用于制造薄膜磁头的方法技术

在绝缘薄膜上形成一电镀底基层。在电镀底基层上形成抗反射膜。在抗反射膜６２上形成光刻胶光刻胶。曝光和显影光刻胶和抗反射膜，以便形成由其制造的抗蚀性阻织。在由抗蚀性组织包围的内部图案中形成第二磁性层。抗反射膜由经过曝光对于显影剂可溶解的物质组成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
在薄膜磁头的制造中，一般在第一磁性薄膜(底层磁性薄膜)、间隔薄膜、支撑线圈薄膜的绝缘薄膜形成在晶片上之后形成作为顶部磁性薄膜的第二磁性薄膜。此外，在第二磁性薄膜的形成中，通过溅射等方法，在包括绝缘薄膜的晶片的表面上形成平板底基薄膜。然后，把光刻胶涂覆在平板底基薄膜的表面上，并且通过光刻方法进行处理，以便形成用于形成第二磁性薄膜的抗蚀性组织。然后，通过电镀等在由抗蚀性组织(resistframe)包围的区域中形成第二磁性薄膜。在利用电镀形成第二磁性薄膜同时，另一薄膜被沉积在抗蚀性组织之上，但是它被移除。然而在第二磁性薄膜形成过程中，由于抗蚀性组织存在一个问题，因为在用于形成抗蚀性组织的光刻工艺中的曝光光线在平板底基薄膜的表面上被反射，并且被引入到光刻掩模限定区域之外，以便曝光环绕光刻掩模限定区域的光刻胶，结果导致抗蚀性组织图案精确度的变差，因此第二磁性薄膜也变差。抗蚀性组织图案精确度的变差在磁极部分变得明显，在此磁极部分中，第二磁性薄膜经过间隔薄膜与第一磁性薄膜相对。在磁极部分的向后区域上放置绝缘薄膜，此绝缘薄膜以一个给定倾斜角从间隔薄膜的表面上升。上升的出发点相当于入口高度零点(Throat Height zero point)，并且上升角相当于顶角。第二磁性薄膜构成平行于间隔薄膜和第一磁性薄膜的磁极部分，直到入口高度零点，然后以一顶角倾斜从入口高度零点朝向绝缘薄膜的顶面上升。因此，在用于通过光刻工艺制造用于形成第二磁性薄膜的抗蚀性组织中，朝向绝缘薄膜顶面具有顶角的保持在倾斜部分上面的光刻胶必须被曝光。在该情况下，曝光光线在保持在倾斜部分上面的平板底基薄膜处被反射，并且部分地被引入到磁极部分，这导致磁极部分的曝光图案不同于光刻掩模的图案，因此在相当于磁极部分的抗蚀性组织部分中的图案破坏。抗蚀性组织的图案破坏在通过缩小记录轨道宽度直到不超过1.0μm的记录密度发展中具有很大的困难。为了解决以上问题，在专利出版物1中提出，在形成作为顶部磁性薄膜的抗蚀剂组织之前，形成抗反射膜，并且在抗反射膜上形成光刻胶，抗蚀性组织由经过曝光和显影的光刻胶组成。然而抗反射膜不能溶于碱性显影剂来移除抗蚀性组织，所以要求在使用碱性显影剂形成抗蚀性组织之后依靠抛光等来移除。然后，在移除抗反射膜之后，依靠电镀等来形成第二磁性薄膜。所以，在依靠光刻胶技术使用抗反射膜形成第二磁性薄膜中，需要大量的处理。同时，在由抗蚀性组织包围的内部图案上面形成抗反射膜。内部图案包括相当于顶部磁性薄膜的磁极部分的磁极部分区域，和相当于轭部分的第二轭区域。所以，在磁极部分区域和第二轭区域中必须移除抗反射膜。然而在抗蚀性组织中，在开口面积方面，磁极部分区域与第二轭部分完全不同。此外，对于高密度记录，磁极部分区域的开口面积趋向于缩小到1μm或更低。所以，在保持在由抗蚀性组织包围的内部图案上面的抗反射膜的移除中，在刻蚀速度方面，第二轭区域与磁极部分区域完全不同。