记录和/或再现方法技术

一种具有多个信息存储层的信息存储介质，每个信息存储层包括用于获得最佳记录条件的最佳功率控制（ＯＰＣ）区。从光入射在该信息存储介质上的方向看，奇数和偶数信息存储层中的最佳功率控制区一个被布置在另一个之上以使它们彼此不直接正对。在每个信息存储层中的最佳功率控制区的实际可用区取决于每个信息存储层的使用环境而变化。因此，当一个信息存储层的ＯＰＣ区执行ＯＰＣ时，ＯＰＣ不会影响另一信息存储层。另外，每个信息存储层的区能被有效地被使用。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种可记录信息存储介质，更具体地讲，涉及一种具有多个信息存储层的信息存储介质，通过其信息存储层的区能有效地使用，同时使在被包括在每个信息存储层中的最佳功率控制(OPC)区中执行的OPC处理对其他信息存储层的影响最小化。
技术介绍
一般的信息存储介质被广泛用作用于以非接触的方式记录/再现数据的光学头设备的信息记录介质。光盘被用作信息存储介质并根据它们的信息存储容量被分类为致密盘(CD)或数字多功能盘(DVD)。可记录、可擦除和可再现光盘的实例是650MB的CD-R、CD-RW，4.7GB的DVD+RW等。而且，具有25GB或者更大记录容量的高清晰度DVD(HD-DVD)正在开发中。如上所述，信息存储介质已被开发为具有较大的记录容量。信息存储介质的记录容量能以下面两种有代表性的方式被增加1)减小从光源发射的记录光束的波长；和2)增加物镜的数值孔径。另外，有一种形成多个信息存储层的方式。图1A和1B示意性地表示具有第一信息存储层L0和第二信息存储层L1的双层信息存储介质。第一信息存储层L0和第二信息存储层L1分别包括用于获得最佳写入功率的第一最佳功率控制(OPC)区111和第二最佳功率控制区121以及分别包括第一缺陷管理区(DMA)115和第二缺陷管理区125。第一OPC区111和第二OPC区121彼此相对(即，OPC区在相对于信息存储介质的内边界和外边界的公共半径上)。数据使用写入功率的各种电平被记录在第一OPC区111和第二OPC区121中，以找到最佳写入功率。因此，数据可以以比最佳写入功率高的功率的电平被记录。表1显示当数据以不同的写入功率的电平被记录在OPC区111和121时，在第一信息存储层L0和第二信息存储层L1中的每一个的抖动特性的变化。表1 根据表1，如果数据以正常写入功率被记录，则第一信息存储层L0或第二信息存储层L1的抖动特性保持不变。另一方面，如果数据以高于正常写入功率20％的写入功率被记录，则信息已被记录在其中的第一信息存储层L0或第二信息存储层L1的OPC区的抖动特性降低。如果数据以比高于正常写入功率20％还高的写入功率被记录在第一信息存储层L0和第二信息存储层L1其中之一上，则可预料另一信息存储层的抖动特性还会降低。因此，如果第一信息存储层L0的第一OPC区111和第二信息存储层L1的第二OPC区121如图1A和1B所示存在于相等半径内，则它们中的其中之一可能是不可用的。第一OPC区111和第二OPC区121其中之一的记录状态可影响另一OPC区的记录特性。例如，如图1B所示，如果数据已经被记录在第一OPC区111的111a部分，并且在其剩余的区域111b上没有记录数据，则与第一OPC区111的占用部分111a相应的第二OPC区121的一部分的记录性质不同于与第一OPC区111的未被占用部分111b相应的第二OPC区121的一部分的记录性质。换句话说，由于对于第一OPC区111的占用部分111a的激光的透射比不同于对于其未占用部分111b的激光的透射比，所以在整个区第二OPC区121的记录性质可能是不规则的。如上所述，如果第一OPC区和第二OPC区被布置在相等的半径内，则它们可能不会正确地起作用。
技术实现思路
