一种控制电路制造技术

本实用新型专利技术实施例提供了一种控制电路，该电路包括：主机板的控制电路和至少一个从机板的控制电路；主机板的控制电路包括金属氧化物半导体场效应晶体管、第一双极型晶体管、第一微处理单元、第二微处理单元和第一电源；至少一个从机板的控制电路包括至少一个电容；其中：金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极连接第一微处理单元的输出端，金属氧化物半导体场效应晶体管的源极和漏极连接在第一电源与主机板的控制电路的输出端之间；第一双极型晶体管的基极连接第二微处理单元的输出端，第一双极型晶体管的发射极和集电极连接在第一电源与主机板的控制电路的输出端之间；至少一个电容连接在主机板控制电路的输出端与主机板控制电路的接地端之间。制电路的接地端之间。制电路的接地端之间。

【技术实现步骤摘要】
一种控制电路


[0001]本技术涉及一种控制电路。

技术介绍

[0002]随着电子技术的发展，当前电路设计的一般是模块化设计，即将不同功能的电路分开，减少彼此的依赖，提高各电控板的独立性和可维护性。其中，主控板可以用于控制从机板，当需要实现某种功能时，只需要控制主控板向对应的从机板供电即可，能够有效降低电路中的功耗。目前，一般是在主控板中设置继电器，通过控制继电器的吸合来实现控制对从机板的供电，但这种方法适用于电流较大的电路中，对于电流较小的电路，采用继电器则电路的成本较高；同时，继电器是基于线圈实现电路的通断的，即需要对继电器施加电流，因此，耗费的电量较大，且继电器的体积较大。综上所述，在控制电流较小的电路，如何实现降低控制电路的功耗和成本，同时使控制电路小型化是亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0003]本技术主要提供一种控制电路。
[0004]本技术主要提供一种控制电路，所述控制电路包括主机板的控制电路和至少一个从机板的控制电路；所述主机板的控制电路包括金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET)、第一双极型晶体管(Bipolar Junction Transistor，BJT)、第一微处理单元、第二微处理单元和第一电源；所述至少一个从机板的控制电路包括至少一个电容；其中：
[0005]所述MOSFET的栅极连接所述第一微处理单元的输出端，所述MOSFET的源极和漏极连接在所述第一电源与所述主机板的控制电路的输出端之间；
[0006]所述第一BJT的基极连接所述第二微处理单元的输出端，所述第一BJT的发射极和集电极连接在所述第一电源与所述主机板的控制电路的输出端之间；
[0007]所述至少一个电容连接在所述主机板控制电路的输出端与所述主机板控制电路的接地端之间。
[0008]在一种实现方式中，在所述MOSFET为P沟道型的情况下，所述MOSFET的源极连接所述主机板的控制电路的输出端，所述MOSFET的漏极连接所述第一电源；
[0009]在所述MOSFET为N沟道型的情况下，所述MOSFET的漏极连接所述主机板的控制电路的输出端，所述MOSFET的源极连接所述第一电源。
[0010]在一种实现方式中，所述主机板的控制电路还包括第一电阻；其中：
[0011]在所述MOSFET为P沟道型的情况下，所述第一电阻连接在所述MOSFET的栅极与漏极之间；
[0012]在所述MOSFET为N沟道型的情况下，所述第一电阻连接在所述MOSFET的栅极与源极之间。
[0013]在一种实现方式中，所述主机板的控制电路还包括第二BJT；其中：
[0014]所述第二BJT的基极连接所述第一微处理单元的输出端，所述第二BJT的发射极接地，所述第二BJT的集电极连接所述MOSFET的栅极。
[0015]在一种实现方式中，所述在所述MOSFET为P沟道型的情况下，所述主机板的控制电路还包括第二电阻；其中：
[0016]所述第二电阻连接在所述第二BJT的集电极与所述MOSFET的栅极之间。
[0017]在一种实现方式中，在所述第一BJT为PNP型的情况下，所述第一BJT的发射极连接所述第一电源，所述第一BJT的集电极连接所述主机板的控制电路的输出端；
[0018]在所述第一BJT为NPN型的情况下，所述第一BJT的集电极连接所述第一电源，所述第一BJT的发射极连接所述主机板的控制电路的输出端。
[0019]在一种实现方式中，所述主机板的控制电路还包括第三电阻；其中：
[0020]在所述第一BJT为PNP型的情况下，所述第三电阻连接在所述第一BJT的集电极与所述主控板的控制电路的输出端之间；
[0021]在所述第一BJT为NPN型的情况下，所述第三电阻连接在所述第一BJT的发射极与所述主控板的控制电路的输出端之间。
[0022]在一种实现方式中，所述主机板的控制电路还包括第三BJT；其中：
[0023]所述第三BJT的基极连接所述第二微处理单元的输出端，所述第三BJT的发射极接地，所述第三BJT的集电极连接所述第一BJT的基极。
[0024]在一种实现方式中，所述在所述第一BJT为PNP型的情况下，所述主机板的控制电路还包括第四电阻；其中：
[0025]所述第四电阻连接在所述第三BJT的集电极与所述第一BJT的基极之间。