具体地，蚀刻磁极部分区域比第二轭部分要花费更长的时间。结果，在抗反射膜的移除中，在磁极部分区域中，抗蚀性组织被大量的蚀刻，以便增大抗蚀性组织的间距。换句话说，通过移除抗反射膜来增大抗蚀性组织的间距。结果，固有地形成用于缩小磁极部分宽度的抗反射膜增大了抗蚀性组织间距，其中此间距在缩小磁极部分宽度中成为阻碍。在专利出版物2中提出可溶于光刻胶显影剂的抗反射膜，它适合于解决专利出版物1的技术问题。由于抗反射膜的显影程度依靠对于磁极部分开口的组织宽度，其中此磁极部分由形成在抗反射膜上面的光组织构成，所以如果每一组织宽度在相同的晶片上波动，那么它也波动。例如，在一个开口处，抗反射膜可以被过度的显影，以致在光刻胶的作用下可以被渗透，并且在另一个开口处，抗反射膜可能没有被充分的显影，以致部分地保留在在开口的内底部表面上。专利出版物1为日本专利申请公开号No.9-180127专利出版物2为日本专利申请公开号No.2000-314963
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种方法，用于制造具有精确变窄的磁极部分的薄膜磁头。为了解决上述问题，本专利技术涉及一种方法，用于制造具有记录元件的薄膜磁头，其中此记录元件具有第一磁性层、绝缘薄膜、线圈薄膜和第二磁性层。第一磁性层和第二磁性层组成薄膜磁路，并且绝缘薄膜被放置在第一磁性层和第二磁性层之间，并且支撑着线圈薄膜。第二磁性层被放置在绝缘薄膜上。在本专利技术的制造方法中，首先，在第一磁性层、线圈薄膜和第二磁性层形成之后并且在第二磁性层形成之前，形成电镀底基层。然后，在电镀底基层上形成抗反射膜，并且在抗反射膜之上涂覆光刻胶。然后，曝光和显影光刻胶和抗反射膜，以便形成由其制造的抗蚀性组织。然后，在由抗蚀性组织包围的内部图案中形成第二磁性层。抗反射膜由经过曝光对于显影剂可溶解的物质组成。如上所述，在本专利技术中，连续地形成绝缘薄膜、电镀底基薄膜和抗反射膜，然后在抗反射膜上涂覆光刻胶。然后，曝光和显影光刻胶和抗反射膜，以便形成由其制造的抗蚀性组织。所以，在通过光刻法制造用于于第二磁性薄膜的抗蚀性组织中，在绝缘薄膜的凸凹部分和倾斜部分处，曝光光线不能够被大量地反射。所以，光刻胶的曝光图案可以几平由光刻掩模的曝光图案来限定，从而能够精确地形成抗蚀性组织的图案。结果，第二磁性薄膜，特别是其中的磁极部分能够精确地形成图案。由于甚至在相当于磁极部分的区域中可以形成抗蚀性组织的图案，所以可以变窄预定薄薄膜磁铁的磁迹宽度。特别地，当绝缘薄膜包括位于气承表面一侧的上升倾斜部分，并且第二磁性薄膜的磁极部分形成在绝缘薄膜的倾斜部分上的时候，本专利技术极其适合作为磁极部分精确图案化技术。本专利技术的特征在于抗反射膜由经过曝光对于显影剂可溶解的感光性物质组成。同时，以由Clariant Corp制造的″D-BARC″作为感光性物质的实例。所以，在对于光刻胶和抗反射膜的曝光中，抗反射膜可溶于相当于光刻胶的显影剂中。结果，通过曝光和显影，可以几乎垂直地形成抗蚀性组织的内壁。例如，即使抗蚀性组织的内部组织宽度变窄到300nm或更小，也可以几乎垂直地形成抗蚀性组织的内壁。在本专利技术中，在如上所述所形成的抗蚀性组织内部形成第二磁性薄膜，产生的磁极部分可以被精确的变窄。