【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及磁光记录介质，其基片与增强薄膜间的粘合优良，它具有优良的耐氧化性及磁光记录的特征。现已知道磁光记录薄膜包括诸如铁和钴的过渡金属以及诸如铽(Tb)和钆(Gd)的稀土元素，磁光记录薄膜具有垂直于薄膜的磁化平顺轴并能形成一个与薄膜磁化逆平行的相反的小磁畴。用“1”或“0”来相应地表示相反磁畴的存在与否，这就可能在上述的这类磁光记录薄膜上记录数字信号。如上所述，磁光记录薄膜包含这类过渡金属及稀土元素，例如，在日本专利公报第20691/1982号中揭示了Tb-Fe系统的含有从15至30%(原子)的Tb。也可以使用加入了第三组分金属的Tb-Fe系统的磁光记录薄膜。此外，Tb-Co系统的磁光记录薄膜、Tb-Fe-Co系统的磁光记录薄膜或其同类的薄膜都是众所周知的。虽然上述的这些磁光记录薄膜具有优良的记录重现性，但它们从实践出发仍涉及这样一个严重问题即在其一般的使用期间它们经过氧化，其特征随着时间而有所改变。在这样的环境中，为了改进所述薄膜的耐氧化能力，可在Tb-Fe、Tb-Co或Tb-Fe-Co系统的磁光记录薄膜中加入诸如Pt、Ni、Al、Cr和Pb的金属(...
【技术保护点】
一种磁光记录介质，其特征在于它有双面磁光记录介质的结构，其中在第一磁光记录的基片上依次序叠合上一层增强薄膜、磁光记录薄膜和反射薄膜，在第二磁光记录介质的基片上依次序叠合上一层增强薄膜、磁光记录薄膜和反射薄膜，它们通过粘合剂薄膜相互叠合结果第一磁光记录介质的反射薄膜和第二磁光记录介质的反射薄膜面面相对地排列，所述的增强薄膜包括Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］，ＳｉＮ↓［ｘ］（０＜ｘ＜４／３），Ａ１Ｎ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ，Ｓｉ或ＣｄＳ，所述的磁光记录薄膜是无定形合金的薄膜，它有垂直于所述记录薄膜的磁化平顺轴，所述的基片由环烯烃无规共聚物组合物所形成，它包括，一种乙烯和由下式［Ｉ］表示的环烯...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 1988-10-20 264898/88;JP 1988-11-1 276738/881.一种磁光记录介质，其特征在于它有双面磁光记录介质的结构，其中在第一磁光记录的基片上依次序叠合上一层增强薄膜、磁光记录薄膜和反射薄膜，在第二磁光记录介质的基片上依次序叠合上一层增强薄膜、磁光记录薄膜和反射薄膜，它们通过粘合剂薄膜相互叠合结果第一磁光记录介质的反射薄膜和第二磁光记录介质的反射薄膜面面相对地排列，所述的增强薄膜包括Si3N4，SiNx(0＜x＜4/3)，A1N、ZnSe、ZnS，Si或CdS，所述的磁光记录薄膜是无定形合金的薄膜，它有垂直于所述记录薄膜的磁化平顺轴，所述的基片由环烯烃无规共聚物组合物所形成，它包括，一种乙烯和由下式[Ⅰ]表示的环烯烃的环烯烃无规共聚物，在135℃的萘烷中测得所述共聚物的特性粘度[η]是0.05至10dl/g，其软化温度(TMA)至少为70℃，其中n是0或正整数，R1至R12可相同或不同，各自表示氢原子、卤(素)原子或烃基团，R9至R12连接在一起时可形成有任意一个或多个双键的单环烃环或多环烃环，或者R9和R10或R11和R12连接在一起时可形成亚烷基。2.根据权利要求1所述的磁光记录介质，其特征在于其中所述磁光记录薄膜是无定形合金的薄膜包括(ⅰ)至少一种3d过渡金属，(ⅰ)至少一种耐腐蚀金属及(ⅲ)至少一种稀土元素，所述的耐腐蚀金属的含量是5至30%(原子)，它有一垂直于所述薄膜的磁化平顺轴。3.根据权利要求2所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：水本邦彦，桥本英彦，粟栖正吉，藤堂昭，
申请(专利权)人：三井化学株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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