晶闸管、三端双向可控硅和瞬态电压抑制二极管制造制造技术

本公开涉及晶闸管、三端双向可控硅和瞬态电压抑制二极管制造。一种设备包括半导体衬底。在半导体衬底的外围处形成台阶。由掺杂有氧的多晶硅制成的第一层被沉积在衬底的第一表面的顶部上并且与该第一表面接触。该第一层至少在台阶的壁和底部上延伸。由玻璃制成的第二层被沉积在第一层的顶部上，并且被沉积在第一层的边缘上。第二层在台阶与设备的中心区域之间形成凸台。之间形成凸台。之间形成凸台。

【技术实现步骤摘要】
晶闸管、三端双向可控硅和瞬态电压抑制二极管制造
[0001]优先权要求
[0002]本申请要求于2020年03月05日提交的法国专利申请号2002211的优先权权益，其内容在法律上可允许的最大范围内通过引用以其整体并入于此。


[0003]本公开总体上涉及半导体电子部件，并且更具体地涉及晶闸管、三端双向可控硅和瞬态电压抑制二极管。

技术介绍

[0004]不同的晶闸管制造技术是已知的。
[0005]需要改进晶闸管及其制造方法。更具体地，需要减少晶闸管类型的电子部件中的泄漏电流。
[0006]本领域中存在对克服已知晶闸管或其制造方法的全部或部分缺点的需求。

