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本发明提供了一种磁光记录介质，它在基体上至少具有增强膜（Ⅰ）和磁光记录（Ⅱ），所述增强膜（Ⅰ）是由ＳｉＯ－［ｘ］（其中０＜ｘ＜１．３３）所表示的折射率至少为１．９的氮化硅膜所构成，而所述磁光记录膜（Ⅱ）是由［ＰｄａＰｔ－［１－ａ］］－［ｙ］...
该专利属于三井石油化学工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三井石油化学工业株式会社授权不得商用。

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