二极管结构制造技术

一种二极管结构，包含基板、柱体堆叠、以及第一阻障层。柱体堆叠设于基板上，其中柱体堆叠包含第一半导体层、硅层、以及第二半导体。第二半导体层与第一半导体层分别掺杂不同的掺质，第二半导体层与第一半导体层的电性不同。第一阻障层设于第一半导体层与硅层之间，其中第一阻障层具有扩散阻障性以阻挡第一半导体层的掺质进入硅层，可以减少第一半导体层的掺质浓度的损失。

【技术实现步骤摘要】
二极管结构
本技术是有关于一种二极管结构，特别有关于一种具有阻障层的二极管结构。
技术介绍
二极管为一种熟悉的半导体装置，通常使用于电子应用中，例如电源电路或电压转换器。一般而言，二极管的结构至少包含第一半导体层、第二半导体层以及位于上述二者之间的其他层。第一半导体层及第二半导体层常掺有三价或五价元素掺质以维持电性，例如P型或N型掺质。然而，在后续的高温制程中，掺质容易爱到热能，而往其他层扩散，进而造成掺杂区的掺质浓度的损失。因此，目前需要一种可以维持掺杂区的掺质浓度的二极管结构。
技术实现思路
根据本技术的多个实施例，提供一种二极管结构，包含：基板、柱体堆叠、以及第一阻障层。柱体堆叠设于基板上，其中柱体堆叠包含第一半导体层、硅层、以及第二半导体。第二半导体层与第一半导体层分别掺杂不同的掺质，第二半导体层与第一半导体层的电性不同。第一阻障层设于第一半导体层与硅层之间，其中第一阻障层具有扩散阻障性以阻挡第一半导体层的掺质进入硅层。根据本技术的一些实施例，柱体堆叠自基板按递升次序包含：第一半导体层、第一阻障层、硅层、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种二极管结构，其特征在于，包含：/n一基板；/n一柱体堆叠，设于该基板上，其中该柱体堆叠包含：一第一半导体层、一硅层、以及一第二半导体，其中该第二半导体层与该第一半导体层分别掺杂不同的掺质，该第二半导体层与该第一半导体层的电性不同；以及/n一第一阻障层，设于该第一半导体层与该硅层之间，其中该第一阻障层具有扩散阻障性以阻挡该第一半导体层的所述掺质进入该硅层。/n

【技术特征摘要】
1.一种二极管结构，其特征在于，包含：
一基板；
一柱体堆叠，设于该基板上，其中该柱体堆叠包含：一第一半导体层、一硅层、以及一第二半导体，其中该第二半导体层与该第一半导体层分别掺杂不同的掺质，该第二半导体层与该第一半导体层的电性不同；以及
一第一阻障层，设于该第一半导体层与该硅层之间，其中该第一阻障层具有扩散阻障性以阻挡该第一半导体层的所述掺质进入该硅层。


2.根据权利要求1所述的二极管结构，其特征在于，该柱体堆叠自该基板按递升次序包含：该第一半导体层、该第一阻障层、该硅层、以及该第二半导体层。


3.根据权利要求1所述的二极管结构，其特征在于，该柱体堆叠还包含：
一电极层，设于该第一半导体层与该基板之间。


4.根据权利要求1所述的二极管结构，其特征在于，该柱体堆叠自该基板按递升次序包含：该第二半导体层、该硅层、该第一阻障层、以及该第一半导体层。


5.根据权利要求2所述的二极管结构，其特征在于，该柱体堆叠还包含一第二阻障层，该柱体堆叠自该基板按递升次序包含该第一半导体层、该第一阻障层、该硅层、该第二阻障层、以及该第二半导体层，其中该第二阻障层具有扩散阻障性以阻挡该第二半导体层的所述掺质进入该硅层。


6.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗国丰，林仲汉，吴丞恩，朱煜，庄豪仁，许延有，
申请(专利权)人：江苏时代全芯存储科技股份有限公司，江苏时代芯存半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32