薄膜结构体及其制造方法技术

一种薄膜结构体及其制造方法，该薄膜结构体，在上层部（８６），侧边缘部（８６ａ）比基底部（８１）的侧边缘部（８１ｂ）向外侧伸出而形成延出部（８６ｂ），线圈绝缘层（绝缘层）（５７）也存在延出部（８６ｂ）的下方。由于在突起部（８７）的延出部（８６ｂ）的下方也存在线圈绝缘层（绝缘层）（５７），所以突起部（８７）的周围的机械强度提高。从而，在保护层（绝缘层）（６１）不易生成裂纹，而提高导通连接结构的耐蚀性。因此，这种薄膜结构体，机械强度高，并能够用于导通连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种在导电层上方层叠导电性的突起部、并利用形成在上述导电层上的绝缘层、围住上述突起部的周围的薄膜结构体，特别涉及抗机械冲击性等强的。
技术介绍
图40是表示以往的薄膜结构体的剖视图。在该薄膜结构体中，例如，在绝缘体1上形成与从电感磁头的线圈层延长的导线层或从磁阻效应元件的电极层延长的导线层连接的导电层2。在导电层2上，借助金属膜3，形成突起部(凸部)4。在突起部(凸部)4的周围，形成由Al2O3或SiO2构成的绝缘膜5，突起部(凸部)4的上面露出于绝缘膜5的表面。另外，金属膜3是在镀膜形成突起部4时用于供给电流而残留的通电层。突起部4具有与金属膜3连接的基底部4a和层叠在该基底部4a上的上层部4b。上层部4b的侧边缘部比基底部4a的侧边缘部更向外侧伸出而形成延出部4c。在突起部4的上面形成金属材料制的金属垫片6。图41～图45是表示以往的薄膜结构体的制造方法的剖视图。首先，在图41所示的工序，利用镀膜法，在绝缘层1上形成导电层2。然后，从导电层2的上方到绝缘层1的上方，采用溅射法成膜通电层7，以镀膜形成突起部4。此外，在通电层7的上面，层叠凸部形成用的抗蚀剂R，在形成突起部4的部分形成开口部Ra。另外，通电层7向图的右方向(箭头方向)延长，以便能够从其端部供给电流。然后，在图42所示的工序中，在抗蚀剂R的开口部Ra露出的通电层7的上面，各向同性镀上Ni、Au、Cu或含有Cu的导电性材料，形成突起部4。突起部4的高度H1例如为40μm。在形成突起部4后，去除抗蚀剂R，成为图43的状态。然后，利用离子蚀刻法等去除突起部4的周围的通电层7。此时，残留突起部4的上层部4a的下面的通电层7，而形成图44所示的金属膜3。在去除通电层7后，如图45所示，在导电层2及突起部4上成膜由Al2O3或SiO2构成的绝缘膜5。然后，研磨绝缘层5直到在绝缘层5的表面露出突起部4，例如，到图的A-A线，在形成金属垫片6后，就结束了图40所示的薄膜结构体的形成。此外，在专利文献5中记载，通过在突起部4的下方配置其他导线导体28，能够实现布线的高密度化。如此的，在以下所示的专利文献1～5中有记载。专利文献1日本特开平11-100690号公报(第3页、图1)专利文献2日本特开平9-73608号公报(第3页、图3)专利文献3日本特开2000-149221号公报(第3页、图8)专利文献4日本特开昭58-179922号公报(第1页、第2页、图2、图3)专利文献5日本特开平4-21919号公报(第4页、第5页、图5、图6)专利文献6日本特开2003-123208号公报(第4页、第5页、图1～图8)上述以往的薄膜结构体，具有以下所示的问题。在图43所示的工序中，如果去除抗蚀剂层R，能够在突起部4的上层部4b的延出部4c的下方形成空间S。当在图45所示的工序中成膜绝缘层5时，空间S由于受延出部4c的影响，不形成绝缘层5而成为空穴。如此，如果突起部4的延出部4c下方的空间S是空穴，则会降低绝缘层5的机械强度，在图45的研磨工序时，在绝缘层5上容易产生如虚线所示的裂纹C。如果在绝缘层5上产生裂纹C，薄膜结构体的耐磨性显著下降，同时会导致布线断线。此外，在专利文献4中，记载了通过削去导体(突起部)的外伸部(延出部)(沿图44的单点划线E削去)而去除产生影的区域，或在导体(突起部)的整个周围形成绝缘层的结构。但是，如果具有削去导体(突起部)的工序，则不仅制造工序复杂化，而且减小导体(突起部)的体积，产生电阻增大的问题。此外，导体(突起部)的体积的偏差增大，电阻不均匀。此外，专利文献6中记载的薄膜结构体，难于供给镀膜形成下部垫片3A及上部垫片3B的电流，需要进一步改进。
技术实现思路
本专利技术是针对解决上述以往问题而提出的，目的是提供一种薄膜结构体积其制造方法，其具有基底部和突起部，该突起部具有上层部，该上层部包含比上述基底部向外侧伸出的延出部，而且，在上述基底部的整个周围的、上述延出部的下方也存在上述绝缘层。本专利技术的薄膜结构体，在导电层上方层叠导电性的突起部，利用形成在上述导电层上的绝缘层围住上述突起部的周围，上述突起部具有与上述导电层连接的基底部和层叠在该基底部上的上层部，上述上层部的、与膜厚度方向垂直的剖面的面积，越向上述上层部的上方越逐渐减小，而且，在上述上层部上，侧边缘部比上述基底部的侧边缘部向外侧伸出而形成延出部，上述绝缘层，在上述基底部的整个周围，也存在于延出部的下方。在本专利技术中，由于也在上述突起部的延出部的下方存在上述绝缘层，所以能够提高上述突起部周围的机械强度。