技术实现思路

[0007]一个实施例提供了一种设备，其包括：半导体衬底，该半导体衬底在其外围处包括台阶；由掺杂有氧的多晶硅制成的第一层，在衬底的第一表面的顶部上并且与该第一表面接触，并且至少在所述台阶的壁和底部上延伸；以及由玻璃制成的第二层，在第一层和第一层的边缘上延伸，所述第二层在台阶与设备的中心区域之间形成凸台。
[0008]根据一个实施例，第二层包括：第一玻璃子层，在第一层上并且与第一层对准；以及第二玻璃子层，在第一子层上延伸，并且覆盖第一层的边缘和第一玻璃子层的边缘。
[0009]根据一个实施例：第一玻璃子层在凸台的层级处具有的厚度在5μm至30μm的范围内，优选在10μm至20μm的范围内，更优选等于近似13μm，再更优选等于13μm；和/或第一子层在台阶的底部处具有的厚度在20μm至60μm的范围内，优选在30μm至40μm的范围内，更优选等于近似35μm，再更优选等于35μm。
[0010]根据一个实施例，第二玻璃子层具有在5μm至20μm的范围内，优选等于近似13μm，更优选等于13μm的厚度。
[0011]根据一个实施例，第一层具有在0.2μm至1μm的范围内，优选等于近似0.5μm，更优选等于0.5μm的厚度。
[0012]根据一个实施例，凸台具有的厚度在10μm至50μm的范围内，优选在10μm至35μm的范围内，更优选等于近似15μm，例如等于15μm。
[0013]根据一个实施例，台阶具有在80μm至200μm的范围内，优选等于近似105μm，更优选等于105μm的深度。
[0014]一个实施例提供了一种电子部件，其包括在衬底的每个表面上的设备，以形成晶闸管、三端双向可控硅或瞬态电压抑制二极管。
[0015]一个实施例提供了一种方法，除其他外，该方法包括以下步骤：在衬底的外围处形
成台阶；形成由掺杂有氧的多晶硅制成的第一层，第一层在衬底的第一表面的顶部上并且与该第一表面接触，第一层至少在所述台阶的壁和底部上延伸；以及形成第二玻璃层，第二玻璃层在第一层和第一层的边缘上延伸，以在台阶与设备的中心部分之间形成凸台。
[0016]根据一个实施例，第二层的形成包括以下步骤：在第一层上形成第一玻璃子层；沿着通过光刻形成的第一树脂掩模的图案，实现对第一层和第一玻璃子层的第一湿法蚀刻；在第一玻璃子层上形成第二玻璃子层，使得第二玻璃子层覆盖第一玻璃子层以及第一层的边缘和第一玻璃子层的边缘，以在台阶的内周处形成凸台；以及沿着通过光刻形成的第二树脂掩模的图案，实现对第二玻璃子层的第二湿法蚀刻。
[0017]根据一个实施例，第一蚀刻在浴中实现，该浴由近似59％的氟化铵、近似6％的氟化氢和近似35％的过氧化氢制成。
[0018]根据一个实施例，第二蚀刻在由近似50％的氟化氢和近似50％的盐酸制成的浴中实现。
[0019]根据一个实施例，第一和第二蚀刻在浴中实现，该浴具有的温度在18摄氏度至30摄氏度的范围内，优选在20摄氏度至25摄氏度的范围内，更优选等于近似22摄氏度，再更优选等于22摄氏度。
[0020]根据一个实施例，第一蚀刻具有的持续时间在30分钟至60分钟的范围内，优选在40分钟至50分钟的范围内，更优选等于近似46分钟，再更优选等于46分钟。
[0021]根据一个实施例，第二蚀刻具有的持续时间在1分钟至2分钟的范围内，优选在1分15秒至1分40秒的范围内，更优选等于近似1分30秒，再更优选等于1分30秒。
[0022]根据一个实施例，通过低压化学气相沉积或通过等离子体增强化学气相沉积来沉积第一层。
附图说明
[0023]将在下面结合附图对具体实施例的非限制性描述中，详细讨论前述及其他特征和优点。
[0024]图1以局部简化截面图示出了晶闸管类型的电子部件的一个实施例；
[0025]图2以局部简化俯视图示出了电子部件晶片；
[0026]图3以局部简化截面图示出了制造图1中所示的部件的方法的实施方式的步骤；
[0027]图4以局部简化截面图示出了制造图1中所示的部件的方法的实施方式的另一步骤；
[0028]图5以局部简化截面图示出了制造图1中所示的部件的方法的实施方式的另一步骤；
[0029]图6以局部简化截面图示出了制造图1中所示的部件的方法的实施方式的另一步骤；
[0030]图7以局部简化截面图示出了制造图1中所示的部件的方法的实施方式的另一步骤；
[0031]图8以局部简化截面图示出了制造图1中所示的部件的方法的实施方式的另一步骤；
[0032]图9以局部简化截面图示出了制造图1中所示的部件的方法的实施方式的另一步
骤；以及
[0033]图10以局部简化截面图示出了制造图1中所示的部件的方法的实施方式的另一步骤。
具体实施方式
[0034]在不同的附图中，相同的元件用相同的附图标记指定。特别地，不同实施例共同的结构和/或功能元件可以用相同的附图标记指定，并且可以具有完全相同的结构、尺寸和材料特性。
[0035]为清楚起见，仅示出和详述了对理解所描述的实施例有用的那些步骤和元件。特别地，没有详述晶闸管的制造的前面步骤，仅描述了防止电流泄漏的步骤。
[0036]贯穿本公开，术语“连接”用于指定电路元件之间的直接电连接，而术语“耦合”用于指定电路元件之间的电连接，该电连接可以是直接的或者可以是经由一个或多个其他元件。
[0037]在下面的描述中，当提及修饰绝对位置(诸如术语“前”、“后”、“顶”、“底”、“左”、“右”等)或相对位置(诸如术语“上方”、“下方”、“上”、“下”等)的术语时，或者当提及修饰方向(诸如术语“层级”、“垂直”等)的术语时，除非另外指出，否则它指的是附图的定向。
[0038]术语“约”、“近似”、“基本上”和“大约”在本文中用于指定所讨论的值的正负10％、优选正负5％的容差。
[0039]图1以局部简化截面图示出了晶闸管类型的电子部件的一个实施例。
[0040]更具体地，图1图示了高电压电子部件11，例如，具有大于近似1200V的导通电压的晶闸管。
[0041]在下面的描述中，在图1的定向上，结构的上表面被视为正面，并且在图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种设备，包括：半导体衬底，包括在所述半导体衬底的外围处的台阶；第一层，在所述半导体衬底的第一表面的顶部上并且与所述第一表面接触，并且至少在所述台阶的壁和底部上延伸并且与所述壁和底部接触，其中所述第一层由掺杂有氧的多晶硅制成；以及第二层，在所述第一层上延伸并且与所述第一层接触，并且在所述第一层的边缘上延伸，所述第二层在所述台阶与所述设备的中心区域之间形成凸台，其中所述第二层由玻璃制成。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述第二层包括第一玻璃子层和第二玻璃子层，所述第一玻璃子层在所述第一层上并且与所述第一层接触，并且与所述第一层对准，所述第二玻璃子层在所述第一玻璃子层上延伸并且与所述第一玻璃子层接触，并且覆盖所述第一层的边缘和所述第一玻璃子层的边缘。3.根据权利要求2所述的设备，其中在所述凸台的层级处，所述第一子层具有在5μm至30μm的范围内的厚度。4.根据权利要求2所述的设备，其中在所述凸台的层级处，所述第一子层具有在10μm至20μm的范围内的厚度。5.根据权利要求2所述的设备，其中在所述凸台的层级处，所述第一子层具有等于近似13μm的厚度。6.根据权利要求2所述的设备，其中在所述台阶的所述底部处，所述第一子层具有在20μm至60μm的范围内的厚度。7.根据权利要求2所述的设备，其中在所述台阶的所述底部处，所述第一子层具有在30μm至40μm的范围内的厚度。8.根据权利要求2所述的设备，其中在所述台阶的所述底部处，所述第一子层具有等于近似35μm的厚度。9.根据权利要求2所述的设备，其中所述第二子层具有在5μm至20μm的范围内的厚度。10.根据权利要求2所述的设备，其中所述第二子层具有等于近似13μm的厚度。11.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一层具有在0.2μm至1μm的范围内的厚度。12.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一层具有等于近似0.5μm的厚度。13.根据权利要求1所述的设备，其中所述凸台具有在10μm至50μm的范围内的厚度。14.根据权利要求1所述的设备，其中所述凸台具有在10μm至35μm的范围内的厚度。15.根据权利要求1所述的设备，其中所述凸台具有等于近似15μm的厚度。16.根据权利要求1所述的设备，其中所述台阶具有在80μm至200μm的范围内的深度。17.根据权利要求1所述的设备，其中所述台阶具有等于近似105μm的深度。18.一种电子部件，其在所述半导体衬底的每个表面上包括所述台阶、所述第一层和所述第二层，以形成选自由以下组成的组的电路部件：晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：P，
申请(专利权)人：意法半导体图尔公司，
类型：发明
国别省市：