全息记录介质及其制造方法、全息记录、再现装置和全息系统制造方法及图纸

本发明专利技术是关于一种全息记录介质及其制造方法、全息记录、再现装置和全息系统，属于显示技术领域。所述全息记录介质包括：两个透明导电膜层以及所述两个透明导电膜层之间的液晶层，所述液晶层中掺杂有量子点。本发明专利技术通过将掺杂有量子点的液晶层作为全息记录介质，使量子点产生的空间电荷场加速液晶分子的重新配向，加速了全息记录介质记录目标物体的信息的速度，解决了相关技术中作为全息记录介质的光折变晶体记录目标物体信息的速度较慢，全息实现的效率较低的问题。达到了全息记录介质能够快速记录目标物体的信息的效果。提高了全息再现的效率。 1

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，特别涉及一种记录介质及其制造方法、全息记录、再现装置和全息系统。
技术介绍
全息是指光波的全部信息，即光波的振幅和相位。而全息显示技术的原理为首先同时记录光源照射拍摄物产生的漫反射光(可简称物光)的振幅与相位，之后根据物光的振幅与相位再现物光，就能够得到拍摄物的立体像。相关技术中有一种全息系统，该设备包括激光器(作为光源)，分束镜，光折变晶体(作为记录物光的振幅与相位的记录介质)和显示屏。通过该设备进行全息显示时包括记录和再现两个过程，其中记录过程为:激光器射出的光束经过分束镜分为物光和参考光，物光照射到目标物体上反射至光折变晶体，并与照射到光折变晶体中的参考光发生干涉，由于光折变晶体的光学特性，目标物体的信息(即物光的振幅与相位)会被逐渐记录在光折变晶体中。再现过程为:通过参考光的相干光照射记录有目标物体的信息的光折变晶体，从光折变晶体投射出的光束照射在显示屏上即可得到目标物体的立体像，实现目标物体的全息再现。专利技术人在实现本专利技术的过程中，发现上述方式至少存在如下缺陷:上述方式中，作为记录介质的光折变晶体记录目标物体信息的速度较慢，全息实现的效率较低。
技术实现思路
为了解决相关技术中作为记录介质的光折变晶体记录目标物体信息的速度较慢，全息实现的效率较低的问题，本专利技术实施例提供了一种记录介质及其制造方法、全息记录、再现装置和全息系统。所述技术方案如下:根据本专利技术实施例的第一方面，提供一种记录介质，所述记录介质包括:两个透明导电膜层以及所述两个透明导电膜层之间的液晶层，所述液晶层中掺杂有量子点。可选的，所述记录介质还包含有环形的间隔物，所述环形的间隔物设置在所述两个透明导电膜层之间，所述液晶层设置在所述两个透明导电膜层与所述环形的间隔物构成的空间中。可选的，所述两个透明导电膜层中每个透明导电膜层靠近所述液晶层的一侧设置有配向膜。可选的，所述量子点由硫化锌和磷化铟中的至少一种材料构成。根据本专利技术的第二方面，提供一种记录介质的制造方法，用于制造第一方面提供的记录介质，所述方法包括:将量子点溶液与液晶混合得到混合物，所述量子点溶液包括量子点与保存液；在预设温度中将所述混合物保温预定时长，以去除所述保存液；将去除所述保存液的混合物作为液晶层设置在两个透明导电膜层之间。可选的，所述保存液为氯仿，所述预设温度为70度，所述预定时长为10小时。根据本专利技术的第三方面。提供一种全息记录装置，包括第一方面提供的记录介质，光源和电源组件，所述光源用于提供入射到所述记录介质的参考光和入射到目标物体的入射光，所述参考光与所述入射光为相干光；所述电源组件用于向所述记录介质中的量子点提供激活电压；所述记录介质用于接收所述参考光和所述入射光经所述目标物体反射后的物光以记录所述目标物体的信息。根据本专利技术实施例的第四方面，提供一种全息再现装置，包括第一方面提供的记录介质，光源、电源组件和显示屏，所述光源用于提供入射到所述记录介质的再现光；所述电源组件用于向所述记录介质中的量子点提供激活电压；所述记录介质中记录有目标物体的信息；所述显示屏用于承载立体像。根据本专利技术的第五方面，提供一种全息系统，所述全息系统包括第三方面提供的全息记录装置和第四方面提供的全息再现装置。本专利技术实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果:通过将掺杂有量子点的液晶层作为记录介质，使量子点产生的空间电荷场加速液晶分子的重新配向，加速了记录介质记录目标物体的信息的速度，解决了相关技术中作为记录介质的光折变晶体记录目标物体信息的速度较慢，全息实现的效率较低的问题。达到了记录介质能够快速记录目标物体的信息的效果。提高了全息再现的效率。应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本专利技术。【附图说明】此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本专利技术的实施例，并与说明书一起用于解释本专利技术的原理。图1是本专利技术实施例示出的一种记录介质的结构示意图；图2是本专利技术实施例示出的另一种记录介质的结构示意图；图3是本专利技术实施例提供的一种记录介质的制造方法的流程图；图4-1是本专利技术实施例提供的一种全息记录装置的结构示意图；图4-2是本专利技术实施例提供的另一种全息记录装置的结构示意图；图5是本专利技术实施例提供的一种全息再现装置的结构示意图。通过上述附图，已示出本专利技术明确的实施例，后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本专利技术构思的范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本专利技术的概念。【具体实施方式】这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本专利技术相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本专利技术的一些方面相一致的装置和方法的例子。图1是本专利技术实施例示出的一种记录介质的结构示意图，该记录介质能够用于记录目标物体的信息。该记录介质可以包括:两个透明导电膜层11和12以及两个透明导电膜层之间的液晶层13，液晶层13中掺杂有量子点L。综上所述，本专利技术实施例提供的记录介质，通过将掺杂有量子点的液晶层作为记录介质，使量子点产生的空间电荷场加速液晶分子的重新配向，加速了记录介质记录目标物体的信息的速度，解决了相关技术中作为记录介质的光折变晶体记录目标物体信息的速度较慢，全息实现的效率较低的问题。达到了记录介质能够快速记录目标物体的信息的效果。提高了全息再现的效率。进一步的，请参考图2，其示出了本专利技术实施例提供的另一种记录介质的结构示意图，该记录介质在图1所示的记录介质的基础上增加了更优选的部件，从而使得本专利技术实施例提供的记录介质具有更好的性能。可选的，记录介质还包含有环形的间隔物14，环形的间隔物14设置在两个透明导电膜层(11和12)之间，液晶层13设置在两个透明导电膜层(11和12)与环形的间隔物14构成的空间中。透明导电膜层11和12可以由氧化铟锡构成，环形的间隔物14可以为硅基间隔物，厚度可以为20um(微米)左右。环形的间隔物14可以用于支撑液晶层13，维持记录介质的形状。该液晶层13中的液晶可以为向列型液晶。可选的，两个透明导电膜层中每个透明导当前第1页1 2 3 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种记录介质，其特征在于，所述记录介质包括：两个透明导电膜层以及所述两个透明导电膜层之间的液晶层，所述液晶层中掺杂有量子点。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨涛，陈长堤，蒋盛超，吴春晖，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11