光记录体，其特征在于所述磁光记录膜是一非晶态合金膜，所述膜包括(ⅰ)至少一种3d过渡金属，(ⅱ)至少一种耐腐蚀金属以及(ⅲ)至少一种稀土元素，所述耐腐蚀金属的含量为5至30原子%，所述膜具有一垂直于所述膜的易磁化轴。3.如权利要求1所述的磁...
【专利技术属性】
技术研发人员：水本邦彦，桥本英彦，藤堂昭，
申请(专利权)人：三井化学株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。