【技术实现步骤摘要】
一种激光退火设备及激光退火方法
[0001]本专利技术涉及激光退火
,尤其涉及一种激光退火设备及激光退火方法。
技术介绍
[0002]激光退火技术是纳米集成电路开发中的关键工艺技术。现有技术中,激光退火技术包括:将半导体材料密封在腔室中,激光照射进腔室内,与半导体材料的表面接触后,实现对半导体材料的表面退火。
[0003]为使得半导体材料退火均匀,通常在腔室内设置二维移动装置。二维移动装置带动半导体材料在X轴和Y轴与激光发生相对移动,使得半导体材料的表面均与激光接触,实现对半导体材料的表面均匀退火。但是,通过二维移动装置移动半导体材料,精度不容易控制,导致退火不均匀,而且占用面积大,导致成本高。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于提供一种激光退火设备及激光退火方法,使得退火更加均匀,并且腔室占用面积小,节约成本。
[0005]第一方面,本专利技术提供一种激光退火设备。该激光退火设备包括:激光器、密封腔、设置在密封腔内的旋转承载机构、以及与密封腔驱动连接的直线移动机构。旋转承载 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种激光退火设备,其特征在于,包括:激光器、密封腔、设置在所述密封腔内的旋转承载机构、以及与所述密封腔驱动连接的直线移动机构;所述旋转承载机构用于承载单个待退火元件;所述激光器与所述密封腔分离设置,用于向所述待退火元件发射退火激光;所述旋转承载机构用于驱动所述待退火元件相对所述激光器旋转;所述直线移动机构用于驱动所述密封腔沿直线方向做往复运动,以使所述待退火元件相对所述激光器作直线运动;所述直线方向与所述旋转承载机构的旋转轴线不平行。2.根据权利要求1所述的激光退火设备,其特征在于,所述直线方向与所述旋转承载机构的旋转轴线垂直;和/或,所述旋转承载机构的转速为1RPM~8000RPM;和/或,所述激光器发射的激光形成在所述待退火元件表面的光斑为线斑;其中,所述线斑的尺寸为10um
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1mm~1mm
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5mm。3.根据权利要求1所述的激光退火设备,其特征在于,所述直线移动机构包括:与所述密封腔滑动连接的直线轨道;以及与所述密封腔驱动连接的驱动机构,所述驱动机构用于驱动所述密封腔在所述直线轨道上移动。4.根据权利要求3所述的激光退火设备,其特征在于,所述直线轨道为磁浮式轨道或气浮式轨道。5.根据权利要求1~4任一项所述的激光退火设备,其特征在于,所述旋转承载机构包括承载台以及与所述承载台驱动连接的旋转驱动机构,所述旋转驱动机构设在所述密封腔上,用于驱动所述承载台旋转。6.根据权利要求5所述的激光退火设备,其特征在于,所述承载...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘金彪,罗军,李俊峰,
申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所,
类型:发明
国别省市:
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