技术问题本专利技术提供了一种具有多个信息存储层的信息存储介质，通过其信息存储层的区能被有效地使用，同时使在被包括于每个信息存储层的最佳功率控制(OPC)区中执行的OPC对其他信息存储层的影响最小化；一种使信息存储介质的OPC区之间的干扰最小化的方法；和一种用于使信息存储介质的OPC区之间的干扰最小化的记录和/或再现设备。技术解决方案根据本专利技术的一方面，提供了一种具有多个信息存储层的信息存储介质，每个信息存储层包括用于获得最佳记录条件的最佳功率控制区，其中，奇数和偶数信息存储层中的最佳功率控制区被布置在该信息存储介质的不同的半径之内，并且每个信息存储层中的最佳功率控制区的实际可用区的大小取决于每个信息存储层的使用环境而变化。根据本专利技术的另一方面，提供了一种具有多个信息存储层的信息存储介质，每个信息存储层包括用于获得最佳记录条件的最佳功率控制区，其中奇数和偶数信息存储层中的最佳功率控制区被布置在信息存储介质的不同的半径之内，并且奇数和偶数的信息存储层中的一个包括其正对另一个信息存储层的最佳功率控制区的用于预定目的的可用区。根据本专利技术的另一方面，提供了一种使信息存储介质的第一信息存储层的第一最佳功率控制区和第二信息存储层的第二最佳功率控制区之间的干扰最小化的方法，包括布置第一和第二最佳功率控制区，使得其每一个与另一个信息存储层的以相反的方向被记录的特定区对准，以使干扰最小化。根据本专利技术的另一方面，提供了一种记录和/或再现设备，包括光学头，其以光功率在信息存储介质的表面上记录数据和/或从该表面上读数据；和控制器，其控制光学头以在信息存储介质的表面记录和/或再现数据并确定以其设置记录期间的光功率的最佳记录功率，其中，信息存储介质包括第一信息存储层和第二信息存储层，其中第一信息存储层包括第一最佳功率控制区和第一限制使用区，第二信息存储层包括第二最佳功率控制区和第二限制使用区，所述区被布置从而使第一最佳功率控制区与第二限制使用区对准，以及第二最佳功率控制区与第一限制使用区对准，控制器根据在第一和第二最佳功率控制区之一中被光学头记录和/或再现的数据确定最佳记录功率。在该设备中，第一和第二限制使用区是由控制器以与第一和第二最佳功率控制区相反的方向可记录的保留区。在该设备中，第一限制区是由控制器以与第一和第二最佳功率控制区相反的方向可记录的保留区，第二限制区是以相对于第一和第二最佳功率控制区的任何方向可记录的可用区。本专利技术的其他方面和/或优点将在下面的描述中部分地被阐明，并且从描述中部分会明显，或可通过本专利技术的实施可理解。附图说明通过下面结合附图详细地描述实施例，本专利技术的以上和/或其他方面和优点将会变得清楚，其中图1A和1B是表示传统的双层信息存储介质中的最佳功率控制(OPC)区对除该OPC区之外的区的影响的示图；图2表示根据本专利技术实施例的双层信息存储介质的数据区的布局；图3A和3B表示根据本专利技术另一实施例的双层信息存储介质的数据区的布局；图4A和4B表示根据本专利技术另一实施例的双层信息存储介质的数据区的布局；图5A到5D表示根据本专利技术另一实施例的双层信息存储介质的数据区的布局；图6表示根据本专利技术实施例的双层信息存储介质的数据区的布局；图7表示根据本专利技术另一实施例的双层信息存储介质的数据区的布局；图8是根据本专利技术实施例的用于将信息记录到信息存储介质/从信息存储介质再现信息的设备的方框图；和图9是图8的记录和/或再现设备更详细的方框图。具体实施例方式现在将详细地参考本专利技术实施例，其中的实例结合附图被说明，其中，相同的标号始终指同样的元件。通过参照附图，下面将描述这些实施例以解释本专利技术。参照图2，根据本专利技术实施例的信息存储介质包括至少两个信息存储层L0和L1。每个信息存储层L0、L1包括用于获得最佳的功率的最佳功率控制(OPC)区211、223和保留区213、221。信息存储层L0、L1的OPC区211、223被布置在不同的半径内以使它们彼此不正对。尽管没有示出，但是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种信息存储介质，包括：多个信息存储层，每个信息存储层包括用于获得最佳记录条件的最佳功率控制区，其中，奇数和偶数信息存储层中的最佳功率控制区被布置在该信息存储介质的不同的半径之内，并且每个信息存储层中的最佳功率控制区的实际可用区的大 小取决于每个信息存储层的使用环境而变化。