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具有反向隔离槽的毫米波肖特基二极管制造技术
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文档序号:29931920
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本发明公开了一种具有反向隔离槽的毫米波肖特基二极管,涉及电子元器件技术领域。所述二极管包括半绝缘衬底层,所述半绝缘衬底层上表面的中部形成有钝化层,钝化层的左右两侧分别形成有重掺杂GaAs层,左右两侧的所述重掺杂GaAs层上内嵌有欧姆接触金属...
该专利属于厦门芯辰微电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过厦门芯辰微电子有限公司授权不得商用。
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