一种逆导型IGBT制造技术

本实用新型专利技术提供一种逆导型IGBT，它包括N

【技术实现步骤摘要】
一种逆导型IGBT


[0001]本技术涉及双极性晶体管制造领域，更具体地，涉及一种逆导型IGBT。

技术介绍

[0002]目前的逆导型绝缘栅双极性晶体管IGBT集成了续流二极管，在开关速度和成本方面，逆导型绝缘栅双极性晶体管IGBT具有一定的优势，并在软开关领域中得到广泛应用。但在实际芯片的设计中，过大的集成二极管布局会增大IGBT本身的饱和压降，过小的集成二极管布局又会使得系统应用中续流能力不够而出现失效。当下急需要对背面逆导型结构进行改良设计，更加优化IGBT的性能，目前这个行业难题没有得到很好的解决方案。
[0003]中国专利CN201310645774.5公开了一种逆导型IGBT半导体器件，集成有IGBT器件和FRD，在硅基片的背面一个以上的沟槽，由位于沟槽的底部和侧面的N+区组成FRD的N型电极区，由位于沟槽外部的P+区组成IGBT器件的集电区。该专利虽然能稍微改善逆导型IGBT半导体器件的性能，但过大的集成二极管布局增大了IGBT本身的饱和压降，没有更好的优化IGBT性能，无法解决行业难题，无法适应市场需求。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种逆导型IGBT，其特征是它包括N
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区熔单晶材料层(3)，N
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区熔单晶材料层(3)上从左至右依次布置为元胞区(9)和终端区(10)，在元胞区(9)内部的上层布置有元胞P阱区(5)，元胞P阱区(5)内部设置有元胞N+源极区(6)；在元胞区(9)上表面的两侧布置有栅氧区(7)，两侧栅氧区(7)的上表面均具有多晶硅栅区(8)，前述终端区(10)内部的上层布置有终端P+区(4)；N
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区熔单晶材料层(3)的下表面分布有IGBT背面P型注入区(1)和IGBT背面N型注入区(2)。2.根据权利要求1所述的一种逆导型IGBT，其特征是所述N
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区熔单晶材料层(3)的厚度为150um～400u...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈俊标，陈钊，
申请(专利权)人：宜兴杰芯半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：