电子封装件及其支撑结构与制法制造技术

一种电子封装件及其支撑结构与制法，该支撑结构包括于具有多个导电柱的金属件上形成保护层，且该保护层外露出该导电柱的端面，以供导电体形成于该导电柱的端面上，避免该保护层的损坏。层的损坏。层的损坏。

【技术实现步骤摘要】
电子封装件及其支撑结构与制法


[0001]本专利技术有关一种封装结构与制程，尤指一种电子封装件及其支撑结构与制法。

技术介绍

[0002]随着近年来可携式电子产品的蓬勃发展，各类相关产品逐渐朝向高密度、高性能以及轻、薄、短、小的趋势发展，其中，应用于该可携式电子产品的各样式的半导体封装结构也因而配合推陈出新，以期能符合轻薄短小与高密度的要求。
[0003]图1A至图1D为现有半导体封装件1的制法的剖面示意图。
[0004]如图1A所示，提供一导线架15，其包含一支撑板152、以及多个相间隔设于该支撑板152上的导电柱150与一结合垫151。
[0005]如图1B所示，于该导线架15上形成一如含铜药剂的保护层19，再于该导电柱150的端面上经由一如含松香的助焊剂(flux)17形成焊锡材料13。
[0006]如图1C所示，将一电子组件结合至该些导电柱150上，使该电子组件堆叠于该导线架15上，且该电子组件包含有一基板结构10及设于该基板结构10上的第一半导体芯片11与第二半导体芯片12。此外，该第一半导体芯片11可经由一薄膜18结合至该结合垫151上。另外，该些导电柱150可经由该焊锡材料13结合至该基板结构10上。另外，该电子组件还可包含一用以包覆该第二半导体芯片12的包覆层14。
[0007]如图1D所示，形成一封装层16于该基板结构10与该导线架15(该支撑板152)之间，使该封装层16包覆该第一半导体芯片11、焊锡材料13与该些导电柱150。之后，移除该支撑板152，使该些导电柱150的端面与该结合垫151外露出该封装层16。
[0008]然而，现有半导体封装件1的制法中，该助焊剂17于高温制程中会呈现液态状，致使其沿该导电柱150的侧面渗透至该保护层19，因而破坏该保护层19，故于回焊该焊锡材料13时，该导线架15及其导电柱150的侧面已无该保护层19，导致该焊锡材料13容易溢流而造成窜锡现象，如图1B
’
所示，以致于后续该焊锡材料13电性连接该第一半导体芯片11而发生短路问题。
[0009]因此，如何克服上述现有技术的问题，实已成为目前业界亟待克服的难题。

