【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电子电路，特别涉及一种集成器件、电子电路、电路板和空调器。
技术介绍
1、在相关技术中，现有空调器通常会用到boost升压拓扑电路，而boost升压拓扑电路的主要器件包括pfc(power factor correction，功率因数校正)电感、开关管igbt(insulated gate bipolar transistor，绝缘栅双极型晶体管)以及续流二极管frd(fastrecovery diode，恢复二极管)等关键器件。但是，现有的igbt和frd等功率半导体器件都是采用分立器件，集成度差，难以实现器件的小型化；另外，由于igbt和frd是两个独立的分立器件，成本高且制造效率低，在生产装配期间还需要对这两个器件分别进行管脚的成型，而且还需要两次装配到电路板上，装配效率低。
技术实现思路
1、本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本申请提出一种集成器件、电子电路、电路板和空调器，旨在提高集成度，实现器件小型化，并且降低成本、提高制造效率和装配效率。
2、第一方面，本申请实施例提供了一种集成器件，包括：
3、封装壳体，设置有第一引脚、第二引脚、第三引脚和第四引脚；
4、第一引线框架和第二引线框架，设置于所述封装壳体内部；
5、第一二极管芯片，设置于所述第一引线框架，所述第一二极管芯片的阴极通过所述第一引线框架电连接至所述第一引脚，阳极与所述第二引脚电连接；
6、igbt芯片，设置于所述第二引
7、根据本申请的一些实施例，所述第一引线框架和所述第二引线框架分隔设置，所述第一引线框架和所述第一引脚一体成型设置，所述第二引线框架和所述第二引脚一体成型设置。
8、根据本申请的一些实施例，所述集成器件还包括绝缘板，所述绝缘板设置于所述封装壳体内部，所述第一引线框架和所述第二引线框架均固定于所述绝缘板的一侧。
9、根据本申请的一些实施例，所述绝缘板为陶瓷板。
10、根据本申请的一些实施例，所述集成器件还包括金属板，所述金属板设置于所述封装壳体内部，所述金属板设置于所述绝缘板的另一侧。
11、根据本申请的一些实施例，所述第一二极管芯片的阳极通过第一导电引线连接至所述第二引脚，所述igbt芯片的发射极通过第二导电引线连接至所述第三引脚，所述igbt芯片的栅极通过第三导电引线连接至所述第四引脚。
12、根据本申请的一些实施例，所述集成器件还包括第二二极管芯片，所述第二二极管芯片设置于所述第二引线框架，所述第二二极管芯片的阳极通过所述第二引线框架电连接至所述igbt芯片的集电极，阴极与所述igbt芯片的发射极电连接。
13、根据本申请的一些实施例，所述第二二极管芯片的阴极通过第四导电引线连接至所述igbt芯片的发射极。
14、第二方面，本申请实施例提供了一种电子电路，包括上述第一方面的集成器件。
15、根据本申请的一些实施例，所述电子电路包括boost升压模块，所述boost升压模块包括电感和所述集成器件，所述电感的一端连接至所述集成器件的所述第二引脚。
16、根据本申请的一些实施例，所述电子电路还包括整流模块和功率因数校正模块，所述整流模块连接至所述boost升压模块的输入侧，所述功率因数校正模块连接至所述boost升压模块的输出侧。
17、第三方面，本申请实施例提供了一种电路板，包括上述第二方面的电子电路。
18、第四方面，本申请实施例提供了一种空调器，包括上述第三方面的电路板。
19、根据本申请实施例的技术方案，包括但不限于如下技术效果：本申请实施例的集成器件包括封装壳体、第一引线框架、第二引线框架、第一二极管芯片和igbt芯片，其中，封装壳体设置有第一引脚、第二引脚、第三引脚和第四引脚；第一引线框架和第二引线框架设置于封装壳体内部；第一二极管芯片设置于第一引线框架，阴极通过第一引线框架电连接至第一引脚，阳极与第二引脚电连接；igbt芯片设置于第二引线框架，集电极通过第二引线框架电连接至第二引脚，发射极与第三引脚电连接，栅极与第四引脚电连接。由于本申请实施例将第一二极管芯片和igbt芯片同时集成封装于同一封装壳体内，并且将第二引脚作为公共引脚同时连接至第一二极管芯片的阳极和igbt芯片的集电极，减少了引脚数量，因此，本申请实施例的集成器件的集成度高，并且还实现了器件的小型化；另外，本申请实施例还能够降低成本和提高制造效率，并且在装配到电路板上时只需装配一次，提高了装配效率。
20、本申请的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
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1.一种集成器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的集成器件，其特征在于，所述第一引线框架和所述第二引线框架分隔设置，所述第一引线框架和所述第一引脚一体成型设置，所述第二引线框架和所述第二引脚一体成型设置。
3.根据权利要求1所述的集成器件，其特征在于，所述绝缘板为陶瓷板。
4.根据权利要求1所述的集成器件，其特征在于，所述第一二极管芯片的阳极通过第一导电引线连接至所述第二引脚，所述IGBT芯片的发射极通过第二导电引线连接至所述第三引脚，所述IGBT芯片的栅极通过第三导电引线连接至所述第四引脚。
5.根据权利要求1所述的集成器件，其特征在于，所述第二二极管芯片的阴极通过第四导电引线连接至所述IGBT芯片的发射极。
6.一种电子电路，其特征在于，包括如权利要求1至5中任意一项所述的集成器件。
7.根据权利要求6所述的电子电路，其特征在于，所述电子电路包括Boost升压模块，所述Boost升压模块包括电感和所述集成器件，所述电感的一端连接至所述集成器件的所述第二引脚。
8.根据权利要求7所述
9.一种电路板，其特征在于，包括权利要求6至8中任意一项所述的电子电路。
10.一种空调器，其特征在于，包括权利要求9所述的电路板。
...【技术特征摘要】
1.一种集成器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的集成器件，其特征在于，所述第一引线框架和所述第二引线框架分隔设置，所述第一引线框架和所述第一引脚一体成型设置，所述第二引线框架和所述第二引脚一体成型设置。
3.根据权利要求1所述的集成器件，其特征在于，所述绝缘板为陶瓷板。
4.根据权利要求1所述的集成器件，其特征在于，所述第一二极管芯片的阳极通过第一导电引线连接至所述第二引脚，所述igbt芯片的发射极通过第二导电引线连接至所述第三引脚，所述igbt芯片的栅极通过第三导电引线连接至所述第四引脚。
5.根据权利要求1所述的集成器件，其特征在于，所述第二二极管芯片的阴极通过第四导电引线连接至所述igbt芯...
【专利技术属性】
技术研发人员：周伟坚，
申请(专利权)人：佛山市顺德区美的电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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