具有反向隔离槽的毫米波肖特基二极管制造技术

本发明专利技术公开了一种具有反向隔离槽的毫米波肖特基二极管，涉及电子元器件技术领域。所述二极管包括半绝缘衬底层，所述半绝缘衬底层上表面的中部形成有钝化层，钝化层的左右两侧分别形成有重掺杂GaAs层，左右两侧的所述重掺杂GaAs层上内嵌有欧姆接触金属层，所述欧姆接触金属层的上表面高于所述重掺杂GaAs层的上表面，不具有欧姆接触金属层的重掺杂GaAs层的上表面形成有低掺杂GaAs层，左侧的所述重掺杂GaAs层以及低掺杂GaAs层与对应的右侧的重掺杂GaAs层以及低掺杂GaAs层之间的距离从下到上逐渐减小，使得在二极管的中间形成正八字型的隔离槽结构。所述二极管可有效的降低二极管在高频工作时候的电容寄生效应。在高频工作时候的电容寄生效应。在高频工作时候的电容寄生效应。

【技术实现步骤摘要】
具有反向隔离槽的毫米波肖特基二极管


[0001]本专利技术涉及电子元器件
，尤其涉及一种具有反向隔离槽的毫米波肖特基二极管。

技术介绍

[0002]毫米波波是指频率在 30GHz
‑
300GHz范围内的电磁波，在毫米波频段，基于肖特基二极管的方式可以实现毫米波的倍频和混频。为了使肖特基二极管在90GHz及以上频段有更好的性能，需要降低二极管的寄生参量来提高二极管的性能。通过不断的优化肖特基二极管的器件结构，可以实现降低寄生参量，并提高二极管的性能。

技术实现思路

[0003]本专利技术所要解决的技术问题是如何提供一种可有效的降低二极管在高频工作时候的电容寄生效应的毫米波肖特基二极管。
[0004]为解决上述技术问题，本专利技术所采取的技术方案是：一种具有反向隔离槽的毫米波肖特基二极管，其特征在于：包括半绝缘衬底层，所述半绝缘衬底层上表面的中部形成有钝化层，所述钝化层的左右两侧分别形成有重掺杂GaAs层，且所述重掺杂GaAs层与所述钝化层之间不接触，左右两侧的所述重掺杂GaAs层上内嵌有欧姆接触金属本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有反向隔离槽的毫米波肖特基二极管，其特征在于：包括半绝缘衬底层（5），所述半绝缘衬底层（5）上表面的中部形成有钝化层（1），所述钝化层（1）的左右两侧分别形成有重掺杂GaAs层（6），且所述重掺杂GaAs层（6）与所述钝化层（1）之间不接触，左右两侧的所述重掺杂GaAs层（6）上内嵌有欧姆接触金属层（3），所述欧姆接触金属层（3）的上表面高于所述重掺杂GaAs层（6）的上表面，且所述欧姆接触金属层（3）的面积小于相应侧的重掺杂GaAs层（6）的面积，不具有欧姆接触金属层（3）的重掺杂GaAs层（6）的上表面形成有低掺杂GaAs层（7），所述低掺杂GaAs层（7）的高度高于所述欧姆接触金属层（3）的高度，所述欧姆接触金属层（3）的的上表面形成有金属加厚层（4），所述低掺杂GaAs层（7）的上表面形成有二氧化硅层（2），且左侧的二氧化硅层（2）上内嵌有肖特基接触金属层（8），且所述肖特基接触金属层（8）与所述低掺杂GaAs层（7）相接触，所述金属加厚层（4）的高度高于所述二氧化...

【专利技术属性】
技术研发人员：李晋，
申请(专利权)人：厦门芯辰微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：