本发明专利技术公开了一种掩模台、曝光装置和光刻设备，该掩模台包括承版台、至少三个支撑固定单元和至少三个形变补偿单元；其中，承版台包括透光区和围绕透光区的非透光区；至少三个支撑固定单元设置于承版台的非透光区，且各支撑固定单元均匀分布于透光区的周围；至少三个形变补偿单元设置于承版台的非透光区，且位于支撑固定单元靠近透光区的一侧；各形变补偿单元均匀分布于透光区的周围。本发明专利技术实施例提供的掩模台结构简单，能够减小放置于该掩模台上的掩模版在水平方式和竖直方向上的形变，从而能够提高曝光精度，提高光刻准确度，进而提高产品良率，降低生产成本。降低生产成本。降低生产成本。
【技术实现步骤摘要】
一种掩模台、曝光装置和光刻设备
[0001]本专利技术实施例涉及半导体工艺设备技术邻域，尤其涉及一种掩模台、曝光装置和光刻设备。
技术介绍
[0002]掩模版作为图形信息的载体，通过曝光过程，将图形转移到被曝光产品上，该被曝光产品例如可以为硅片、导电玻璃、铜箔等，从而实现图形的转移。在光刻工艺过程中，通常将掩模版放置于曝光装置的掩模台上，以使掩模台支撑、固定掩模版。
[0003]由于掩模版受自重影响，会产生竖直方向的变形，使得曝光时产生系统离焦。现有技术中，通过在掩模台上设置真空吸附装置，对掩模台上的掩模版施加向外的拉力，以改善掩模版因自重而产生的竖直方向的形变。但是，现有技术的真空吸附装置对掩模版施加向外的拉力时，该掩模版会因各个方向的拉力不均而产生水平方向的形变，从而引起掩模图形的偏移，影响光刻工艺的准确度，进而影响器件的性能。
技术实现思路
[0004]本专利技术实施例提供一种掩模台、装曝光置和光刻设备，以同时减小掩模版的水平方向和竖直方向的形变对光刻工艺的影响。
[0005]第一方面，本专利技术实施例提供一种掩模台，包括：
[0006]承版台，包括透光区和围绕所述透光区的非透光区；
[0007]至少三个支撑固定单元，设置于所述承版台的非透光区，且各所述支撑固定单元均匀分布于所述透光区的周围；所述支撑固定单元用于支撑固定掩模版；
[0008]至少三个形变补偿单元，设置于所述承版台的非透光区，且位于所述支撑固定单元靠近所述透光区的一侧；各所述形变补偿单元均匀分布于所述透光区的周围；所述形变补偿单元用于提供与所述掩模版的重力方向相反的形变支撑力。
[0009]第二方面，本专利技术实施例还提供一种曝光装置，包括上述掩模台。
[0010]第三方面，本专利技术实施例还提供一种光刻设备，包括上述曝光装置。
[0011]本专利技术实施例提供的掩模台、曝光装置和光刻设备，通过在承版台的非透光区设置至少三个支撑固定单元和至少三个形变补偿单元，且形变补偿单元位于支撑固定单元靠近承版台透光区的一侧，该支撑固定单元支撑并固定放置于承版台的掩模版，而形变补偿单元则可提供与掩模版的重力方向相反的形变支撑力，以抵消掩模版的重力，从而减小掩模版因自重而产生的形变；同时该掩模台中未引进水平方向上的拉力，能够防止因受拉力而使掩模版产生水平方向上的形变。本专利技术实施例提供的掩模台结构简单，能够同时减小放置于该掩模台上的掩模版在水平方式和竖直方向上的形变，从而能够提高曝光精度和光刻准确度，进而提高产品良率，降低生产成本。
附图说明
[0012]图1是本专利技术实施例提供的一种掩模台的结构框图；
[0013]图2是本专利技术实施例提供的一种掩模台的截面结构示意图；
[0014]图3是本专利技术实施例提供的一种掩模台的俯视结构示意图；
[0015]图4是本专利技术实施例提供的一种掩模台的立体结构示意图；
[0016]图5是沿图4中B-B'截面的一种掩模台的剖面结构示意图；
[0017]图6是本专利技术实施例提供的一种掩模台水平方向上的剖面结构示意图；
[0018]图7是本专利技术实施例提供的一种曝光装置的结构框图；
[0019]图8是本专利技术实施例提供的一种光刻设备的结构框图。
具体实施方式
[0020]下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。
[0021]本专利技术实施例提供一种掩模台，该掩模台可用于支撑固定掩模板，该掩模台设置于曝光装置中。图1是本专利技术实施例提供的一种掩模台的结构框图，图2是本专利技术实施例提供的一种掩模台的截面结构示意图。结合图1和图2所示，该掩模台100包括承版台10、至少三个支撑固定单元20和至少三个形变补偿单元30；该承版台具有透光区101和围绕透光区101的非透光区102；支撑固定单元20设置于承版台10的非透光区102，且各支撑固定单元20均匀的分布于透光区101的周围，该支撑固定单元20用于支撑固定掩模板200；形变补偿单元30也设置于承版台10的非透光区102，且位于支撑固定单元20靠近透光区101的一侧，同时各形变补偿单元30均匀分布于透光区101的周围；该形变补偿单元30用于提供与掩模版200的重力方向相反的形变支撑力。
