一种低压信号驱动高压MOS的电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种低压信号驱动高压MOS的电路，该电路包括固定电阻R1、R2、R3、R4，可变电阻RX，三极管Q1、Q2、Q3、Q4、Q5；电源V1与RX的第一固定端连接；RX的第二固定端接地；PWM通过R4后与Q1的发射极连接；PWM通过R4后与Q2的发射极连接；RX的可变端同时与Q1的基极、Q2的基极以及Q5的集电极连接；Q1的集电极与Q3的基极连接；Q2的集电极与Q4的基极连接；电源V2与Q3的发射极连接；Q3的集电极同时与R1的第一端和Q4的集电极连接；Q4的发射机接地；Q5的发射机接地；Q5的基极通过R2后与R1的第二端连接；Q5的基极通过R3后接地。其通过可调电阻对PWM电压基准设定，进而实现对Q1、Q2开启时间以及驱动电压上升跌落速度的调整，达到对输出电压的限压效果。压的限压效果。压的限压效果。

【技术实现步骤摘要】
一种低压信号驱动高压MOS的电路


[0001]本技术涉MOS管电路领域，尤其涉及一种低压信号驱动高压MOS的电路。

技术介绍

[0002]目前，利用低压信号驱动高压MOS管的电路中，为了实现对输出电压的限压，采用了各种方式，有在输出端设置稳压电路实现输出电压的限压，也有在电源端进行限压设置的。
[0003]现在的方式中均会采用到多种元器件，一方面增加线路的复杂性，另一方面也增加成本。
[0004]因此，设计一种低压信号驱动高压MOS的电路，能简单的实现输出电压的限压，是目前亟待解决的问题。

技术实现思路

[0005]本技术的目的是提供一种低压信号驱动高压MOS的电路，创新点在于通过可调电阻实现对PWM电压基准的设定，进而实现对Q1、Q2开启时间以及驱动电压上升跌落速度的调整，达到对输出电压的限压效果。
[0006]为实现上述技术目的，本技术的技术方案是：
[0007]一种低压信号驱动高压MOS的电路，包括固定电阻R1、R2、R3、R4，可变电阻RX，三极管Q1、Q2、Q3、Q4、Q5；电源V1与RX的第一固定端连接；RX的第二固定端接地；PWM通过R4后与Q1的发射极连接；PWM通过R4后与Q2的发射极连接；RX的可变端同时与Q1的基极、Q2的基极以及Q5的集电极连接；Q1的集电极与Q3的基极连接；Q2的集电极与Q4的基极连接；电源V2与Q3的发射极连接；Q3的集电极同时与R1的第一端和Q4的集电极连接；Q4的发射机接地；Q5的发射机接地；Q5的基极通过R2后与R1的第二端连接；Q5的基极通过R3后接地。
[0008]作为优选，电源V1的电压小于或等于电源V2的电压。
[0009]作为优选，Q1和Q4为NPN型三极管。
[0010]作为优选，Q2和Q3为PNP型三极管。
[0011]作为优选，Q3和Q4为MOS管提供驱动电流
[0012]本技术的有益效果是：
[0013]通过可调电阻实现对PWM电压基准的设定，进而实现对Q1、Q2开启时间以及驱动电压上升跌落速度的调整，达到对输出电压的限压效果。
附图说明
[0014]图1为本技术实施例提供的一种低压信号驱动高压MOS的电路示意图。
具体实施方式
[0015]下面将结合附图对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
[0016]本技术提供一种低压信号驱动高压MOS的电路，包括固定电阻R1、R2、R3、R4，可变电阻RX，三极管Q1、Q2、Q3、Q4、Q5；电源V1与RX的第一固定端连接；RX的第二固定端接地；PWM通过R4后与Q1的发射极连接；PWM通过R4后与Q2的发射极连接；RX的可变端同时与Q1的基极、Q2的基极以及Q5的集电极连接；Q1的集电极与Q3的基极连接；Q2的集电极与Q4的基极连接；电源V2与Q3的发射极连接；Q3的集电极同时与R1的第一端和Q4的集电极连接；Q4的发射机接地；Q5的发射机接地；Q5的基极通过R2后与R1的第二端连接；Q5的基极通过R3后接地。
[0017]其中，电源V1的电压小于或等于电源V2的电压。Q1和Q4为NPN型三极管。Q2和Q3为PNP型三极管。Q3和Q4为MOS管提供驱动电流。
[0018]该电路通过可调电阻实现对PWM电压基准的设定，进而实现对Q1、Q2开启时间以及驱动电压上升跌落速度的调整，达到对输出电压的限压效果。
[0019]本低压信号驱动高压MOS的电路的工作原理如下：
[0020]V1和V2分别作为底端和高端电源。Q1和Q2组成一个反置的图腾柱，实现Q3和Q4之间电路的隔离。可调电阻RX通过改变两端的电路，一方面调整了PWM电压基准，实现对Q1、Q2开启时间以及驱动电压上升跌落速度的调整，例如，当可调电阻RX改变电阻降低，使Q1和Q2基极的电压降低时，Q1和Q2后的开启时间会减少，并且由此供给Q3和Q4基极的电压会降低，进而降低输出电压。同理，当可调电阻RX改变电阻增加，使Q1和Q2基极的电压增加时，Q1和Q2后的开启时间会增加，并且由此供给Q3和Q4基极的电压会上升，进而提高输出电压。
[0021]同时，可变电阻RX的改变也间接的同步改变Q5限压的范围，对于输出电压起到一定的限制作用。具体地，当改变RX的值通过Q1和Q2输出电压增大时，输出电压增加，进而使Q5基极电压增加，将附加在Q1和Q2基极上的电压流掉，实现限压。
[0022]所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低压信号驱动高压MOS的电路，其特征在于，包括固定电阻R1、R2、R3、R4，可变电阻RX，三极管Q1、Q2、Q3、Q4、Q5；电源V1与所述RX的第一固定端连接；所述RX的第二固定端接地；PWM通过所述R4后与所述Q1的发射极连接；所述PWM通过R4后与所述Q2的发射极连接；所述RX的可变端同时与所述Q1的基极、所述Q2的基极以及所述Q5的集电极连接；所述Q1的集电极与所述Q3的基极连接；所述Q2的集电极与所述Q4的基极连接；电源V2与所述Q3的发射极连接；所述Q3的集电极同时与所述R1的第一端和所述Q4的集电极连接；所述Q4的发射机接地；...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈俊标，陈钊，
申请(专利权)人：宜兴杰芯半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：