因此，在上述绝缘层不易产生裂纹，能够提高薄膜结构体的耐蚀性，同时降低布线的断线。此外，在上述突起部的上层部，由于侧边缘部比上述基底部的侧边缘部向外侧伸出而形成延出部，从而能够维持上述突起部的体积，防止电阻增加。另外，如果上述绝缘层连结在上述基底部的侧边缘部，则优选在上述突起部的延出部下方的整个区域存在上述绝缘层，进一步提高上述突起部周围的机械强度。此外，如果在上述导电层的侧方的、上述突起部的上述延出部的下方，设置其他导线层，则能够谋求布线的高密度化。如本专利技术所述，如果上述绝缘层，在上述基底部的整个周围，也存在上述延出部的下方，则由于在上述导电层的侧方设置其他导线层，所以即使减小上述基底部的宽度尺寸，也能够维持上述突起部周围的机械强度。另外，上述其他导线层，例如连接在其他的薄膜结构体上。本专利技术的薄膜结构体的制造方法具有以下工序(a)在导电层上形成导电性的基底部，在该基底部的整个周围形成绝缘层的工序； (b)在导电层上形成导电性的通电部，在该通电部的整个周围形成绝缘层的工序；(c)在上述绝缘层的表面露出上述基底部的上面的工序；(d)在上述绝缘层的表面露出上述通电部的上面的工序；(e)从上述通电部的上面供给电流，在上述基底部的上方使可镀膜的材料自由镀膜生长来形成上层部，并使上述上层部的与膜厚度方向垂直的剖面的面积，越朝向上述上层部的上方越逐渐减小，而且，上述上层部侧边缘部比上述基底部的侧边缘部向外侧伸出而形成延出部的工序；(f)在上述上层部的周围形成绝缘层的工序。在本专利技术中，在上述(e)工序，从上述通电部的上面供给电流，经由上述导电层，在上述基底部上镀膜形成上层部。因此，能够在上述基底部的附近，以所需最小限度的尺寸形成上述通电部，之后不需要去除该通电部。因此，在上层部的镀膜形成后，不需要去除形成在上述基底部的整个周围的上述绝缘层，也能够制造在上述突起部的延出部的下方也存在上述绝缘层的薄膜结构体。利用本专利技术的制造方法形成的薄膜结构体，提高了上述突起部周围的机械强度，在上述绝缘层不易产生裂纹，提高了耐蚀性。此外，在本专利技术中，在形成上述上层部时，由于只是自由度膜生长形成，所以减小突起部的体积偏差，从而能够降低电阻的偏差。此外，优选在上述(d)工序，在上述绝缘层的表面露出上述通电部的上面后，形成连接在上述通电部的上面的引出层。另外，此处，所谓的自由镀膜生长，指的是不限制侧面或上面地镀膜生长。或，本专利技术的薄膜结构体的制造方法具有以下工序(g)在导电层上形成绝缘层的工序；(h)在上述绝缘层至少设置2个开孔部，而露出上述导电层的工序；(i)以上述开孔部中的1个作为通电开孔部，从本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜结构体，其特征在于：在导电层上方层叠导电性的突起部，利用形成在上述导电层上的绝缘层围住上述突起部的周围，上述突起部具有与上述导电层连接的基底部和层叠在该基底部上的上层部，上述上层部的、与膜厚度方向垂直的剖面的面积，越向上述上层部的上方越逐渐减小，而且，在上述上层部上，侧边缘部比上述基底部的侧边缘部向外侧伸出而形成延出部，上述绝缘层，在上述基底部的整个周围，也存在于延出部的下方。

【技术特征摘要】
JP 2003-6-9 2003-163088;JP 2003-9-9 2003-3169501.一种薄膜结构体，其特征在于在导电层上方层叠导电性的突起部，利用形成在上述导电层上的绝缘层围住上述突起部的周围，上述突起部具有与上述导电层连接的基底部和层叠在该基底部上的上层部，上述上层部的、与膜厚度方向垂直的剖面的面积，越向上述上层部的上方越逐渐减小，而且，在上述上层部上，侧边缘部比上述基底部的侧边缘部向外侧伸出而形成延出部，上述绝缘层，在上述基底部的整个周围，也存在于延出部的下方。2.如权利要求1所述的薄膜结构体，其特征在于上述绝缘层与上述基底部的侧边缘部相连。3.如权利要求1所述的薄膜结构体，其特征在于在上述导电层的侧方、的上述突起部的上述延出部的下方设置其他导线层。4.如权利要求3所述的薄膜结构体，其特征在于在其他的薄膜结构体上连接上述其他导线层。5.一种薄膜结构体的制造方法，具有以下工序(a)在导电层上形成导电性的基底部，在该基底部的整个周围形成绝缘层的工序；(b)在导电层上形成导电性的通电部，在该通电部的整个周围形成绝缘层的工序；(c)在上述绝缘层的表面露出上述基底部的上面的工序；(d)在上述绝缘层的表面露出上述通电部的上面的工序；(e)从上述通电部的上面供给电流，在上述基底部的上方使可镀膜的材料自由镀膜生长来形成上层部，并使上述上层部的与膜厚度方向垂直的剖面的面积，越朝向上述上层部的上方越逐渐减小，而且，上述上层部侧边缘部比上述基底部的侧边缘部向外侧伸出而形成延出部的工序；(f)在上述上层部的周围形成绝缘层的工序。6.如权利要求5所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：矢泽久幸，
申请(专利权)人：阿尔卑斯电气株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]