[0022]具体的，掩模台100的承版台10具有透光区101和非透光区102，其中，承版台10的透光区101可使光源发出的光透过，以使掩模版200上的图案转印至半导体衬底上，该承版台10的透光区101处可以设置有通孔或透光膜层；而承版台10的非透光区102设置有支撑固定单元20和形变补偿单元30。当掩模版200放置于该掩模台100上时，设置于承版台10的非透光区102的支撑固定单元20能够支撑固定该掩模版200，以在Z方向上将掩模版200固定在相应的高度，且由于三个不同位置处的支撑固定单元20能够组成一个平面，因此由至少三个支撑固定单元20相互配合，能够使掩模版200固定在XY平面上的相应位置。但是，由于掩模版200受自身重量的影响，会使掩模版200由支撑固定单元20的支撑位置到透光区101的中心位置处所产生的形变逐渐增大，使得透光区101上方的掩模版200处于离焦状态。此时，可通过设置在支撑固定单元20靠近透光区101一侧的形变补偿单元30为掩模版200提供与掩模版200的重力G的方向-Z相反的竖直向上(+Z方向)的形变支撑力F1，该形变支撑力F1能够抵消掩模版200靠近透光区101位置处的所受的重力G，以减小掩模版200在靠近透光区101处的形变量。
[0023]需要说明的是，图1和图2仅为本专利技术实施例示例性的附图，图1中仅示例性的示出了承版台10的非透光区101设置有三个支撑固定单元20和四个形变补偿单元30，而在本发
明实施例中，支撑固定单元20的数量可以为三个或三个以上，同样的，形变补偿单元30的数量也可以为三个或三个以上，且支撑固定单元的数量与形变补偿单元的数量可以相同或不同，本专利技术实施例对此不作具体限定。
[0024]如此，本专利技术实施例通过设置在承版台的非透光区的支撑固定单元固定处掩模版在X-Y平面的位置以及在Z方向的高度，并采用形变补偿单元为靠近透光区位置处的掩模版提供与该掩模版的重力方向相反的形变支撑力，以抵消掩模版的重力，从而减小掩模版在透光区所产生的形变，使得掩模版上的图案能够准确对焦，提高曝光精度和光刻准确度，进而提高产品良率，降低成品成本。
[0025]需要说明的是，图1和图2仅为本专利技术实施例示例性的附图，图1中仅示例性的示出了承版台10的透光区101的形状为四边形，而在本专利技术实施例中承版台10的透光区101的形状还可以为圆形、椭圆形、三角形、六边形、五角形等规则或不规则的形状，本专利技术实施例对此不作具体限定。...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种掩模台，其特征在于，包括：承版台，包括透光区和围绕所述透光区的非透光区；至少三个支撑固定单元，设置于所述承版台的非透光区，且各所述支撑固定单元均匀分布于所述透光区的周围；所述支撑固定单元用于支撑固定掩模版；至少三个形变补偿单元，设置于所述承版台的非透光区，且位于所述支撑固定单元靠近所述透光区的一侧；各所述形变补偿单元均匀分布于所述透光区的周围；所述形变补偿单元用于提供与所述掩模版的重力方向相反的形变支撑力。2.根据权利要求1所述的掩模台，其特征在于，所述承版台上设置有掩模版放置槽；所述透光区位于所述掩模版放置槽的槽底区域内。3.根据权利要求2所述的掩模台，其特征在于，所述非透光区包括第一非透光区和围绕所述第一非透光区的第二非透光区，所述第一非透光区围绕所述透光区，且所述第一非透光区位于所述掩模版放置槽的槽底区域内，所述第二非透光区位于所述掩模版放置槽的侧壁区域内；所述支撑固定单元包括柔性固定部件和硬支撑部件；所述柔性固定部件的一端固定于所述第二非透光区，所述柔性固定部件的第二端延伸至所述第一非透光区；所述硬支撑部件固定于所述第一非透光区，且所述硬支撑部件与所述柔性固定部件的第二端相对设置；其中，所述硬支撑部件用于提供与所述掩模版的重力方向相反的支撑力；所述柔性固定部件用于提供与所述掩模版的重力方向相同的压力。4.根据权利要求3所述的掩模台，其特征在于，所述柔性固定部件包括簧片；所述簧片包括固定端和活动端；所述簧片的固定端通过至少一个紧固件固定于所述承版台的第一非透光区；所述簧片的活动端包括弯折结构，所述弯折结构位于所述第二非透光区，且所述弯折结构的顶点与所述硬支撑部件相对设置。...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨若霁，苏同克，
申请(专利权)人：上海微电子装备集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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