在形成第二磁性薄膜之后，抗反射膜和光刻胶可以被移除。依靠显影、抛光或RF抛光，可以移除抗反射膜。在抗反射膜形成之后并且在光刻胶的涂覆之前，抗反射膜可以被曝光。在该情况下，抗反射膜对于显影剂的可溶性可以被增强。在本专利技术的最佳实施方式中，在光刻胶的涂覆之前，抗反射膜可以被加热到80-150℃以内。此外，在曝光之后并且在显影之前，抗反射膜可以被加热到80-150℃以内。在曝光中，可以采用具有波长为160-400nm的激光光束。光刻胶可以由化学敏感光刻胶组成。本专利技术的制造方法可以包括形式磁阻有效元件的步骤。参考在具体实施例方式的附图，将详细地描述其它的目的、结果和优点。附图说明为了更透彻地理解本专利技术，引用了以下附图，其中图1是表示根据本专利技术所制造的薄膜磁头的平面图；图2是在图1中所述薄膜磁头的横剖面视图；图3是表示包括在图1和2中所示薄膜磁头的磁性转换元件的部分放大横剖面视图；图4是表示包含于本专利技术制造方法中的一个步骤的横剖面视图；图5是表示在图4本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造方法，用于制造具有记录元件的薄膜磁头，此记录元件具有第一磁性层、绝缘薄膜、线圈薄膜和第二磁性层，其中所述第一磁性层和所述第二磁性层构成薄膜磁路，并且所述绝缘薄膜被设置在所述第一磁性层和所述第二磁性层之间并且支撑所述线圈薄膜，所述第二磁性层被设置在所述绝缘薄膜上，包括步骤：　　　　在所述第一磁性层、所述线圈薄膜和所述第二磁性层形成之后并且在所述第二磁性层形成之前，形成电镀底基层，　　　　在所述电镀底基层上形成抗反射膜，　　　　　在所述抗反射膜之上涂覆光刻胶，　　　　曝光和显影所述光刻胶和所述抗反射膜，以形成由其制造的抗蚀性组织，并且　　　　在由所述抗蚀性组织包围的内部图案中形成所述第二磁性层，　　　　其中所述抗反射膜由经过曝光对于显影剂可溶解的物质组成。

【技术特征摘要】
JP 2003-5-21 144128/20031.一种制造方法，用于制造具有记录元件的薄膜磁头，此记录元件具有第一磁性层、绝缘薄膜、线圈薄膜和第二磁性层，其中所述第一磁性层和所述第二磁性层构成薄膜磁路，并且所述绝缘薄膜被设置在所述第一磁性层和所述第二磁性层之间并且支撑所述线圈薄膜，所述第二磁性层被设置在所述绝缘薄膜上，包括步骤在所述第一磁性层、所述线圈薄膜和所述第二磁性层形成之后并且在所述第二磁性层形成之前，形成电镀底基层，在所述电镀底基层上形成抗反射膜，在所述抗反射膜之上涂覆光刻胶，曝光和显影所述光刻胶和所述抗反射膜，以形成由其制造的抗蚀性组织，并且在由所述抗蚀性组织包围的内部图案中形成所述第二磁性层，其中所述抗反射膜由经过曝光对于显影剂可溶解的物质组成。2.根据权利要求1所述的制造方法，其中所述绝缘薄膜包括在所述薄膜磁头的气承表面中的倾斜部分，并且所述第二磁性层形成在所述绝缘薄膜的所述倾斜部分上。3.根据权利要求1所述的制造方法，进一步包括在形成所述第二磁性层之后移除所述抗反射膜和所述光刻胶的...

【专利技术属性】
技术研发人员：竹尾建治，宫本宏之，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]