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】KR 2003-6-30 10-2003-00435731.一种信息存储介质，包括多个信息存储层，每个信息存储层包括用于获得最佳记录条件的最佳功率控制区，其中，奇数和偶数信息存储层中的最佳功率控制区被布置在该信息存储介质的不同的半径之内，并且每个信息存储层中的最佳功率控制区的实际可用区的大小取决于每个信息存储层的使用环境而变化。2.如权利要求1所述的信息存储介质，还包括每个信息存储层中的保留区，其中，每个保留区正对着相邻信息存储层的最佳功率控制区。3.如权利要求2所述的信息存储介质，还包括存储更新的关于每个信息存储层的信息的映射区；并且映射区被布置在该信息存储介质的相同半径之内。4.如权利要求2所述的信息存储介质，其中，更新的关于每个信息存储层的信息被记录在保留区中。5.如权利要求2所述的信息存储介质，其中，更新的关于每个信息存储层的信息被记录在存储盘相关信息的引入区的一部分中。6.如权利要求2所述的信息存储介质，其中，数据在奇数信息存储层的最佳功率控制区和保留区中被记录的方向与数据在偶数信息存储层的最佳功率控制区和保留区中被记录的方向相反。7.如权利要求6所述的信息存储介质，其中，数据在一个信息存储层的最佳功率控制区和保留区中被记录的方向相同。8.如权利要求6所述的信息存储介质，其中，数据在一个信息存储层的最佳功率控制区和保留区中被记录的方向相反。9.如权利要求6所述的信息存储介质，其中，最佳功率控制区在引入区和引出区中的至少一个中被形成。10.如权利要求3所述的信息存储介质，其中，数据在奇数信息存储层的最佳功率控制区、映射区和保留区中被记录的第一方向与数据在偶数信息存储层的最佳功率控制区、映射区和保留区中被记录的第二方向相反。11.如权利要求10所述的信息存储介质，其中，数据在一个信息存储层的最佳功率控制区和保留区中被记录的方向相反。12.一种信息存储介质，包括多个信息存储层，每个信息存储层包括用于获得最佳记录条件的最佳功率控制区，其中，奇数和偶数信息存储层中的最佳功率控制区被布置在信息存储介质的不同的半径之内，并且奇数和偶数的信息存储层中的一个包括正对另一个信息存储层的最佳功率控制区的用于预定目的的可用区。13.如权利要求12所述的信息存储介质，其中，所述另一个信息存储层还包括正对所述一个信息存储层的最佳功率控制区的保留区。14.如权利要求13所述的信息存储介质，其中每个信息存储层还包括存储更新的关于每个信息存储层的信息的映射区；并且该映射区被布置在信息存储介质的相同半径之内。15.如权利要求13所述的信息存储介质，还包括被记录在存储盘相关信息的引入区的一部分中的更新的关于每个信息存储层的信息。16.如权利要求13所述的信息存储介质，其中，数据在所述一个信息存储层的最佳功率控制区中被记录的方向与数据在所述另一个信息存储层的保留区中被记录的方向相反。17.如权利要求16所述的信息存储介质，其中，最佳功率控制区在引入区和引出区中的至少一个中被形成。18.一种多层信息存储介质，包括第一信息存储层，其包括第一最佳功率控制区和与第一最佳功率控制区相邻的第一保留区；和第二信息存储层，其与该第一信息存储层相邻，该第二信息存储层包括第二最佳功率控制区和与第二最佳功率控制区相邻的第二保留区，其中，第一最佳功率控制区与第二保留区对准，并且第二最佳功率控制区与第一保留区对准。19.如权利要求18所述的信息存储介质，其中，第一最佳功率控制区和第二最佳功率控制区以第一方向被记录，第一保留区和第二保留区以与所述第一方向相反的第二方向被记录。20.如权利要求18所述的信息存储介质，其中，第一最佳功率控制区和第二最佳功率控制区以彼此相反的方向被记录，第一保留区和第二保留区以彼此相反的方向被记录。21.如权利要求18所述的信息存储介质...

【专利技术属性】
技术研发人员：李坰根，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]