锰铋加轻稀土元素的磁光薄膜介质制造技术

本发明专利技术是在ＭｎＢｉ中掺入轻稀土元素Ｒ（Ｒ＝Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｇｄ），蒸镀时投料的配方适当，改善了介质的热稳定性，大大增高了磁光Ｋｅｒｒ转角θ－［Ｋ］（θ－［Ｋ］＝１．８－２．６°），并提高了介质的磁光优值θ－［Ｋ］Ｒ－［Ｋ］的值。本发明专利技术在蒸镀时采用液氮冷却基片的方法，使生成的晶粒细化，降低了晶界噪声。在退火工艺中采用“步进式”退火方法，提高了样品性能地均匀性。该发明专利技术是用作磁光存储技术中磁光盘片的介质和用于磁光技术中的各种磁光器件的金属薄膜介质。（*该技术在2010年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于物理磁光材料类，它是用作磁光存储技术中磁光盘片的介质和用作磁光技术中的各种磁光器件的金属薄膜介质。与之类似的材料有MnBiAlSi和MnBi加过渡合金薄膜。例如MnBiAlSi薄膜已发表的最大磁光Kerr转角θK＝2.0°。本专利技术的主要目的是要进一步提高介质的磁光伏值 (R反为介质的反射系数)。本专利技术的主要技术要点是在传统的真空蒸镀制备MnBi薄膜的基础上，添加轻稀土元素R(R＝La，Ce，Pr，Nd，Sm，Gd)，并采用冷却基片的方法和适当的热处理工艺，制成一系列新型的MnBiR薄膜。它的热稳定性好，晶粒细，θK大，R反适中，该薄膜可用作磁光存储技术中磁光盘片的介质和各种磁光器件的薄膜介质。本专利技术的具体内容及方案1、成分制膜时投料的原子比为Mn/Bi＝1.5-3.5，添加的轻稀土元素R的量为R/Bi＝0-0.4。2、制备方法将Mn、Bi和R的原料分别放入坩埚中，用真空蒸发(真空度为10-6torr)的方法，蒸镀到玻璃基片上，基片用液氮冷却(温度在-196℃到室温之间可调)，再复盖SiOx作为保护层，然后在300-420℃的真空炉内退火3-5小时(真空本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种锰铋磁光薄膜介质，其特征在于添加轻稀土元素Ｒ，且制膜投料的原子比为Ｍｎ／Ｂｉ＝１．５－３．５。

【技术特征摘要】
1.一种锰铋磁光薄膜介质，其特征在于添加轻稀土元素R，且制膜投料的原子比为Mn/Bi=1.5-3.5。2.按照权利要求1所述的磁光薄膜介质，其特征在于所添加的轻稀土元素R为La，Ce，Pr，Nd，Sm，Gd，且添加的轻稀土元素R的量为R/Bi＝0-0.4。3.一种锰铋加轻稀土元素的磁光薄膜介质的制备方法，其特征在于采用冷却基片的方法和“步进式”的升温方法。4.按照权利要求3所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：方瑞宜，李东镭，刘明升，杨丹坤，戴道生，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]