[0026]在一种实现方式中，所述控制电路还包括瞬态抑制二极管(Transient Voltage Suppressor，TVS)；其中：
[0027]所述TVS的正极接地，所述TVS的负极连接所述主控板的控制电路的输出端。
[0028]基于本技术提供的控制电路中，所述控制电路包括主机板的控制电路和至少一个从机板的控制电路；所述主机板的控制电路包括MOSFET、第一BJT、第一微处理单元、第二微处理单元和第一电源；所述至少一个从机板的控制电路包括至少一个电容；其中：所述MOSFET的栅极连接所述第一微处理单元的输出端，所述MOSFET的源极和漏极连接在所述第一电源与所述主机板的控制电路的输出端之间；所述第一BJT的基极连接所述第二微处理单元的输出端，所述第一BJT的发射极和集电极连接在所述第一电源与所述主机板的控制电路的输出端之间；所述至少一个电容连接在所述主机板控制电路的输出端与所述主机板控制电路的接地端之间。
[0029]可以看出，本技术在主机板的控制电路设置MOSFET和第一BJT，将MOSFET的控制端与第一微处理单元的输出端连接，将第一BJT的控制端与第二微处理单元的输出端连接，在MOSFET和第一BJT接收到驱动信号时，实现控制主机板的控制电路的导通或断开，从而实现控制向至少一个从机板的控制电路供电。可以看出，本技术通过采用MOSFET和第一BJT，实现控制主机板的控制电路的导通或断开，能够有效降低控制电路的成本和功耗，同时，第一BJT可以采用贴片的BJT，贴片的BJT体积较小，能够节省很大的空间，使控制电路小型化。
[0030]应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，而非
限制本技术。
附图说明
[0031]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，这些附图示出了符合本技术的实施例，并与说明书一起用于说明本技术的技术方案。
[0032]图1为相关技术中一种控制电路的电路原理图；
[0033]图2为本技术实施例提供的一种控制电路的电路原理图；
[0034]图3为本技术实施例提供的一种主机板的控制电路的电路原理图；
[0035]图4为本技术实施例提供的一种控制电路的工作流程示意图。
具体实施方式
[0036]相关技术中，当前电路设计的一般是模块化设计，当出现多块电控板联本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种控制电路，其特征在于，包括主机板的控制电路和至少一个从机板的控制电路；所述主机板的控制电路包括金属氧化物半导体场效应晶体管、第一双极型晶体管、第一微处理单元、第二微处理单元和第一电源；所述至少一个从机板的控制电路包括至少一个电容；其中：所述金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极连接所述第一微处理单元的输出端，所述金属氧化物半导体场效应晶体管的源极和漏极连接在所述第一电源与所述主机板的控制电路的输出端之间；所述第一双极型晶体管的基极连接所述第二微处理单元的输出端，所述第一双极型晶体管的发射极和集电极连接在所述第一电源与所述主机板的控制电路的输出端之间；所述至少一个电容连接在所述主机板控制电路的输出端与所述主机板控制电路的接地端之间。2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，在所述金属氧化物半导体场效应晶体管为P沟道型的情况下，所述金属氧化物半导体场效应晶体管的源极连接所述主机板的控制电路的输出端，所述金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极连接所述第一电源；在所述金属氧化物半导体场效应晶体管为N沟道型的情况下，所述金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极连接所述主机板的控制电路的输出端，所述金属氧化物半导体场效应晶体管的源极连接所述第一电源。3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述主机板的控制电路还包括第一电阻；其中：在所述金属氧化物半导体场效应晶体管为P沟道型的情况下，所述第一电阻连接在所述金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极与漏极之间；在所述金属氧化物半导体场效应晶体管为N沟道型的情况下，所述第一电阻连接在所述金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极与源极之间。4.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述主机板的控制电路还包括第二双极型晶体管；其中：所述第二双极型晶体管的基极连接所述第一微处理单元的输出端，所述第二双极型晶体管的发射极接地，所述第二双极型晶体管的集电极连接所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：马瑞达，白东培，蔡希桐，
申请(专利权)人：佛山市顺德区美的电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：