【技术实现步骤摘要】
一种低输入电容IGBT
本技术涉及绝缘栅双极晶体管IGBT制造领域,更具体地,涉及一种低输入电容IGBT。
技术介绍
绝缘栅双极晶体管(Insulate-GateBipolarTransistor—IGBT)综合了电力晶体管(GiantTransistor—GTR)和电力场效应晶体管(PowerMOSFET)的优点,具有良好的特性,应用领域很广泛;IGBT也是三端器件:具有栅极,集电极和发射极。目前,1200V绝缘栅双极性晶体管(IGBT)常常采用平面NPT技术,为了获得较低的饱和压降,通常会采用注入增强型设计方案,这就要求平面栅多晶尺寸较大,通常会达到20um以上,因此会带来输入电容较大的弊端,同时也会使得开通时间变长,增加了开关损耗;目前,还没有很好地解决方案。
技术实现思路
本技术的目的是针对目前1200V绝缘栅双极性晶体管IGBT输入电容较大,使得开通时间变长,增加了开关损耗的问题,提出一种低输入电容IGBT,能够对IGBT的输入电容和饱和压降进行很好的折中。本技术的技术方案是:本技术提供一种低输入电容的IGBT,它包括从下至上依次布置的背面P注入区和N-区,在N-区的两侧具有P阱区,在前述P阱区的内部均布置有N+源区,在两P阱区和中部N-区交界位置的上表面均布置有栅氧区,在两栅氧区的中部布置场氧区,且前述场氧区位于N-区的上表面,两栅氧区以及部分与对应栅氧区相邻的场氧区的上表面具有多晶栅区。进一步地,所述的N-区采用熔单晶材料层。进一步地,所述的场氧区 ...
【技术保护点】
1.一种低输入电容的IGBT,其特征是它包括从下至上依次布置的背面P注入区(1)和N-区(2),在N-区(2)的两侧具有P阱区(3),在前述P阱区(3)的内部均布置有N+源区(4),在两P阱区(3)和中部N-区(2)交界位置的上表面均布置有栅氧区(7),在两栅氧区(7)的中部布置场氧区(6),且前述场氧区(6)位于N-区(2)的上表面,两栅氧区(7)以及部分与对应栅氧区(7)相邻的场氧区(6)的上表面具有多晶栅区(5)。/n
【技术特征摘要】
1.一种低输入电容的IGBT,其特征是它包括从下至上依次布置的背面P注入区(1)和N-区(2),在N-区(2)的两侧具有P阱区(3),在前述P阱区(3)的内部均布置有N+源区(4),在两P阱区(3)和中部N-区(2)交界位置的上表面均布置有栅氧区(7),在两栅氧区(7)的中部布置场氧区(6),且前述场氧区(6)位于N-区(2)的上表面,两栅氧区(7)以及部分与对应栅氧区(7)相邻的场氧区(6)的上表面具有多晶栅区(5)。
2.根据权利要求1所述的低输入电容的IGBT,其特征是所述的N-区(2)采用熔单晶材料层。
3.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱旭强,
申请(专利权)人:宜兴杰芯半导体有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏;32
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