【技术实现步骤摘要】
通过光刻胶生产三维结构
[0001]本专利技术涉及一种用于通过光刻胶生产三维结构，具体地用于由光刻胶产生台阶式结构或用于通过处于微米到毫米范围内的台阶式结构模制模制体的方法。本专利技术的使用领域具体地是电子工业、印刷电路板封装和芯片封装、半导体工业和微技术，特别是用于生产微机械结构的微技术。
技术介绍
[0002]现有技术中使用光刻胶来光刻图案化，以便产生微电子学和微系统技术中处于微米和亚微米范围内的结构。所述程序经常通过将光刻胶层施涂到衬底或已经存在的电路结构层，并且随后将它曝光于具有负性抗蚀剂且将被保留为结构表面的区域，或者将它曝光于具有正性抗蚀剂且将被烧蚀的区域来执行。光刻胶结构的后续显影过程中的非抗蚀区域作为未固化层组件被移除，并且随后可以用电子导体结构和半导体结构填充或者由栅极结构局部占据。
[0003]这种程序由V.Papageorgiou等人在技术论文“在InP衬底上共同制造平面耿氏二极管和HEMT(Cofabrication of Planar Gunn Diode and HEMT on InP S...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于通过光刻胶生产三维结构的方法，所述方法具有以下步骤：
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提供金属包覆的衬底(1)以改善针对随后的金属沉积和结构(6；71)与所述衬底(1)的分离的表面粘附力或适应性；
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用第一光刻胶涂覆(3)铜包覆的衬底(1)至少一次，以产生限定高度的至少一个结构台阶，并且用第二光刻胶涂覆(3)所述第一光刻胶至少一次，以产生限定高度的至少一个另外的结构台阶，其中所述第一光刻胶和所述第二光刻胶针对图案化具有不同光敏性和透射特性；
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在所述第一光刻胶的至少一个结构形成性区域(35)中，用具有第一波长范围和第一辐射剂量的曝光辐射(41)使所述第一光刻胶曝光(4)；
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在所述第二光刻胶的至少一个结构形成性区域(36)中，用具有第二波长范围和第二辐射剂量的曝光辐射(42)使至少所述第二光刻胶曝光，其中至少所述第一光刻胶和所述第二光刻胶的所述结构形成性区域(35；36)彼此至少部分地重叠；
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通过使至少所述第一光刻胶和所述第二光刻胶的涂层(31；32；33；34)的非结构形成性曝光区域显影来使至少一个多层光刻胶结构(6)从至少所述第一光刻胶和所述第二光刻胶的重叠的结构形成性区域(35；36；37)显影(5)。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述用所述第二光刻胶涂覆(3)所述第一光刻胶在所述第一光刻胶的所述第一结构产生性曝光(4)和所述第二光刻胶的所述结构产生性曝光(4)之前执行。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述用所述第二光刻胶涂覆(3)所述第一光刻胶仅在所述第一光刻胶的所述结构产生性曝光(4)之后执行，并且所述第二光刻胶的所述结构产生性曝光(4)在用所述第二光刻胶进行涂覆(3)之后执行。4.根据权利要求2或3所述的方法，其中用第三光刻胶涂覆(3)所述第二光刻胶仅在所述第二光刻胶的所述结构产生性曝光(4)之后执行，并且用第四光刻胶或任何另外的光刻胶进行涂覆(3)在所述第三光刻胶或任何另外的先前施涂的光刻胶的结构产生性曝光(4)之后发生。5.根据权利要求1到4中任一项所述的方法，其中至少所述第一光刻胶或所述第二光刻胶或具有多于一个光刻胶层(31；32；33；34)的另外的光刻胶彼此堆叠施涂，以便产生所述光刻胶结构(6)的期望限定高度的结构台阶。6.根据权利要求1到5中任一项所述的方法，其中所述第一光刻胶和所述第二光刻胶在每种情况下被选择为具有不同的敏感性，使得所述第一光刻胶和所述第二光刻胶能通过另一相应光刻胶不反应的不同曝光辐射(41；42)进行固化。7.根据权利要求6所述的方法，其中所述第一光刻胶对相对于所述第二光刻胶的有效波长和曝光剂量的具有较高曝光剂量的较长波长曝光辐射(41)敏感并且对所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：詹斯，
申请(专利权)人：激光影像系统有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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