技术实现思路

[0010]鉴于上述现有技术的种种缺陷，本专利技术提供一种电子封装件及其支撑结构与制法，可避免保护层损坏。
[0011]本专利技术的支撑结构，包括：金属件，其具有多个导电柱；保护层，其形成于该金属件上且外露出该导电柱的端面；以及导电体，其形成于该导电柱的端面上。
[0012]前述的支撑结构中，该导电体包含焊锡材料。
[0013]本专利技术还提供一种支撑结构，包括：金属件，其具有多个导电柱；止挡体，其形成于该导电柱的端面上；以及保护层，其形成于该金属件与该止挡体上。
[0014]前述的支撑结构中，该止挡体包含油墨。
[0015]前述的两种支撑结构中，该金属件为铜架体。
[0016]前述的两种支撑结构中，该保护层为金属层。例如，该金属层包含铝材、不锈钢、铁、镍或铬。
[0017]本专利技术还提供一种支撑结构的制法，包括：提供一具有多个导电柱的金属件；形成于该导电柱的端面上形成止挡体；于该金属件与该止挡体上形成保护层；移除该止挡体及其上的保护层，以外露该导电柱的端面；以及形成导电体于该导电柱的端面。
[0018]前述的制法中，该止挡体包含油墨。
[0019]本专利技术又提供一种支撑结构的制法，包括：提供一具有多个导电柱的金属件；于该金属件上形成保护层；移除部分该保护层，以外露该导电柱的端面；以及形成导电体于该导电柱的端面。
[0020]前述的制法中，以研磨或抛光方式移除部分该保护层。
[0021]前述的两种制法中，该金属件为铜架体。
[0022]前述的两种制法中，该保护层为金属层。例如，该金属层以溅镀方式形成。或者，该金属层包含铝材、不锈钢、铁、镍或铬。
[0023]前述的两种制法中，该导电体包含焊锡材料。
[0024]本专利技术另提供一种电子封装件，包括：前述的支撑结构；以及电子组件，其结合至该支撑结构的导电柱上，使该电子组件堆叠于该金属件上。或者，提供一种电子封装件的制法，包括：提供一前述的支撑结构；以及将一电子组件结合至该支撑结构的导电柱上，使该电子组件堆叠于该金属件上。
[0025]前述的电子封装件及其制法中，该电子组件包含至少一电子元件。
[0026]由上可知，本专利技术的电子封装件及其支撑结构与制法中，主要经由以止挡体或保护层覆盖于该导电柱的端面上，以于后续外露该导电柱的端面，故相比于现有技术，本专利技术的支撑结构于后续回焊导电体时，经由该保护层，能止挡该导电体的焊锡材料溢流，避免窜锡现象，进而避免该导电体与该第一电子元件之间发生短路的问题。
附图说明
[0027]图1A至图1D为现有半导体封装件的制法的剖面示意图。
[0028]图1B
’
为现有半导体封装件的制法发生焊锡材料溢流的示意图。
[0029]图2A至图2C为本专利技术的支撑结构的制法的剖面示意图。
[0030]图2D至图2E为本专利技术的电子封装件的制法的剖视示意图。
[0031]图3A至图3B为图2B的另一制法的剖视示意图。
[0032]附图标记说明
[0033]1ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
半导体封装件
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
10
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
基板结构
[0034]11
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第一半导体芯片
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
12
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第二半导体芯片
[0035]13
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
焊锡材料
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
14,24
ꢀꢀꢀ
包覆层
[0036]15
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
导线架
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
150,250 导电柱
[0037]151,251 结合垫
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
152,252 支撑板
[0038]16,26
ꢀꢀꢀ
封装层
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
17,230
ꢀꢀ
助焊剂
[0039]18
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
薄膜
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
19,29
ꢀꢀꢀ
保护层
[0040]2ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
电子封装件
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ2’
,2
”ꢀ
支撑结构
[0041]2a
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
电子组件
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
20
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
承载结构
[0042]20a
ꢀꢀꢀꢀꢀ
第一侧
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
20b
ꢀꢀꢀꢀꢀ...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种支撑结构，其特征在于，包括：金属件，其具有多个导电柱；保护层，其形成于该金属件上且外露出该导电柱的端面；以及导电体，其形成于该导电柱的端面上。2.根据权利要求1所述的支撑结构，其特征在于，该导电体包含焊锡材料。3.一种支撑结构，其特征在于，包括：金属件，其具有多个导电柱；止挡体，其形成于该导电柱的端面上；以及保护层，其形成于该金属件与该止挡体上。4.根据权利要求3所述的支撑结构，其特征在于，该止挡体包含油墨。5.根据权利要求1或3所述的支撑结构，其特征在于，该金属件为铜架体。6.根据权利要求1或3所述的支撑结构，其特征在于，该保护层为金属层。7.根据权利要求6所述的支撑结构，其特征在于，该金属层包含铝材、不锈钢、铁、镍或铬。8.一种支撑结构的制法，其特征在于，包括：提供一具有多个导电柱的金属件；于该多个导电柱的端面上形成止挡体；于该金属件与该止挡体上形成保护层；移除该止挡体及其上的保护层，以外露该导电柱的端面；以及形成导电体于该导电柱的端面。9.根据权利要求8所述的支撑结构的制法，其特征在于，该止挡体包含油墨。10.一种支撑结构的制法，其特征在于，包括：提供一具有多个导电柱的金属件；于该金属件上形成保护层；移除部分该保护层，以外露该导电柱...

【专利技术属性】
技术研发人员：张卓兴，方颢儒，纪廷伟，朱德芳，简顺裕，
申请(专利权)人：矽品精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：