本技术属于半导体技术领域，尤其涉及一种沟槽栅IGBT，包括壳体，以及开设于壳体上端的散热槽，散热槽内部均设置有用于散热的散热风扇，散热风扇上方设置有防尘网，防尘网用于防尘，壳体通过连接螺丝螺纹旋合连接有连接栅，连接栅上开设有用于连接螺丝...

本发明实施例提供的IGBT器件及其加工工艺，通过设置基于温度变化而发生弹性形变的多个散热单元，在IGBT器件内部发热且热量分布不均匀时，多个散热单元能够基于热量的分布自发性地调整散热单元的疏密程度，使得温度较高处的散热单元较为稀疏，散热...

本技术属于IGBT技术领域，尤其涉及一种增强型沟槽栅IGBT，包括芯片封装体和设置在芯片封装体内部散热机构，所述散热机构还包括防护组件、散热组件和IGBT组件；所述防护组件包括隔板、IGBT主体、支撑杆和支撑柱，所述芯片封装体的内壁固定...

本技术属于VDMOS芯片输送设备技术领域，尤其涉及一种芯片转运装置，包括装置主体和设置在装置主体内部的伸缩机构，所述伸缩机构包括升降组件和滑动组件：所述升降组件包括第一螺纹杆、第一螺纹滑块和固定槽，通过设置转动杆，当在通过转运装置对VD...

本实用新型公开了一种MOS芯片温度控制散热片，包括导热管，其设置在所述散热片主体的上端面，所述散热片主体与导热管固定连接，所述导热管的内部设置有水流降温槽，所述导热管的内部设置有散热风道，所述导热管的一端安装有进气风扇，所述进气风扇与导...

本实用新型公开了一种防碰撞逆导型IGBT芯片，涉及逆导型IGBT芯片相关领域，为解决现有技术中的无法解决现有逆导型IGBT芯片的抗碰撞性能较为低下的问题。所述芯片主体的两侧均设置有挡垫板，所述挡垫板设置为弹性结构，所述挡垫板与芯片主体设...

本实用新型公开了一种IGBT吸收电容引脚，涉及吸收电容引脚技术领域，为解决现有技术中的一般IGBT吸收电容引脚都是与吸收电容固定的，安装的方式较为呆板，不能够多角度进行安装，使用起来不够方便的问题。所述引脚安装板的上方安装有可旋转引脚，...

本实用新型公开了一种IGBT的出线铜排结构，涉及出线铜排结构技术领域，为解决现有技术中的IGBT出线铜排结构的出线端大都暴露在外部环境，导线与端子直接连接，连接处没有绝缘包裹，绝缘措施做得不够到位，使用起来不够安全可靠的问题。所述封装外...

本实用新型涉及MOS管防护技术领域，具体地说，涉及一种高压MOS管驱动电路。其包括电源电路、电流检测电路、保护电路以及传输电路，其中所述电源电路的输出端与电流检测电路连接，所述电流检测电路的输出端与保护电路连接，所述电流检测电路包括芯片...

本实用新型公开了一种低压信号驱动高压MOS的电路，该电路包括固定电阻R1、R2、R3、R4，可变电阻RX，三极管Q1、Q2、Q3、Q4、Q5；电源V1与RX的第一固定端连接；RX的第二固定端接地；PWM通过R4后与Q1的发射极连接；PW...

本实用新型提供一种高雪崩耐量垂直双扩散MOS，它包括从下至上依次布置的N型衬底区和N

本实用新型提供一种逆导型IGBT，它包括N

本实用新型提供一种大电流IGBT芯片结构，该芯片结构包括位于芯片外周的截止环区和位于芯片正中的栅极焊线区，在截止环区以内、栅极焊线区以外设有能够进行区域划分以形成多个独立发射极焊线区的栅极总线。本实用新型的大电流IGBT芯片，将大面积长...

本实用新型提供一种低输入电容的IGBT，它包括从下至上依次布置的背面P注入区和N‑区，在N‑区的两侧具有P阱区，在前述P阱区的内部均布置有N+源区，在两P阱区和中部N‑区交界位置的上表面均布置有栅氧区，在两栅氧区的中部布置场氧区，且前述...