【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其是一种曝光设备。
技术介绍
1、光刻工艺的本质是把临时电路结构复制到要进行刻蚀和离子注入的硅片上，这些结构首先以图形的形式制作在掩模上，再利用光束通过掩模把图形转移到硅片表面的光敏薄膜上。光刻工艺通常是这样进行的：光刻显影后图形出现在硅片上，然后用化学刻蚀工艺把薄膜图形成像在硅片上，或者通过离子注入完成硅片上的图形中可选择的掺杂。光刻工艺通常包括以下八个基本步骤：气相成底模、旋转涂胶、软烘、对准和曝光、曝光后烘焙、显影、坚膜烘焙、显影检查。
2、在对准和曝光工艺中，通过光源和光学系统将掩模上的图形投影到涂过光刻胶的硅片上；其中，光学系统通常包括镜组，在曝光过程中，可通过拟合的多项式轨迹控制镜组移动以实现对物料的曝光补偿。但通常镜组的运动速度要低于工作台的运动速度，当曝光场内的物料面形较差时，拟合的多项式轨迹会造成镜组的运动时间过长，无法充分发挥工作台的速度性能，导致产率降低；且不同的曝光场内，镜组的运动时间可能不一致，对于不支持曝光场档位切换的曝光设备来说，会导致曝光场过曝或欠曝。
<...【技术保护点】
1.一种曝光设备，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的曝光设备，其特征在于，所述控制单元还被配置为，基于所述基板和/或所述掩模的面形数据，生成工件台调整量和物镜调整量，以形成所述工件台运动轨迹和/或物镜运动轨迹。
3.如权利要求2所述的曝光设备，其特征在于，所述曝光设备还包括：
4.如权利要求3所述的曝光设备，其特征在于，
5.如权利要求2所述的曝光设备，其特征在于，所述控制单元还被配置为，基于所述物镜调整量，对所述物镜运动轨迹进行平滑处理，生成平滑后的物镜调整量，并基于平滑后的物镜调整量，生成平滑后的物镜运动轨迹
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【技术特征摘要】
1.一种曝光设备，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的曝光设备，其特征在于，所述控制单元还被配置为，基于所述基板和/或所述掩模的面形数据，生成工件台调整量和物镜调整量，以形成所述工件台运动轨迹和/或物镜运动轨迹。
3.如权利要求2所述的曝光设备，其特征在于，所述曝光设备还包括：
4.如权利要求3所述的曝光设备，其特征在于，
5.如权利要求2所述的曝光设备，其特征在于，所述控制单元还被配置为，基于所述物镜调整量，对所述物镜运动轨迹进行平滑处理，生成平滑后的物镜调整量，并基于平滑后的物镜调整量，生成平滑后的物镜运动轨迹；
6.如权利要求5所述的曝光设备，其特征在于，所述曝光设备还包括：
...【专利技术属性】
技术研发人员：李煜芝，褚占占，蓝科，周畅，
申请(专利权)人：上海微电子装备集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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